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硅片薄片化及吸雜為HJT重要降本增效方式
　　HJT降本增效方式主要包含“三減一增”+提效。減少銀漿消耗和減少主柵線銀耗主要是降低金屬化成本，減少硅料用量主要為減少硅成本，增加光吸收量為減少光學(xué)損失，提效可攤薄各環(huán)節(jié)通量成本。2022年底HJT電池中硅成本占比71%，為HJT電池成本第一大項(xiàng)，通過(guò)硅片薄片化可直接降低硅成本，通過(guò)吸雜工藝可降低硅成本和提升轉(zhuǎn)換效率。
　　HJT適用更薄硅片，100元/kg硅料價(jià)格下每減薄10μm可降本1.6分錢(qián)/W
　　HJT電池為全對(duì)稱結(jié)構(gòu)，制造工藝流程簡(jiǎn)單，且由于非晶硅層存在制造過(guò)程最高溫度不超過(guò)200℃。PERC和TOPCon電池最低需要850/900℃，且由于均為非對(duì)稱電池結(jié)構(gòu)，燒結(jié)過(guò)程由于內(nèi)部應(yīng)力不一致容易導(dǎo)致硅片翹曲，增加電池及組件失效風(fēng)險(xiǎn)，因此薄片化潛力相對(duì)較小。HJT電池由于對(duì)稱結(jié)構(gòu)+低溫工藝，不容易引起硅片翹曲更適合薄片化降本。HJT電池通過(guò)薄片化，在多晶硅致密料價(jià)格約200元/kg下，硅片每減薄10μm在25.5%轉(zhuǎn)換效率下可降低硅成本約0.016元/W，若硅料價(jià)格回落到100元/kg，對(duì)應(yīng)0.008元/W。
　　HJT導(dǎo)入硅片吸雜可同時(shí)降本提效，并提升整體經(jīng)濟(jì)性
　　吸雜技術(shù)是減少硅片的加工和工藝過(guò)程的污染、改善硅片的性能的一種非常有效的方法，通過(guò)管式擴(kuò)P或者鏈?zhǔn)酵扛睵源后高溫?cái)U(kuò)散可降低硅片中雜質(zhì)含量。通過(guò)導(dǎo)入吸雜工藝，可降低HJT電池硅料采購(gòu)要求實(shí)現(xiàn)降低硅成本；通過(guò)硅片品質(zhì)改善可減少硅片中少數(shù)載流子復(fù)合中心，提高電池的開(kāi)路電壓,從而提高HJT電池光電轉(zhuǎn)換效率提升超過(guò)0.15%；通過(guò)提效帶來(lái)單瓦硅成本下降，以及電池組件環(huán)節(jié)除設(shè)備投資外非硅成本下降，預(yù)計(jì)導(dǎo)入吸雜工藝可降低HJT組件成本約0.6分錢(qián)/W。
　　隨著HJT產(chǎn)業(yè)發(fā)展，硅片薄片化及吸雜產(chǎn)業(yè)鏈均有望受益
　　HJT電池通過(guò)硅片薄片化可降低硅成本，通過(guò)吸雜可降低硅成本及提升組件整體經(jīng)濟(jì)性，隨著產(chǎn)業(yè)發(fā)展，硅片薄片化及吸雜環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)鏈均有望受益。受益標(biāo)的：TCL中環(huán)、高測(cè)股份、宇晶股份、奧特維。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：光伏終端需求不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)；硅片薄片化不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)；HJT接受度不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)；