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鈣鈦礦核心工藝在鍍膜，短期對(duì)效率關(guān)注高于成本。當(dāng)前鈣鈦礦電池工藝路線尚未完全確定，核心鍍膜工藝設(shè)計(jì)多樣，各有優(yōu)勢(shì)。中短期效率提升將是鈣鈦礦企業(yè)第一要?jiǎng)?wù)，制備工藝可參考具備相似器件結(jié)構(gòu)和光電轉(zhuǎn)化原理的OLED面板行業(yè)。OLED真空蒸鍍工藝可直接遷移至鈣鈦礦電池中，有利于實(shí)現(xiàn)良品率高、均一性好的薄膜。由于鈣鈦礦電池對(duì)真空蒸鍍精度要求更低、所需工序更少、氣密性要求低，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，價(jià)格將遠(yuǎn)低于OLED用真空蒸鍍?cè)O(shè)備。隨著規(guī)?；狭?，真空蒸鍍機(jī)有望進(jìn)一步降本。當(dāng)前制膜路線尚未確定，能夠制備出大面積、高效率、高良品率鈣鈦礦器件的涂/鍍膜設(shè)備將率先占領(lǐng)市場(chǎng)。
　　遠(yuǎn)期高性價(jià)比優(yōu)勢(shì)顯著，降本路徑參考HJT工藝。受鈣鈦礦器件特質(zhì)影響，其對(duì)成本控制更加敏感，遠(yuǎn)期鈣鈦礦行業(yè)將追求極致的性價(jià)比，從投資到生產(chǎn)需要全面降本。HJT工藝通過多層功能層沉積制備，且同主流晶硅路線較難遷移，可以HJT行業(yè)的投資額下降路徑為參考考慮鈣鈦礦器件降本空間。隨著鈣鈦礦電池GW級(jí)規(guī)模起量，投資成本有望降低至當(dāng)前1/2以上，而單機(jī)產(chǎn)能提升及核心零部件國產(chǎn)替代后，預(yù)計(jì)將為鈣鈦礦產(chǎn)業(yè)提供更大降本可能。
　　重視鈣鈦礦從0-1關(guān)鍵時(shí)期，鍍膜設(shè)備享受路線快速迭代福利期。鈣鈦礦電池核心工藝路線未定，助力性能提升、不同于晶硅工藝的鍍膜設(shè)備享受廣闊空間。例如以低成本為代表的狹縫涂布設(shè)備，及以低損傷著稱的鍍膜類設(shè)備如真空蒸鍍、RPD、ALD等。真空蒸鍍?cè)O(shè)備從OLED產(chǎn)業(yè)遷移，OLED領(lǐng)域龍頭基礎(chǔ)牢固。RPD、ALD、PVD等設(shè)備以廣泛應(yīng)用于晶硅光伏行業(yè)，光伏設(shè)備龍頭具備先發(fā)優(yōu)勢(shì)
　　激光策略類似薄膜電池，高價(jià)值量高標(biāo)準(zhǔn)吸引優(yōu)質(zhì)廠商入局。受鈣鈦礦柔性材料特質(zhì)影響，鈣鈦礦電池需要通過激光劃線實(shí)現(xiàn)串聯(lián)，因此所需4道激光工藝最為確定。百兆瓦級(jí)激光設(shè)備價(jià)值量約1000萬元。由于鈣鈦礦電池對(duì)激光刻蝕精度遠(yuǎn)高于晶硅電池，刻蝕尺度在幾十納米，更類似于薄膜電池、半導(dǎo)體行業(yè)刻蝕，前期具備高精度激光刻蝕行業(yè)供貨能力的廠商更具競(jìng)爭(zhēng)力。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：鈣鈦礦電池技術(shù)提升不及預(yù)期、產(chǎn)業(yè)推進(jìn)不及預(yù)期、下游應(yīng)用需求不及預(yù)期