>> 湘財證券-電子行業(yè)深度:AI推動HBM需求強勁增長-230926
| 上傳日期: |
2023/9/26 |
大小: |
1656KB |
| 格式: |
pdf 共15頁 |
來源: |
湘財證券 |
| 評級: |
-- |
作者: |
李杰 |
| 行業(yè)名稱: |
電子 |
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此報告為加密報告,僅限高級會員查看 |
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核心要點: HBM有效解決了內(nèi)存瓶頸問題,為當前滿足AI需求的最佳方案 在馮·諾依曼計算機體系結(jié)構(gòu)中,存在著“內(nèi)存墻”和“功耗墻”問題,由于傳統(tǒng)顯存GDDR5面臨著帶寬低、功耗高等瓶頸,2013年,SK海力士與AMD聯(lián)合開發(fā)了全球首款HBM產(chǎn)品。憑借TSV和2.5D封裝技術(shù),HBM實現(xiàn)了普通存儲8.5倍的帶寬,有效解決了內(nèi)存墻問題。HBM3的核心電壓只有1.1V,大幅低于GDDR6的1.3V,HBM通過優(yōu)化電路結(jié)構(gòu)和供電電壓,實現(xiàn)了更低的功耗,有效解決了“功耗墻”問題。HBM為當前滿足AI需求的最佳方案,被所有主流AI芯片采用,包括A100、H100、AMDMI300、TPU等AI芯片。 龍頭廠商不斷推新,HBM不斷迭代優(yōu)化 近年來,SK海力士、三星、美光競相推出HBM新品,以滿足AI的蓬勃需求。SK海力士于2022年率先量產(chǎn)HBM3,三星將于今年下半年大規(guī)模量產(chǎn)HBM3,SK海力士今年下半年已經(jīng)送樣新一代HBM產(chǎn)品HBM3e,預(yù)計明年三星、美光均將推出HBM3e。在供應(yīng)商的推動下,HBM誕生至今已迭代至第五代,產(chǎn)品性能不斷提升,HBM3e的帶寬已達到HBM2的四倍。 生成式AI蓬勃發(fā)展,推動HBM需求強勁增長 去年11月,Chatgpt發(fā)布,隨后生成式人工智能實現(xiàn)了爆發(fā)式發(fā)展,國內(nèi)外大廠爭相競逐AI大模型,大模型訓(xùn)練的過程數(shù)據(jù)吞吐量很大,HBM是目前唯一滿足AI高性能計算要求的量產(chǎn)存儲方案。生成式AI的蓬勃發(fā)展推動HBM需求強勁增長,三星公司表示,今年收到的HBM訂單同比增長一倍以上。Omdia預(yù)測2023年和2024年的HBM需求量將同比增長100%以上。2025年以后,在AI訓(xùn)練需求和AI推理需求的推動下,HBM的需求將繼續(xù)快速增長,SK海力士公司預(yù)測,在2027年之前,HBM市場將以82%的復(fù)合增長率保持增長。 投資建議 在Chatgpt發(fā)布后,生成式AI實現(xiàn)了爆發(fā)式發(fā)展,HBM是目前唯一滿足AI高性能計算要求的量產(chǎn)存儲方案,其需求將強勁增長,Omdia預(yù)測2023年和2024年的HBM需求量將同比增長100%以上。2025年以后,在AI訓(xùn)練需求和AI推理需求的推動下,HBM的需求將繼續(xù)快速增長,SK海力士公司預(yù)測,在2027年之前,HBM市場將以82%的復(fù)合增長率保持增長。國內(nèi)公司在HBM上游材料領(lǐng)域擁有多項產(chǎn)品,我們建議關(guān)注HBM上游材料環(huán)節(jié)相關(guān)公司,給予HBM行業(yè)“增持”評級。 風險提示 生成式AI應(yīng)用不及預(yù)期;生成式AI技術(shù)進展不及預(yù)期;HBM競爭格局惡化;HBM擴產(chǎn)超預(yù)期
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