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綜述：我們復(fù)盤邏輯、NAND、DRAM三大核心下游的技術(shù)變革和擴(kuò)產(chǎn)周期，以及全球TOP5半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)的成長路徑，定性定量分析半導(dǎo)體設(shè)備成長與下游之間的關(guān)系，對標(biāo)國內(nèi)市場及格局，得出結(jié)論：下游角度長期來看，邏輯和存儲(chǔ)先進(jìn)工藝的突破是半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)成長天花板的關(guān)鍵，也是市場預(yù)期的關(guān)鍵，在先進(jìn)工藝階段掌握核心技術(shù)的設(shè)備企業(yè)將享有市場更高的估值溢價(jià)。
　　全球市場：邏輯圍繞摩爾定律，存儲(chǔ)圍繞3D化+價(jià)格周期
　　2009-2022年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)品市場銷售規(guī)模復(fù)合年增速7.4%，反饋到半導(dǎo)體設(shè)備，全球TOP5企業(yè)ASML/AMAT/Lam/TEL/KLA分別實(shí)現(xiàn)收入復(fù)合增速19.2%/13.4%/23.4%/9.3%/14.9%，體現(xiàn)超越終端產(chǎn)品的高增速。復(fù)盤半導(dǎo)體設(shè)備直接下游邏輯/NAND/DRAM擴(kuò)產(chǎn)，可以發(fā)現(xiàn)：
　　1）邏輯芯片擴(kuò)產(chǎn)重點(diǎn)圍繞“摩爾定律”，2018-2022年先進(jìn)工藝擴(kuò)產(chǎn)給設(shè)備公司帶來更陡峭成長曲線，ASML/AMAT/Lam/TEL/KLA分別實(shí)現(xiàn)相關(guān)銷售收入28%/37%/41%/33%/48%的復(fù)合增速。
　　2）存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)重點(diǎn)圍繞“價(jià)格周期”，其中，NAND芯片2013-2018年3D化滲透驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備公司成長超越“價(jià)格周期”；DRAM進(jìn)入10nm+節(jié)點(diǎn)微縮放緩，擴(kuò)產(chǎn)重點(diǎn)圍繞“價(jià)格周期”，波動(dòng)相對更大。
　　龍頭復(fù)盤：成熟制程完成卡位優(yōu)勢，技術(shù)革新塑造陡峭成長
　　1）ASML：光刻設(shè)備龍頭，受益邏輯/存儲(chǔ)進(jìn)入EUV時(shí)代，2017-2022年EUV設(shè)備銷售收入復(fù)合增速46%，至2022年收入規(guī)模達(dá)到70.8億歐元，占設(shè)備系統(tǒng)收入比例46%。
　　2）AMAT：平臺(tái)化龍頭，邏輯芯片擴(kuò)產(chǎn)最大設(shè)備供應(yīng)商，2022年邏輯/代工相關(guān)銷售收入135.7億美元，占設(shè)備收入比例70%。
　　3）Lam：深耕刻蝕和沉積，NAND芯片擴(kuò)產(chǎn)最大設(shè)備供應(yīng)商，2022年NAND相關(guān)銷售收入74.7億美元，占比39%。
　　4）TEL：日系平臺(tái)化龍頭，2022年半導(dǎo)體設(shè)備銷售收入（不含服務(wù)）中邏輯/DRAM/NAND占比62.5%/17.7%/19.8%，2018-2022年深度受益先進(jìn)邏輯擴(kuò)產(chǎn)。
　　5）KLA：半導(dǎo)體量檢測設(shè)備龍頭，2015年進(jìn)入高速成長期，前期受益存儲(chǔ)，后期受益先進(jìn)邏輯擴(kuò)產(chǎn)。
　　中國市場：國產(chǎn)替代成效顯著，先進(jìn)工藝突破成為天花板關(guān)鍵
　　根據(jù)我們不完全統(tǒng)計(jì)，目前內(nèi)資12寸在建晶圓廠合計(jì)規(guī)劃產(chǎn)能達(dá)175萬片/月，合計(jì)投資金額超1000億美元，其中NAND/DRAM/邏輯代工等投資占比分別為21%/24%/54%。2018年以來，半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代成效顯著，根據(jù)我們的測算，中國大陸國產(chǎn)比例從2018年的約5.2%提升至2022年的14.5%，期間北方華創(chuàng)/中微公司/盛美上海/拓荊科技/華海清科/芯源微半導(dǎo)體設(shè)備相關(guān)收入分別實(shí)現(xiàn)55%/29%/51%/122%/159%/60%的復(fù)合增速，量檢測設(shè)備板塊國產(chǎn)化率仍不足5%。對比全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭，北方華創(chuàng)發(fā)展對標(biāo)應(yīng)用材料，產(chǎn)品布局全面，中微公司對標(biāo)泛林，深耕刻蝕+CVD/ALD領(lǐng)域。下游角度分析，長期來看，未來邏輯和存儲(chǔ)先進(jìn)工藝的突破將成為半導(dǎo)體設(shè)備成長天花板的關(guān)鍵，也是市場預(yù)期的關(guān)鍵，在先進(jìn)工藝階段掌握核心技術(shù)的設(shè)備企業(yè)將享有市場更高的估值溢價(jià)。
　　投資建議：
　　規(guī)?；嵌瓤?，AMAT重點(diǎn)受益先進(jìn)邏輯擴(kuò)產(chǎn)，泛林重點(diǎn)受益存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)；對比國內(nèi)格局，北方華創(chuàng)對標(biāo)應(yīng)用材料，中微對標(biāo)泛林，其中，CVD設(shè)備獨(dú)立于二者由拓荊科技供應(yīng)，因此：
　　1）邏輯設(shè)備角度，推薦：北方華創(chuàng)、拓荊科技；
　　2）存儲(chǔ)設(shè)備角度，推薦：中微公司、拓荊科技；
　　增速角度看，在2018-2022年7/5nm先進(jìn)邏輯擴(kuò)產(chǎn)周期內(nèi)，全球TOP5廠商中KLA增速最高，主要在于工藝微縮給晶圓制造良率提出更高要求，由此帶來量檢測設(shè)備需求增加。
　　對比國內(nèi)市場，量檢測板塊仍處于0-1突破階段，國產(chǎn)化率仍不足5%，未來將首先經(jīng)歷0-1、1-n的國產(chǎn)替代階段，推薦：精測電子、中科飛測。
　　內(nèi)資邏輯/存儲(chǔ)晶圓廠繼續(xù)擴(kuò)產(chǎn)以及國產(chǎn)替代下，其他設(shè)備環(huán)節(jié)也將繼續(xù)受益，建議關(guān)注：華海清科、芯源微、盛美上海、萬業(yè)企業(yè)、至純科技。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：
　　1）終端需求復(fù)蘇不及預(yù)期、中美科技博弈影響海外核心設(shè)備供應(yīng)，從而導(dǎo)致晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)及國產(chǎn)設(shè)備招標(biāo)不及預(yù)期，影響內(nèi)資半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)訂單；
　　2）半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化推進(jìn)不及預(yù)期；
　　3）統(tǒng)計(jì)誤差導(dǎo)致測算數(shù)據(jù)失真；
　　4）本文結(jié)論推導(dǎo)以全球半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)在邏輯/NAND/DRAM擴(kuò)產(chǎn)周期下的發(fā)展驅(qū)動(dòng)為基礎(chǔ)，受發(fā)展環(huán)境、管理風(fēng)格等因素影響，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)實(shí)際發(fā)展可能有所差異。