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AI算力提升拉動(dòng)光模塊需求，上游材料有望受益。AI大模型訓(xùn)練刺激算力需求快速增長(zhǎng)，拉動(dòng)配套基礎(chǔ)設(shè)施（服務(wù)器、交換機(jī)、光模塊）建設(shè)需求，同時(shí)AI應(yīng)用主要對(duì)應(yīng)高速率光模塊需求，驅(qū)動(dòng)光模塊往400G/800G/1.6T的高速率趨勢(shì)迭代。拆分光模塊材料成本結(jié)構(gòu)，光器件成本占比約為73%，電芯片占比約18%，PCB和外殼分別占比5%、4%，其中光芯片（TOSA和ROSA）占光模塊材料成本比重超50%。受益AI算力提升拉動(dòng)光模塊需求，上游材料有望受益。
　　砷化鎵：VCSEL激光器芯片襯底材料。砷化鎵是砷與鎵的化合物，是重要的半導(dǎo)體材料，砷化鎵襯底半導(dǎo)體器件具有高功率密度、低能耗、抗高溫、高發(fā)光效率、抗輻射、高擊穿電壓等特性，因此被廣泛用于生產(chǎn)LED、射頻器件、激光器等器件產(chǎn)品。砷化鎵（GaAs）襯底可用于制作VCSEL面發(fā)射激光器芯片，主要應(yīng)用于光通信（數(shù)據(jù)中心短距離傳輸）和消費(fèi)電子（3D感測(cè)）等領(lǐng)域。
　　磷化銦：光通信領(lǐng)域關(guān)鍵材料。磷化銦是磷和銦的化合物，是重要的半導(dǎo)體材料，磷化銦襯底半導(dǎo)體器件具有飽和電子漂移速度高、發(fā)光波長(zhǎng)適宜光纖低損通信、抗輻射能力強(qiáng)、導(dǎo)熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高、禁帶寬度較高等特性，因此磷化銦襯底被廣泛應(yīng)用于制造光模塊器件、傳感器件、高端射頻器件等。在光通信領(lǐng)域，磷化銦襯底可用于制備激光器芯片、接收器芯片、電光調(diào)制器等。
　　鈮酸鋰：電光調(diào)制器重要材料。鈮酸鋰晶體是重要的無機(jī)材料，經(jīng)過極化處理的鈮酸鋰晶體具有壓電、鐵電、光電、非線性光學(xué)、熱電等多種特性，在聲學(xué)濾波器中和光通信中都有重要應(yīng)用。鈮酸鋰晶體可用于制作鈮酸鋰調(diào)制器芯片，包括體材料鈮酸鋰調(diào)制器和薄膜鈮酸鋰調(diào)制器，薄膜鈮酸鋰調(diào)制器克服了體鈮酸鋰調(diào)制器體積大的局限性，更加適用于電光調(diào)制器高速化、小型化的需求。
　　金屬基復(fù)合材料：光芯片基座重要材料。金屬基復(fù)合材料是重要的電子封裝材料，熱物理性能優(yōu)異，具備高熱導(dǎo)率和低膨脹性，在電子封裝領(lǐng)域有重要應(yīng)用。400G以上光模塊芯片對(duì)散熱要求大幅提高，需要具有低膨脹更高導(dǎo)熱特性的新材料來滿足要求，不同成份的鎢銅合金可以滿足400G、800G、1.6T光模塊需求，大于1.6T的光模塊則需要往更優(yōu)異性能的金剛石/銅復(fù)合材料升級(jí)迭代。
　　投資建議：受益AI算力提升拉動(dòng)數(shù)據(jù)中心等基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)需求，同時(shí)AI驅(qū)動(dòng)光模塊往400G/800G/1.6T的高速率技術(shù)方向迭代，光模塊產(chǎn)業(yè)得到快速發(fā)展，上游光芯片等光模塊核心重要組件也受拉動(dòng)。目前主要光芯片采用磷化銦、砷化鎵、鈮酸鋰等材料制備，光芯片基座為鎢銅合金材料制備，相關(guān)材料有望受益光模塊行業(yè)需求快速發(fā)展帶來成長(zhǎng)機(jī)遇。建議關(guān)注：斯瑞新材（光模塊光芯片基座）、東方鉭業(yè)（鈮酸鋰原材料氧化鈮）、云南鍺業(yè)（化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵和磷化銦）、有研新材（化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵）、天通股份（鈮酸鋰晶體）。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：下游需求波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)，新品研發(fā)不及預(yù)期。