>> 甬興證券-電子行業(yè)周報：AMD發(fā)布MI300X，繼續(xù)關(guān)注HBM產(chǎn)業(yè)鏈-231211
| 上傳日期： |
2023/12/11 |
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| 1056KB |
| 格式： |
pdf 共16頁 |
來源： |
甬興證券 |
| 評級： |
增持 |
作者： |
陳宇哲 |
| 行業(yè)名稱： |
電子 |
| 下載權(quán)限： |
此報告為加密報告 |
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核心觀點
本周核心觀點與重點要聞回顧
HBM：AMD發(fā)布MI300X，具備1.5TB的HBM3內(nèi)存，HBM產(chǎn)業(yè)鏈有望持續(xù)受益。Instinct MI300X加速器由8個MI300X組成，能夠提供高達1.5TB的HBM3內(nèi)存容量。我們認為，MI300X內(nèi)存提升幅度較大，再次佐證HBM或?qū)⒊蔀樘嵘铀倏ㄐ阅艿闹匾绞?，HBM產(chǎn)業(yè)鏈有望持續(xù)受益。
AI可穿戴：Q3華為智能手表出貨量增長56%，AI可穿戴設備市場有望加速發(fā)展。根據(jù)Counterpoint Research報告，2023年第三季度全球智能手表出貨量同比增長9%；華為智能手表整體出貨量同比增長56%，其中搭載HLOS的智能手表大幅成長122%。我們認為，AI可穿戴市場或?qū)⒓铀侔l(fā)展，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈有望持續(xù)受益。
存儲芯片：Q4預計DRAM合約價上漲約13~18%，存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈有望持續(xù)受益。根據(jù)Trendforce報告，展望Q4，供給方面，原廠漲價態(tài)度明確，預估第四季DRAM合約價上漲約13~18%；NANDFlash預估全產(chǎn)品平均銷售單價漲幅將來到13%。我們認為，存儲芯片價格有望繼續(xù)上漲，存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈有望持續(xù)受益。
先進封裝：上?；?qū)⑻嵘囆酒鉁y能力，先進封裝產(chǎn)業(yè)鏈有望持續(xù)受益。上?；?qū)⑷嫣嵘囆酒O計水平，全力打造芯片制造工藝平臺并加快補齊芯片封裝測試能力，積極推進IDM發(fā)展模式。我們認為，隨著汽車電子、AI等產(chǎn)業(yè)發(fā)展，先進封裝產(chǎn)業(yè)鏈有望持續(xù)受益。
市場行情回顧
本周（12.04-12.08），A股申萬電子指數(shù)下跌2.08%，整體跑贏滬深300指數(shù)0.32pct，跑輸創(chuàng)業(yè)板綜指數(shù)0.12pct。申萬電子二級六大子板塊漲跌幅由高到低分別為：消費電子(-1.41%)、元件(-1.46%)、光學光電子(-2.05%)、半導體(-2.2%)、其他電子II(-3.57%)、電子化學品II(-3.93%)。從海外市場指數(shù)表現(xiàn)來看，整體繼續(xù)維持弱勢，海內(nèi)外指數(shù)漲跌幅由高到低分別為：費城半導體(0.96%)、道瓊斯美國科技(0.94%)、納斯達克(0.69%)、臺灣電子(-0.67%)、申萬電子(-2.08%)、恒生科技(-3.26%)。
投資建議
本周我們繼續(xù)看好受益AMD的MI300X發(fā)布的HBM產(chǎn)業(yè)鏈、受益AI賦能的智能可穿戴產(chǎn)業(yè)鏈、以存儲、封裝為代表的半導體周期復蘇主線。
HBM：受益于英偉達發(fā)布H200算力芯片，HBM產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來加速成長，建議關(guān)注賽騰股份、壹石通、聯(lián)瑞新材、華海誠科等；AI可穿戴：受益于AI+可穿戴帶來的創(chuàng)新體驗和銷量提升，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈有望加速受益，建議關(guān)注漫步者、博碩科技、科大訊飛、國光電器、領(lǐng)益智造等；
存儲芯片：存儲板塊目前存在三因素共振：供應端推動NAND產(chǎn)品漲價；庫存逐漸回到正常水位；AI帶動HBM與DDR5需求上升。建議關(guān)注東芯股份、江波龍、深科技、德明利、兆易創(chuàng)新等；先進封裝：半導體大廠持續(xù)布局先進封裝，產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)公司有望受益并迎來加速成長，建議關(guān)注甬矽電子、晶方科技、藍箭電子、通富微電、長電科技等。
風險提示
中美貿(mào)易摩擦加劇、下游終端需求不及預期、國產(chǎn)替代不及預期等。
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