>> 上海證券-電子行業(yè)周報(bào)：大廠競(jìng)逐2nm時(shí)代，本土晶圓代工產(chǎn)業(yè)鏈有望強(qiáng)化-240102
| 上傳日期： |
2024/1/3 |
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| 格式： |
pdf 共14頁(yè) |
來(lái)源： |
上海證券 |
| 評(píng)級(jí)： |
增持 |
作者： |
馬永正 |
| 行業(yè)名稱(chēng)： |
電子 |
| 下載權(quán)限： |
此報(bào)告為加密報(bào)告 |
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核心觀點(diǎn)
市場(chǎng)行情回顧
過(guò)去一周（12.25-12.29），SW電子指數(shù)上漲3.68%，板塊整體跑贏滬深300指數(shù)0.87 pct，從六大子板塊來(lái)看，光學(xué)光電子、電子化學(xué)品II、消費(fèi)電子、元件、其他電子Ⅱ、半導(dǎo)體漲跌幅分別為6.89%、3.55%、6.42%、3.63%、2.65%、1.44%。
核心觀點(diǎn)
先進(jìn)制程：2nm快速推進(jìn)背景下的光刻機(jī)與納米壓印，先進(jìn)制程的競(jìng)爭(zhēng)格局有望出現(xiàn)改變。12月26日，據(jù)日經(jīng)亞洲報(bào)道，隨著先進(jìn)制程的持續(xù)推進(jìn)，每個(gè)新的制程節(jié)點(diǎn)的成本都在提升，并且提升的幅度越來(lái)越大。研究機(jī)構(gòu)International Business Strategies(IBS)的分析認(rèn)為，下一代的2nm制程的成本將會(huì)比目前的3nm制程上漲高達(dá)50%，最終導(dǎo)致2nm晶圓的價(jià)格將達(dá)到3萬(wàn)美元。IBS經(jīng)過(guò)估算認(rèn)為，建造一座月產(chǎn)能5萬(wàn)片2nm晶圓的晶圓廠所需要的成本大約為280億美元，而同樣產(chǎn)能的3nm晶圓廠的建造成本約為200億美元。其中，成本的提高主要來(lái)自于價(jià)格高昂的ASMLEUV光刻機(jī)數(shù)量的增加。由于2nm制程相比3nm制程擁有更為精細(xì)的晶體管結(jié)構(gòu)，若需保持原有的生產(chǎn)效率，將不可避免的需要使用到更多先進(jìn)制程制造設(shè)備。
12月25日，據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)觀察援引日本經(jīng)濟(jì)新聞對(duì)佳能半導(dǎo)體機(jī)器業(yè)務(wù)部長(zhǎng)巖本和德的采訪，納米壓印是把刻有半導(dǎo)體電路圖的掩膜壓印到晶圓上，在晶圓上只壓印1次，就可以在合適的位置形成復(fù)雜的二維或三維電路。如果改進(jìn)掩膜，甚至可以生產(chǎn)電路線寬為2nm的產(chǎn)品。根據(jù)我們往期的研究，納米壓印設(shè)備由于不需要復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng)和昂貴的光源，因此相對(duì)傳統(tǒng)光刻機(jī)能夠更簡(jiǎn)單、更緊湊、更便宜，此外，納米壓印光刻設(shè)備體積較小，或可以在有限的空間區(qū)域設(shè)置多臺(tái)設(shè)備以提高生產(chǎn)效率。當(dāng)下納米壓印設(shè)備受到了半導(dǎo)體廠商、大學(xué)、研究所的關(guān)注，這些機(jī)構(gòu)為了早日實(shí)現(xiàn)微細(xì)化而進(jìn)行研發(fā)，但引進(jìn)EUV（極紫外線）光刻設(shè)備需要龐大成本，作為替代措施納米壓印備受期待。根據(jù)共研網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，2022年全球納米壓印市場(chǎng)規(guī)模已經(jīng)達(dá)到了22.9億美元，預(yù)計(jì)隨著終端應(yīng)用的逐步推廣，該市場(chǎng)有望在2029年達(dá)到55.9億美元。納米壓印目前主要應(yīng)用于XR、存儲(chǔ)以及LED等領(lǐng)域，佳能是該細(xì)分市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者，并將精力主要放在半導(dǎo)體方向。納米壓印當(dāng)下還存在掩膜生產(chǎn)以及粒子垃圾處理等問(wèn)題，距離大規(guī)?；慨a(chǎn)仍然需要技術(shù)端的完善，我們認(rèn)為隨著納米壓印產(chǎn)業(yè)鏈的逐步完善，其在半導(dǎo)體光刻乃至更多領(lǐng)域的應(yīng)用有望得到推廣，但撼動(dòng)發(fā)展成熟的EUV光刻機(jī)在先進(jìn)制程領(lǐng)域的地位尚需時(shí)間。
目前英特爾、三星都在積極推進(jìn)2nm制程的量產(chǎn)，我們認(rèn)為臺(tái)積電在尖端制程晶圓代工市場(chǎng)的壟斷地位或在可預(yù)見(jiàn)的2-3年內(nèi)受到挑戰(zhàn)，市場(chǎng)格局的改變和產(chǎn)能的多源化也有望加快2nm晶圓降本進(jìn)程。
晶圓代工：本土Fabless與IDM之爭(zhēng)下的晶圓代工。12月25日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫引述了格科微董事長(zhǎng)趙立新對(duì)公司自建工廠的說(shuō)明，為了突破高端圖像傳感器工藝的知識(shí)產(chǎn)權(quán)壟斷和制造壁壘，歷經(jīng)三年，格科微臨港于此前正式落地，其12英寸CIS（CMOS圖像傳感器）集成電路特色工藝產(chǎn)線順利開(kāi)通，公司也由此成功轉(zhuǎn)型為Fab-Lite（輕晶圓廠）模式，F(xiàn)ab-Lite，則是介于Fabless模式與IDM模式之間的經(jīng)營(yíng)模式，即在晶圓制造、封裝及測(cè)試環(huán)節(jié)采用自行建廠和委外加工相結(jié)合的方式。趙立新還表示，半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司的核心競(jìng)爭(zhēng)力有三個(gè)，分別為：以技術(shù)支撐的品牌、獨(dú)特的銷(xiāo)售渠道和折舊后的自有工廠。趙立新認(rèn)為，絕對(duì)的成本就是工廠，如果工廠折舊完了或者利用Foundry（晶圓代工廠）閑置時(shí)候的產(chǎn)能，可以拿到非常好的成本結(jié)構(gòu)。
一般而言，A股大部分芯片設(shè)計(jì)公司均為Fabless模式。CIS國(guó)內(nèi)龍頭韋爾股份，同樣采取Fabless模式。不過(guò)，CIS領(lǐng)域另外兩大龍頭索尼和三星，均為IDM模式。從格科微的規(guī)劃不難看出，由于對(duì)成本控制的需求增強(qiáng)，自建產(chǎn)能成為了業(yè)務(wù)體量擴(kuò)大后的最優(yōu)選擇。在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域這一趨勢(shì)則更加明顯，即頭部廠商傾向于采取IDM模式，穩(wěn)定的產(chǎn)能供應(yīng)、較短的交貨周期、更強(qiáng)的設(shè)計(jì)生產(chǎn)能力的適應(yīng)性，對(duì)于體量和出貨規(guī)模龐大的半導(dǎo)體供應(yīng)商尤為重要，如時(shí)代電氣、華潤(rùn)微以及比亞迪半導(dǎo)體等；而體量相對(duì)較小的廠商如新潔能、宏微科技則選擇Fabless模式。本土功率大廠斯達(dá)半導(dǎo)也在2021年選擇由Fabless轉(zhuǎn)型IDM以強(qiáng)化自身對(duì)供應(yīng)鏈（成本規(guī)劃、產(chǎn)能交付）的控制。相比之下，F(xiàn)abless模式雖有資產(chǎn)輕、風(fēng)險(xiǎn)小等優(yōu)點(diǎn)，但對(duì)代工廠的可靠性有較高要求。根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫數(shù)據(jù)表明，2023Q2，大陸三大代工廠中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體以及晶合集成的全球市占率不足10%，作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的重要環(huán)節(jié)，本土晶圓代工整體規(guī)模仍有提高的必要性，以強(qiáng)化對(duì)Fabless模式廠商的支持。
2024年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇有望成為本土晶圓代工快速發(fā)展的一年。據(jù)此前群智咨詢(xún)（Sigmaintell）的預(yù)測(cè)，2023年四季度全球主要純晶圓代工廠平均產(chǎn)能利用率預(yù)計(jì)將達(dá)到84%，相比上季度增加約一個(gè)百分點(diǎn)；且隨著半導(dǎo)體行業(yè)庫(kù)存水位逐步下降，IC設(shè)計(jì)公司投片量緩慢回升，疊加2024年下游需求平穩(wěn)恢復(fù)預(yù)期，半導(dǎo)體市
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