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硅光子技術(shù)具備低成本、傳播速度快等特點(diǎn)
　　硅光子技術(shù)可以將電換成傳輸速度更快的光，實(shí)現(xiàn)更快的傳輸速率、更遠(yuǎn)的傳輸距離以及更低的功耗和延遲。根據(jù)C114通信網(wǎng)，硅光芯片有三大優(yōu)勢(shì)：集成度高、成本下降潛力大、波導(dǎo)傳輸性能優(yōu)異。
　?、俟韫庾蛹夹g(shù)具有更高的集成度及更多嵌入式功能，可提升芯片的集成度。
　?、诠韫庾有酒A(chǔ)材料只需硅基材料，大規(guī)模生產(chǎn)可降低成本。
　　③硅對(duì)1.1-1.6μm通信波段透明，具有優(yōu)異的波導(dǎo)傳輸特性，折射率高可形成大折射率差。
　　數(shù)據(jù)中心為硅光主要應(yīng)用場(chǎng)景
　　Yole指出，2022年，硅光芯片市場(chǎng)價(jià)值為6800萬美元，預(yù)計(jì)到2028年將超過6億美元，2022年—2028年的復(fù)合年均增長(zhǎng)率為44%。推動(dòng)這一增長(zhǎng)的主要因素是用于高速數(shù)據(jù)中心互聯(lián)和對(duì)更高吞吐量及更低延遲需求的機(jī)器學(xué)習(xí)的800G可插拔光模塊。
　　產(chǎn)業(yè)巨頭加速布局硅光
　　英特爾引領(lǐng)硅光子技術(shù)在100G時(shí)代大放異彩。根據(jù)OFweek光學(xué)網(wǎng)2023年9月報(bào)告，臺(tái)積電計(jì)劃攜手博通、英偉達(dá)等大客戶共同開發(fā)硅光子技術(shù)、共同封裝光學(xué)元件（CPO）等新產(chǎn)品。制程技術(shù)從45nm延伸到7nm，最快2024下半年開始迎來大單，并在2025年左右達(dá)到放量階段。國(guó)內(nèi)中際旭創(chuàng)、新易盛等光模塊頭部公司積極布局硅光產(chǎn)業(yè)。
　　硅光在激光雷達(dá)領(lǐng)域的應(yīng)用尚處在研發(fā)階段
　　現(xiàn)階段激光雷達(dá)主要分為兩類：一類基于905nm利用大面積SPAD陣列直接成像；另一類基于1550nm的固態(tài)FMCW和相干接收的激光雷達(dá)。FMCW激光雷達(dá)可以避免傳統(tǒng)雷達(dá)的高功率激光對(duì)人眼的危害，靈敏度更高，抗干擾性更強(qiáng)。根據(jù)新思界，F(xiàn)MCW激光雷目前尚處于研發(fā)階段，未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用。
　　硅光子基于可用于光子計(jì)算芯片VR、片間互聯(lián)
　　CINNOResearch預(yù)測(cè)2025年全球AR/VR硅基OLED顯示面板市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到16.7億美元。另一方面，Ayar Labs的TeraPHY外接光電收發(fā)器可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心的計(jì)算背板/模塊間的高速光互聯(lián)，而CMOS硅光器件可以用于片上/die間計(jì)算集成的PHY高速互聯(lián)。當(dāng)前電子城高科與光子算數(shù)正合作建設(shè)光電芯片封裝測(cè)試驗(yàn)證平臺(tái)，目前平臺(tái)第一階段建設(shè)已完成，具備光電芯片基本測(cè)試封裝能力。光子芯片的龍頭產(chǎn)業(yè)賽微電子已具備量產(chǎn)硅光子芯片的能力。
　　投資建議
　　數(shù)據(jù)中心是硅光最主要的市場(chǎng)，建議關(guān)注長(zhǎng)期布局硅光技術(shù)的光模塊廠商：中際旭創(chuàng)；天孚通信；新易盛。
　　布局國(guó)內(nèi)CW大功率光源的光芯片廠商：源杰科技（CW）、仕佳光子（AWG+CW）。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：AI需求不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn);產(chǎn)品研發(fā)不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn);硅光芯片量產(chǎn)不及預(yù)期;競(jìng)爭(zhēng)激烈風(fēng)險(xiǎn)。