>> 東吳證券-電子行業(yè)深度報告:AI拉動景氣度向上疊加業(yè)績拐點,存儲板塊成長動能充足-240305
| 上傳日期: |
2024/3/5 |
大小: |
1562KB |
| 格式: |
pdf 共24頁 |
來源: |
東吳證券 |
| 評級: |
超配 |
作者: |
馬天翼,金晶 |
| 行業(yè)名稱: |
電子 |
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無限制-登錄即可下載 |
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存儲產品價格持續(xù)上漲,有望打開量價齊升局面。伴隨海外大廠持續(xù)降低稼動率、去庫存,存儲板塊自23Q3觸底反彈進入漲價上行通道。DRAM、NAND顆粒價格均自23Q4起漲,Wafer漲價趨勢明顯。隨著海外大廠積極減產提價疊加AI催化,下游拉貨意愿強烈,存儲市場供不應求行情顯著。隨著需求的進一步回暖,漲價有望持續(xù),量價齊升。此外,HBM、DDR5等高附加值產品滲透率逐步提升,有望拉動存儲價格進一步上漲。 行業(yè)整體回暖,國內模組廠業(yè)績拐點已現。1)海外市場:收入端,存儲行業(yè)下行導致多家企業(yè)的營收出現下跌,但AI發(fā)展帶來了對服務器和移動端產品的高需求,部分公司業(yè)績回彈。利潤端,2023年Q1行業(yè)整體毛利率大幅下降,企業(yè)通過提升產品ASP成功提升盈利能力。各公司通過成本管理收窄虧損額,行業(yè)逐步回暖。頭部公司的庫存周轉天數下降,預示市場環(huán)境逐步改善。產品端,NAND業(yè)務2024Q1稼動率仍較低,而HBM和DDR5產能有所回升,資本支出將聚焦于這一領域。整體來看,DRAM和NAND供給逐季減少,產品市場價格有望提升,根據TrendForce預測,NANDFlash2024Q1合約價季漲幅為18%-23%,DRAMQ1漲幅13-18%。2)國內市場:業(yè)績方面23Q3絕大部分廠商都實現了環(huán)比增長,部分廠商營收實現同比增長,隨著23年業(yè)績預告逐步公告,模組廠Q4已經迎來業(yè)績拐點。 智能手機、PC等下游需求改善疊加HBM等新品需求提升,存儲行業(yè)成長動能充足。隨著數字化的發(fā)展,智能手機、智能穿戴設備、PC、服務器等產品需求量增加,帶動了存儲芯片的需求增長。2023Q4全球智能手機出貨量達到3.261億臺,可穿戴設備2023Q3全球出貨量同比增長2.6%,達到1.5億臺。根據Gartner數據,2023Q4全球PC出貨量總計6330萬臺,比2022Q4增長0.3%。根據IDC數據,預計服務器2026年全球市場規(guī)模和出貨量將達到1665.0億美元和1885.1萬臺。 投資建議:市場擔心前期存儲板塊漲價主要系海外原廠控產導致,持續(xù)性堪憂,但我們認為下游需求逐步回暖疊加HBM新品需求及DDR5滲透率持續(xù)提升,存儲板塊成長動能持續(xù)接力。存儲國產化勢在必行,重點關注存儲產業(yè)鏈。通過對產業(yè)鏈主要玩家減產動作、庫存及漲價傳導業(yè)績改善觀測,大廠HBM及DDR5等新品擴產明確,國產化存儲產品突破、AI及下游需求回暖等持續(xù)催化,我們在當前時點看好存儲漲價傳導業(yè)績反彈及AI算力存儲國產主線。伴隨下游AI服務器、新能源汽車等新需求及消費電子、家電、工控等多領域需求復蘇催化拉動,基于產業(yè)配套及國產化替代等邏輯,我們認為存儲板塊重點看兩條主線:1)漲價邏輯業(yè)績反彈標的:佰維存儲(Q4毛利率環(huán)比提升超過13pcts)、德明利(全年扭虧,第四季度凈利潤大幅增長)、江波龍(營收破百億元,四季度扭虧為盈)、普冉股份等。2)HBM及AI算力存儲國產化相關標的:佰維存儲(研發(fā)封測一體化廠商)、朗科科技(國內大灣區(qū)算力樞紐核心存儲模組廠商)、香農芯創(chuàng)(海力士國內核心分銷商)、萬潤科技(與國內存儲大廠密切合作)、同有科技、瀾起科技等。 風險提示:漲價傳導不及預期風險;宏觀經濟形勢變化風險;龍頭廠商減產不及預期風險;下游復蘇不及預期風險。
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