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事件概述：3月18日，中微公司發(fā)布2023年報(bào)。公司2023年實(shí)現(xiàn)營收62.64億元，同比增長32.15%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤17.86億元，同比增長52.67%，實(shí)現(xiàn)扣非凈利潤11.91億元，同比增長29.58%。
　　刻蝕收入強(qiáng)勁增長，訂單飽滿。公司作為國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭，在2023年以來不斷拓寬工藝覆蓋率，實(shí)現(xiàn)收入的穩(wěn)健高增。2023年Q4單季度，公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入22.22億元，同比增長30.94%，環(huán)比增長46.67%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤6.26億元，同比增長66.05%，環(huán)比增長298.73%。2023年整體毛利率45.83%，23Q4單季度毛利率45.82%，均穩(wěn)定保持在較高的水平。
　　從收入結(jié)構(gòu)上看，2023年公司刻蝕設(shè)備收入47.03億元，同比增長49.43%，貢獻(xiàn)主要收入增量；MOCVD業(yè)務(wù)收入4.62億元，同比下降33.95%。訂單方面，2023年公司全年新簽訂單83.6億元，同比增長32.3%，其中刻蝕設(shè)備新簽訂單69.5億元，同比增長60.1%，貢獻(xiàn)主要增量。較高的訂單增速為2024年業(yè)績持續(xù)增長提供保障。
　　刻蝕主業(yè)技術(shù)領(lǐng)先，持續(xù)突破先進(jìn)工藝。公司在刻蝕設(shè)備賽道擁有行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)實(shí)力和先進(jìn)制程能力，近期取得了多種先進(jìn)工藝突破：
　　1）CCP刻蝕：大馬士革刻蝕已經(jīng)進(jìn)入國內(nèi)領(lǐng)先的邏輯晶圓廠客戶進(jìn)行現(xiàn)場驗(yàn)證，進(jìn)展順利；超高深寬比刻蝕設(shè)備已在產(chǎn)線上驗(yàn)證出具備60:1以上深寬比工藝能力，可用于DRAM和3DNAND制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
　　2）ICP刻蝕：推出兩款新型號ICP設(shè)備，提升在先進(jìn)邏輯芯、先進(jìn)DRAM和3DNAND中的工藝覆蓋率，其中面向DRAM中的高深寬比多晶硅掩膜刻蝕的ICP設(shè)備在客戶產(chǎn)線驗(yàn)證成功，取得批量重復(fù)訂單。
　　薄膜新品拓展順利，工藝覆蓋率持續(xù)提升?？涛g主業(yè)之外，公司布局了多款薄膜設(shè)備新品，客戶推廣進(jìn)展順利：
　　1）LPCVD：首臺CVD鎢設(shè)備通過驗(yàn)證，取得重復(fù)訂單，并開發(fā)出用于高端存儲器的高深寬比鎢填充設(shè)備，通過客戶驗(yàn)證，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)對存儲器件中所有鎢制程的覆蓋。
　　2）ALD：用于高端存儲和邏輯器件ALD鎢設(shè)備通過驗(yàn)證，用于高端存儲和先進(jìn)邏輯的ALD氮化鈦設(shè)備驗(yàn)證順利。
　　3）EPI：用先進(jìn)制程鍺硅外延生長工藝的EPI設(shè)備已經(jīng)進(jìn)入工藝驗(yàn)證和客戶驗(yàn)證階段。
　　投資建議：我們預(yù)計(jì)公司2024-2026年?duì)I收分別為85.20/118.67/157.84億元，歸母凈利潤分別為20.43/27.29/36.14億元，對應(yīng)現(xiàn)價(jià)PE分別為47/35/27倍，我們看好公司在半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程中的領(lǐng)先優(yōu)勢，維持“推薦”評級。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：產(chǎn)品驗(yàn)證不及預(yù)期；下游行業(yè)周期性波動；市場競爭加劇。