>> 方正證券-電子行業(yè)專題報(bào)告-存儲(chǔ)專題跟蹤：HBM引領(lǐng)AI存力擴(kuò)容，產(chǎn)品切換加劇產(chǎn)能緊缺！-240405
| 上傳日期： |
2024/4/7 |
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| 2312KB |
| 格式： |
pdf 共26頁(yè) |
來源： |
方正證券 |
| 評(píng)級(jí)： |
推薦 |
作者： |
佘凌星,鄭震湘 |
| 行業(yè)名稱： |
電子 |
| 下載權(quán)限： |
此報(bào)告為加密報(bào)告 |
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存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)上漲?，F(xiàn)貨價(jià)格來看，Nand Flash Wafer價(jià)格持續(xù)上揚(yáng)。以1Tb Flash Wafer為例，2023年3月13日的現(xiàn)貨均價(jià)2.78美元，到2024年3月18日上升至6.39美元,漲幅達(dá)98.4%。DRAM價(jià)格同樣全線上漲，以DDR516G(2Gx8)4800/5600為例，最新現(xiàn)貨均價(jià)為4.69美元，較24年1月2日上漲10.4%。我們預(yù)計(jì)隨著AI等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅苡?jì)算的需求，DDR5產(chǎn)品有望迎來量?jī)r(jià)齊升。合約價(jià)來看，TrendForce預(yù)計(jì)24Q2 NANDFlash合約價(jià)格將大幅上漲13%-18%，其中企業(yè)級(jí)SSD漲幅最高，達(dá)20-25%。DRAMQ2合約價(jià)預(yù)計(jì)季增3-8%。4月3日中國(guó)臺(tái)灣花蓮海域地震，從FAB廠分布來看，除臺(tái)積電、聯(lián)電兩大Foundry外，中國(guó)臺(tái)灣FAB產(chǎn)能主要為存儲(chǔ)，其中包括美光DRAM的主要產(chǎn)能，以及南亞、華邦、旺宏三家利基型存儲(chǔ)的產(chǎn)能，后續(xù)或面臨產(chǎn)線檢修影響。結(jié)合近期三星上調(diào)企業(yè)級(jí)SSD漲幅，24Q1利基存儲(chǔ)價(jià)格拐點(diǎn)已現(xiàn)，我們繼續(xù)強(qiáng)烈看多存儲(chǔ)板塊。
AI加速存力擴(kuò)容，產(chǎn)品切換加劇產(chǎn)能緊缺。站在當(dāng)前時(shí)點(diǎn)對(duì)比上一輪周期，技術(shù)端來看，AI服務(wù)器需求快速增長(zhǎng)，由此帶動(dòng)HBM加速迭代，數(shù)據(jù)中心SSD及DRAM也在持續(xù)升級(jí)，由此滿足新一代數(shù)據(jù)中心及智能設(shè)備終端的產(chǎn)品需求。需求端來看，HBM產(chǎn)能已排至2025年，服務(wù)器、PC、智能手機(jī)仍處于AI全面滲透的早期階段，AIPhone、AIPC都將在2024~2025年開啟放量，由此在未來幾年全面帶動(dòng)各大應(yīng)用領(lǐng)域的存儲(chǔ)容量加速擴(kuò)張。從供給端來看，原廠處于產(chǎn)能切換的關(guān)鍵期，DRAM產(chǎn)能從DDR4向DDR5切換，將造成產(chǎn)能自然消耗30%，而HBM晶圓產(chǎn)能消耗是DDR5的3倍，將進(jìn)一步加劇存儲(chǔ)產(chǎn)能緊缺。原廠謹(jǐn)慎規(guī)劃資本開支，24年新增資本開支主要用于高端產(chǎn)品產(chǎn)能擴(kuò)張。產(chǎn)能緊缺伴隨需求持續(xù)增長(zhǎng)，將推動(dòng)存儲(chǔ)價(jià)格持續(xù)上行。
HBM供不應(yīng)求，三大原廠競(jìng)逐HBM3E。SK海力士預(yù)計(jì)中長(zhǎng)期內(nèi)HBM需求的年增長(zhǎng)率將達(dá)到約60%，三星預(yù)測(cè)2026年HBM出貨量比2023年高13.8倍，2028年HBM年比2023年高23.1倍。盡管SK海力士、三星電子和美光科技均在積極擴(kuò)產(chǎn)，但HBM供應(yīng)依舊緊張。SK海力士表示2024年HBM產(chǎn)能已售罄，美光也表示2024年HBM產(chǎn)能已全部售罄，且2025年大部分產(chǎn)能也已分配完。同時(shí)三大家也正在推進(jìn)HBM3E及最新產(chǎn)品的測(cè)試及量產(chǎn)。SK海力士當(dāng)前HBM3E已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，預(yù)計(jì)HBM長(zhǎng)期需求增長(zhǎng)率超60%，同時(shí)公司已攜手臺(tái)積電，合作開發(fā)HBM4。美光宣布已開始量產(chǎn)HBM3E，并于2024Q2開始出貨。三星已開始向客戶提供HBM3E 12H樣品，預(yù)計(jì)24H2開始大規(guī)模量產(chǎn)。
大廠產(chǎn)能切換逐步退出利基市場(chǎng)，利基存儲(chǔ)價(jià)格拐點(diǎn)已至。臺(tái)系廠商月度營(yíng)收同比顯著增長(zhǎng)，華邦電及南亞科2月營(yíng)收分別為62.7億及30.51億新臺(tái)幣，同比分別增長(zhǎng)8.0%和50.6%。華邦電表示SLCNAND和利基DRAM市場(chǎng)的需求正在逐漸增強(qiáng)，公司的中長(zhǎng)期業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)仍然穩(wěn)??；南亞科表示針對(duì)工業(yè)和汽車應(yīng)用的DDR3產(chǎn)品ASP有所改善，預(yù)計(jì)24年市場(chǎng)需求和價(jià)格有望持續(xù)逐季上升。我們預(yù)計(jì)伴隨原廠產(chǎn)能轉(zhuǎn)至HBM及DDR5等最新產(chǎn)品，利基存儲(chǔ)供給端格局有望改善，SLC、中高容量NOR、以及DDR3等產(chǎn)品經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間的價(jià)格調(diào)整和庫(kù)存消化，伴隨Q2需求復(fù)蘇，有望迎來價(jià)格拐點(diǎn)。
投資建議：見尾頁(yè)投資建議章節(jié)。
風(fēng)險(xiǎn)提示：下游需求不及預(yù)期，研發(fā)進(jìn)度不及預(yù)期，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇。
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