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AI拉動HBM需求，HBM是AI領(lǐng)域理想的內(nèi)存解決方案。AI大模型出現(xiàn)之后，傳統(tǒng)帶寬標(biāo)準(zhǔn)DDR和移動類LPDDR顯然已經(jīng)完全無法滿足AI芯片的需求。此時(shí)3D堆棧的HBM可以為AI芯片提供更大的內(nèi)存帶寬和更低功耗，從帶寬上講，HBM提供的高帶寬能夠確保數(shù)據(jù)在處理器和存儲器之間快速傳輸，從而提高整體的計(jì)算效率；從功耗上講，HBM具有較短的數(shù)據(jù)傳輸距離，功耗顯著低于GDDR6等，為數(shù)據(jù)中心以及邊緣端計(jì)算節(jié)省功耗。此外HBM還具有快速訪問和低延遲等特性，都是AI所需。根據(jù)海力士預(yù)測，到2027年全球HBM市場規(guī)模將會超120億美元，5年CAGR超25%。從HBM技術(shù)迭代情況來看，HBM3E相較HBM2在功耗、帶寬、可擴(kuò)展性都有改進(jìn)，英偉達(dá)B200搭配8顆HBM3e芯片。
　　目前HBM主要設(shè)計(jì)工藝是TSV、MicroBump、混合鍵合等環(huán)節(jié)。HBM相較于傳統(tǒng)的flipchip或sip等封裝，采用多層堆疊的設(shè)計(jì)，通過TSV技術(shù)將多個(gè)DRAM層堆疊在一起，并與邏輯芯片通過中介層連接。這種設(shè)計(jì)顯著提高了內(nèi)存的帶寬和容量，同時(shí)減少了占用的空間。TSV（Through SiliconVia，硅通孔技術(shù)）是在硅片中鉆制微小通孔，并在這些孔洞中填充導(dǎo)電材料（如銅、鎢或多晶硅），從而創(chuàng)建垂直電氣互連，以實(shí)現(xiàn)不同層之間或硅片與其他組件之間的垂直電氣連接。MicroBump是微凸塊，是在芯片上制造微小凸塊來連接芯片與焊盤，這些凸點(diǎn)非常小，直徑小至幾微米。這個(gè)方式相較傳統(tǒng)的打線封裝，具有更高的端口密度，減少了信息傳輸路徑。
　　HBM工藝相關(guān)材料硅微粉、電鍍液、前驅(qū)體等材料用量提升。由于這些工藝都屬于新增范疇，所以這些工藝所需要的材料在HBM需求量增加的情況下會有相應(yīng)提升。首先硅微粉來看，硅微粉是以結(jié)晶石英、熔融石英等為原料，經(jīng)研磨、精密分級、除雜等多道工藝加工而成的二氧化硅粉體材料，具有高耐熱、高絕緣、低線性膨脹系數(shù)和導(dǎo)熱性好等性能，系一種性能優(yōu)異的無機(jī)非金屬功能性填料，可被廣泛用于覆銅板、環(huán)氧塑封料、電工絕緣材料、膠粘劑、陶瓷和涂料等領(lǐng)域。
　　投資建議：建議關(guān)注目前涉及HBM產(chǎn)業(yè)鏈材料的雅克科技（前驅(qū)體）、聯(lián)瑞新材（硅微粉）、興森科技（IC載板）、艾森股份（電鍍液）、華海誠科（環(huán)氧塑封料）等。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：市場競爭加劇，半導(dǎo)體行業(yè)周期波動，市場風(fēng)險(xiǎn)偏好下降