>> 山西證券-電子行業(yè)深度報告：先進(jìn)封裝大勢所趨，國產(chǎn)供應(yīng)鏈機(jī)遇大于挑戰(zhàn)-240617
| 上傳日期： |
2024/6/17 |
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| 3514KB |
| 格式： |
pdf 共33頁 |
來源： |
山西證券 |
| 評級： |
推薦 |
作者： |
徐怡然,高宇洋,傅盛盛 |
| 行業(yè)名稱： |
電子 |
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投資要點：
摩爾定律面臨一系列瓶頸。摩爾定律指引過去五十多年全球半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，但當(dāng)前也面臨著一系列瓶頸。（1）芯片內(nèi)單個晶體管大小逼近原子極限，硅芯片將達(dá)到物理極限；（2）當(dāng)柵極寬度小于5nm時，將會產(chǎn)生隧道效應(yīng)，電子會自行穿越通道，從而造成“0”、“1”邏輯錯誤；（3）單位面積的功耗會由于晶體管集成度提高而提高，溫度太高影響晶體管性能；（4）5nm制程的芯片設(shè)計需要超過5億美元成本，制造成本更高。
先進(jìn)封裝是超越摩爾定律、提升芯片性能的關(guān)鍵。先進(jìn)封裝也稱為高密度封裝，通過縮短I/O間距和互聯(lián)長度，提高I/O密度，進(jìn)而實現(xiàn)芯片性能的提升。相比傳統(tǒng)封裝，先進(jìn)封裝擁有更高的內(nèi)存帶寬、能耗比、性能，更薄的芯片厚度，可以實現(xiàn)多芯片、異質(zhì)集成、芯片之間高速互聯(lián)。英偉達(dá)從2020年開始采用臺積電CoWoS技術(shù)封裝其A100GPU系列產(chǎn)品，相比上一代產(chǎn)品V100，A100在BERT模型的訓(xùn)練上性能提升6倍，BERT推斷時性能提升7倍。Bump、RDL、TSV、Hybrid Bonding是實現(xiàn)先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)。WLP、2.5D、3D是當(dāng)前主流的幾種先進(jìn)封裝技術(shù)。
先進(jìn)封裝大勢所趨，AI加速其發(fā)展。先進(jìn)封裝技術(shù)的應(yīng)用范圍廣泛，涵蓋了移動設(shè)備、高性能計算、物聯(lián)網(wǎng)等多個領(lǐng)域?，F(xiàn)代智能手機(jī)中大量使用了CSP和3D封裝技術(shù)，以實現(xiàn)高性能、低功耗和小尺寸的目標(biāo)；在高性能計算領(lǐng)域，2.5D和3D集成技術(shù)被廣泛應(yīng)用于處理器和存儲器的封裝，顯著提升了計算性能和數(shù)據(jù)傳輸效率。Yole預(yù)計，全球先進(jìn)封裝市場規(guī)模有望從2023年的468.3億美元增長到2028年的785.5億美元。得益于AI對高性能計算需求的快速增長，通信基礎(chǔ)設(shè)施是先進(jìn)封裝增長最快的領(lǐng)域，2022-2028年預(yù)計實現(xiàn)17%的復(fù)合增長。
內(nèi)資封測廠商積極布局先進(jìn)封裝，國產(chǎn)設(shè)備、材料環(huán)節(jié)持續(xù)獲得技術(shù)突破。封裝，海外Foundry在2.5D/3D封裝、混合鍵合等技術(shù)方面較為領(lǐng)先；內(nèi)資封測廠更熟悉后道環(huán)節(jié)、異質(zhì)異構(gòu)集成，因此在SiP、WLP等技術(shù)相對有優(yōu)勢，同時也在積極布局2.5D/3D、Chiplet等。設(shè)備，相較于先進(jìn)制造，先進(jìn)封裝對制程節(jié)點要求不高，國產(chǎn)設(shè)備基本具備前段核心工藝與后段封裝測試的自主發(fā)展能力與進(jìn)口替代潛力。材料，關(guān)鍵材料性能要求升級，國產(chǎn)廠商在電鍍液、CMP材料、光刻膠、掩膜版、剝離液、環(huán)氧塑封料、硅微粉、玻璃基板等領(lǐng)域替代在加快。
投資建議：封裝環(huán)節(jié)建議關(guān)注長電科技、通富微電、華天科技、晶方科技、甬矽電子、頎中科技、匯成股份等。設(shè)備環(huán)節(jié)建議關(guān)注北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技、芯源微、盛美上海、華海清科、芯碁微裝、中科飛測等。材料環(huán)節(jié)建議關(guān)注上海新陽、安集科技、鼎龍股份、華海誠科、聯(lián)瑞新材、艾森股份、沃格光電等。
風(fēng)險提示：需求波動風(fēng)險、競爭加劇風(fēng)險、研發(fā)進(jìn)展不及預(yù)期風(fēng)險、國際政治貿(mào)易風(fēng)險等。
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