>> 甬興證券-存儲芯片行業(yè)周度跟蹤：企業(yè)級需求支撐NAND價格，三星電子開發(fā)定制HBM-240715
| 上傳日期： |
2024/7/16 |
大小： |
672KB |
| 格式： |
pdf 共10頁 |
來源： |
甬興證券 |
| 評級： |
增持 |
作者： |
陳宇哲 |
| 行業(yè)名稱： |
電子 |
| 下載權(quán)限： |
此報告為加密報告，僅限高級會員查看 |
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核心觀點
NAND：NAND顆粒市場價格小幅波動，企業(yè)級需求強勁支撐NAND價格。根據(jù)DRAMexchange，上周（0708-0712）NAND顆粒22個品類現(xiàn)貨價格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-2.48%至0.75%，平均漲跌幅為0.20%。其中14個料號價格持平，1個料號價格上漲，7個料號價格下跌。根據(jù)CFM閃存市場報道，群聯(lián)電子6月營收創(chuàng)歷年同期新高，PCIe SSD控制芯片總出貨量年增率達79%；累計1-6月營收為歷史同期營收次高，NAND存儲位元數(shù)總出貨量為歷史同期新高，整體NAND存儲市場需求朝正面好轉(zhuǎn)的趨勢不變。零售存儲市場已出現(xiàn)筑底現(xiàn)象，NAND原廠看好企業(yè)級SSD存儲需求強勁，移動存儲容量持續(xù)上升，原廠對NAND的市場價格呈現(xiàn)堅定態(tài)度。
DRAM：顆粒價格小幅波動，美光1γ DRAM試產(chǎn)進展順利。根據(jù)DRAMexchange，上周（0708-0712）DRAM 18個品類現(xiàn)貨價格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-6.91%至7.66%，平均漲跌幅為1.82%。上周13個料號呈上漲趨勢，5個料號呈下降趨勢，0個料號價格持平。根據(jù)CFM閃存市場報道，美光目前所有量產(chǎn)DRAM芯片均采用DUV光刻機制造，但已于今年開始1γ工藝的EUV技術(shù)試生產(chǎn)，并計劃于2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。美光CEOSanjay Mehrotra近日在電話會議上確認，1γ DRAM試產(chǎn)進展順利，符合量產(chǎn)計劃。
HBM：三星電子開發(fā)定制HBM，預(yù)計HBM4量產(chǎn)時商業(yè)化。根據(jù)CFM閃存市場報道，三星電子正積極進軍人工智能（AI）內(nèi)存市場，開發(fā)定制高帶寬內(nèi)存（HBM）。此外，三星電子正在與AMD、蘋果等主要客戶進行定制合作，預(yù)計在HBM4量產(chǎn)時定制HBM將實現(xiàn)商業(yè)化。
市場端：渠道和行業(yè)SSD價格保持穩(wěn)定。上周（0708-0712）eMMC價格持平，UFS價格持平。根據(jù)CFM閃存市場報道，本周渠道SSD和內(nèi)存條市場整體趨于穩(wěn)定，目前渠道市場仍處于倒掛狀態(tài)，競價出貨主要集中在資源相對充裕且成本水位較低的低容量SSD市場，以緩解變現(xiàn)壓力，而高容量成品市場則相對平穩(wěn)。行業(yè)市場方面，受渠道市場傳導(dǎo)影響，本周部分行業(yè)SSD和內(nèi)存條價格小幅下調(diào)，整體相對穩(wěn)定。嵌入式市場價格維持不變。
投資建議
我們持續(xù)看好受益先進算力芯片快速發(fā)展的HBM產(chǎn)業(yè)鏈、以存儲為代表的半導(dǎo)體周期復(fù)蘇主線。
HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來加速成長，建議關(guān)注賽騰股份、壹石通、聯(lián)瑞新材、華海誠科等；
存儲芯片：受益于供應(yīng)端推動漲價、庫存逐漸回歸正常、AI帶動HBM、SRAM、DDR5需求上升，產(chǎn)業(yè)鏈有望探底回升。推薦東芯股份，建議關(guān)注恒爍股份、佰維存儲、江波龍、德明利、深科技等。
風(fēng)險提示
中美貿(mào)易摩擦加劇、下游終端需求不及預(yù)期、國產(chǎn)替代不及預(yù)期等。
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