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甬興證券-電子行業(yè)存儲(chǔ)芯片周度跟蹤:NANDFlash晶圓價(jià)格上漲,SK海力士1c nm工藝開(kāi)發(fā)成功-240903
上傳日期:
2024/9/4
大?。?/td>
637KB
格式:
pdf 共10頁(yè)
來(lái)源:
甬興證券
評(píng)級(jí):
增持
作者:
陳宇哲
行業(yè)名稱(chēng):
電子
下載權(quán)限:
此報(bào)告為加密報(bào)告
核心觀點(diǎn)
NAND:NAND顆粒市場(chǎng)價(jià)格小幅波動(dòng),2024Q2消費(fèi)類(lèi)NANDFlash零售渠道的出貨量大幅減少。根據(jù)DRAMexchange,上周(0826-0830)NAND顆粒22個(gè)品類(lèi)現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-1.22%至4.64%,平均漲跌幅為0.51%。其中6個(gè)料號(hào)價(jià)格持平,9個(gè)料號(hào)價(jià)格上漲,7個(gè)料號(hào)價(jià)格下跌。根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查,2024年第二季模組廠在消費(fèi)類(lèi)NANDFlash(閃存)零售渠道的出貨量已大幅年減40%,全球消費(fèi)性存儲(chǔ)器市場(chǎng)正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。此外,NANDFlash wafer(晶圓)價(jià)格持續(xù)上漲,使得模組廠的營(yíng)運(yùn)成本大幅增加。
DRAM:顆粒價(jià)格小幅波動(dòng),SK海力士成功開(kāi)發(fā)第六代10納米級(jí)(1c)DDR5 DRAM。根據(jù)DRAMexchange,上周(0826-0830)DRAM 18個(gè)品類(lèi)現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-4.73%至0.07%,平均漲跌幅為-1.10%。上周1個(gè)料號(hào)呈上漲趨勢(shì),17個(gè)料號(hào)呈下降趨勢(shì),0個(gè)料號(hào)價(jià)格持平。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)報(bào)道,SK海力士宣布,全球首次成功開(kāi)發(fā)出采用第六代10納米級(jí)(1c)工藝的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5 DRAM,明年開(kāi)始供應(yīng)。
HBM:SK海力士確認(rèn)1c nm工藝將用于HBM等DRAM內(nèi)存產(chǎn)品。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)報(bào)道,SK海力士宣布,全球首次成功開(kāi)發(fā)出采用第六代10納米級(jí)(1c)工藝的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5DRAM。由此,向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細(xì)化存儲(chǔ)工藝技術(shù)。SK海力士以1b DRAM平臺(tái)擴(kuò)展的方式開(kāi)發(fā)了1c工藝,而且,SK海力士在部分EUV工藝中開(kāi)發(fā)并適用了新材料,也在整個(gè)工藝中針對(duì)EUV適用工藝進(jìn)行了優(yōu)化,由此確保了成本競(jìng)爭(zhēng)力。與此同時(shí),在1c工藝上也進(jìn)行了設(shè)計(jì)技術(shù)革新,與前一代1b工藝相比,其生產(chǎn)率提高了30%以上。
市場(chǎng)端:渠道內(nèi)存和SSD價(jià)格小幅下跌。上周(0826-0830)eMMC價(jià)格環(huán)比下跌5.39%,UFS價(jià)格環(huán)比下跌3.10%。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)報(bào)道,渠道市場(chǎng)經(jīng)歷三輪下跌后跌幅收窄,小容量產(chǎn)品不再降價(jià),需求略增但市場(chǎng)仍消沉,本周渠道內(nèi)存條和SSD價(jià)格小幅下跌。PC行業(yè)庫(kù)存高企,OEM廠商采購(gòu)和議價(jià)意愿低,積極去庫(kù)存,小容量SSD需求有限,整體SSD和內(nèi)存條價(jià)格穩(wěn)定。嵌入式產(chǎn)品價(jià)格全面下調(diào),受消費(fèi)類(lèi)需求不振影響,低容量eMMC降幅大,高容量產(chǎn)品為爭(zhēng)取市場(chǎng)小幅調(diào)降。
投資建議
我們持續(xù)看好受益先進(jìn)算力芯片快速發(fā)展的HBM產(chǎn)業(yè)鏈、以存儲(chǔ)為代表的半導(dǎo)體周期復(fù)蘇主線。
HBM:受益于算力芯片提振HBM需求,相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來(lái)加速成長(zhǎng),建議關(guān)注賽騰股份、壹石通、聯(lián)瑞新材、華海誠(chéng)科等;
存儲(chǔ)芯片:受益于供應(yīng)端推動(dòng)漲價(jià)、庫(kù)存逐漸回歸正常、AI帶動(dòng)HBM、SRAM、DDR5需求上升,產(chǎn)業(yè)鏈有望探底回升。推薦東芯股份,建議關(guān)注恒爍股份、佰維存儲(chǔ)、江波龍、德明利、深科技等。
風(fēng)險(xiǎn)提示
中美貿(mào)易摩擦加劇、下游終端需求不及預(yù)期、國(guó)產(chǎn)替代不及預(yù)期等
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