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投資要點(diǎn)
　　2024前三季度業(yè)績預(yù)計(jì)同比高增，平臺優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)。2024年前三季度，公司累計(jì)營收預(yù)計(jì)在188.30億元-216.80億元之間，同比增長在29.08%-48.61%之間。其中2024Q3公司營收預(yù)計(jì)在74.20億元-85.40億元之間，同比增長在20.42%-38.60%之間，環(huán)比增長在14.58%-31.87%之間；2024年前三季度，公司累計(jì)歸母凈利潤預(yù)計(jì)在41.30億元-47.50億元之間，同比增長在43.19%-64.69%之間。其中2024Q3公司歸母凈利潤預(yù)計(jì)在15.60億元-17.90億元之間，同比增長在43.78%-64.98%之間，環(huán)比增長在-5.68%至8.22%之間。業(yè)績變動原因主要系：（1）公司精研客戶需求，豐富產(chǎn)品矩陣，拓寬工藝覆蓋范圍，主營業(yè)務(wù)繼續(xù)保持良好發(fā)展態(tài)勢，市場占有率穩(wěn)步攀升，前三季度收入實(shí)現(xiàn)同比穩(wěn)健增長。（2）隨著公司營收規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，平臺優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)，經(jīng)營效率持續(xù)提高，成本費(fèi)用率穩(wěn)定下降，前三季度歸屬于上市公司股東的凈利潤同比持續(xù)增長。
　　以持續(xù)創(chuàng)新提升技術(shù)競爭實(shí)力，鞏固半導(dǎo)體核心裝備競爭優(yōu)勢。2024年上半年，北方華創(chuàng)在高端電子工藝裝備及精密電子元器件兩大主業(yè)板塊持續(xù)保持國內(nèi)領(lǐng)先地位。作為平臺型半導(dǎo)體設(shè)備公司，公司繼續(xù)深耕客戶需求，不斷拓展創(chuàng)新邊界，豐富產(chǎn)品矩陣，進(jìn)一步拓寬工藝覆蓋范圍。在集成電路核心裝備領(lǐng)域，公司成功研發(fā)出高密度等離子體化學(xué)氣相沉積（HDPCVD）、雙大馬士革CCP刻蝕機(jī)、立式爐原子層沉積（ALD）、高介電常數(shù)原子層沉積（ALD）等多款具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高端設(shè)備，并在多家客戶端實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，獲得客戶的一致好評。同時(shí)，公司的核心產(chǎn)品也廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體、新能源光伏、新型顯示等多個(gè)領(lǐng)域，展現(xiàn)出良好的市場前景和發(fā)展?jié)摿?。依托國家級企業(yè)技術(shù)中心，北方華創(chuàng)在科技創(chuàng)新方面不斷取得新突破。截至2024年上半年，公司累計(jì)申請專利已超過8,300件，獲得授權(quán)專利超過4,900件，多項(xiàng)核心技術(shù)獲得行業(yè)認(rèn)可。公司再融資項(xiàng)目繼去年底“高精密電子元器件產(chǎn)業(yè)化基地三期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目”（平谷馬坊元器件基地）順利投產(chǎn)后，2024年上半年，“半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)化基地四期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目”（臺馬半導(dǎo)體設(shè)備基地）也已建成并投入使用，進(jìn)一步提高公司生產(chǎn)制造能力。
　　半導(dǎo)體工廠區(qū)域化/數(shù)據(jù)中心及AI芯片在邊緣設(shè)備滲透率提升，帶動300mm晶圓廠設(shè)備支出增長。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，從2025年到2027年，全球300mm晶圓廠設(shè)備合計(jì)支出預(yù)計(jì)將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的4,000億美元。其中，預(yù)計(jì)將在2024年增長4%，達(dá)到993億美元，并在2025年進(jìn)一步增長24%，達(dá)到1,232億美元（首次突破1，000億美元水平），預(yù)計(jì)2026年支出將增長11%，達(dá)到1,362億美元，2027年支出將增長3%，達(dá)到1,408億美元。主要是因?yàn)榘雽?dǎo)體工廠區(qū)域化以及數(shù)據(jù)中心和邊緣設(shè)備中使用人工智能芯片需求不斷增長，帶動300mm晶圓廠設(shè)備支出增長。（1）半導(dǎo)體工廠區(qū)域化：預(yù)計(jì)到2027年，中國大陸將保持全球300mm設(shè)備最大支出地區(qū)地位，在其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈自主可控政策推動下，未來三年（2025年-2027年）累計(jì)設(shè)備投資將超過1,000億美元，但預(yù)計(jì)支出將從2024年450億美元的峰值逐漸減少到2027年的310億美元；韓國（第二）預(yù)計(jì)未來三年投資810億美元，以進(jìn)一步鞏固其在DRAM、HBM及3DNAND閃存等存儲領(lǐng)域主導(dǎo)地位；預(yù)計(jì)未來三年中國臺灣地區(qū)（第三）將花費(fèi)750億美元購買300mm設(shè)備，其中3nm以下的前沿邏輯芯片制造是其投資主要驅(qū)動力。（2）細(xì)分市場：在對3nm以下尖端節(jié)點(diǎn)投資及對成熟節(jié)點(diǎn)的持續(xù)支出的推動下，2025年至2027年間，代工設(shè)備支出預(yù)計(jì)將達(dá)到2,300億美元，其中，2nm邏輯工藝的投資以及2nm關(guān)鍵技術(shù)的開發(fā)對于滿足未來高性能和高能效計(jì)算的需求至關(guān)重要，特別是對于人工智能應(yīng)用。由于汽車電子和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的需求不斷增長，具有成本效益的22nm和28nm工藝預(yù)計(jì)將出現(xiàn)增長。邏輯芯片及微處理器預(yù)計(jì)將在未來三年內(nèi)引領(lǐng)設(shè)備支出擴(kuò)張，預(yù)計(jì)總投資達(dá)1,730億美元；存儲預(yù)計(jì)同期設(shè)備支出將超過1,200億美元，其中，DRAM相關(guān)設(shè)備的投資預(yù)計(jì)將超過750億美元，而3DNAND的投資預(yù)計(jì)將達(dá)到450億美元；功率相關(guān)領(lǐng)域未來三年預(yù)計(jì)設(shè)備支出超過300億美元，其中化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目約140億美元；模擬和混合信號領(lǐng)域預(yù)計(jì)同期設(shè)備支出將達(dá)到230億美元；其次是光電/傳感器領(lǐng)域，達(dá)到128億美元。
　　投資建議：我們維持公司盈利預(yù)測，預(yù)計(jì)2024年至2026年?duì)I業(yè)收入分別為302.82/402.14/501.67億元，增速分別為37.2%/32.8%/24.8%；歸母凈利潤分別為59.70/76.92/97.10億元，增速分別為53.1%/28.8%/26.2%；對應(yīng)PE分別為33.6/26.0/20.6倍。隨著人工智能發(fā)展對算力芯片需求加劇，疊加國內(nèi)長鑫存儲/長江存儲擴(kuò)產(chǎn)，有望帶動先進(jìn)制程/先進(jìn)封裝相關(guān)設(shè)備需求。北方華創(chuàng)致力于打造平臺型半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)，將充分受益于需求增長及國產(chǎn)化進(jìn)程加速，長期增長動力足。維持“買入-A”評級。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：新技術(shù)、新工藝、新產(chǎn)品無法如期產(chǎn)業(yè)化風(fēng)險(xiǎn)；晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)；宏觀經(jīng)濟(jì)和行業(yè)波動風(fēng)險(xiǎn)；國際貿(mào)易摩擦風(fēng)險(xiǎn)。