>> 甬興證券-電子行業(yè)存儲芯片周度跟蹤：美光或下調(diào)10%NAND閃存產(chǎn)能利用率，鎧俠宣布已開發(fā)出OCTRAM技術(shù)-241231
| 上傳日期： |
2025/1/1 |
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| 735KB |
| 格式： |
pdf 共10頁 |
來源： |
甬興證券 |
| 評級： |
增持 |
作者： |
陳宇哲 |
| 行業(yè)名稱： |
電子 |
| 下載權(quán)限： |
此報告為加密報告，僅限高級會員查看 |
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核心觀點(diǎn)
NAND：美光下調(diào)10% NAND閃存產(chǎn)能利用率以應(yīng)對市場需求放緩。根據(jù)DRAMexchange，上周（1223-1227）NAND顆粒22個品類現(xiàn)貨價格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-1.27%至3.17%，平均漲跌幅為0.41%。其中11個料號價格持平，9個料號價格上漲，2個料號價格下跌。根據(jù)IT之家報道，美光高管確認(rèn)該企業(yè)在閃存市場需求放緩的背景下將其NAND晶圓啟動率較此前水平下調(diào)10%并減慢制程節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)移。美光預(yù)計(jì)在結(jié)束于2025年2月末的第二財季中，該企業(yè)的NAND比特出貨量將出現(xiàn)顯著的環(huán)比下降；同時NAND負(fù)載不足也將影響本財年第二財季的毛利率。
DRAM:鎧俠宣布已開發(fā)出OCTRAM技術(shù)。根據(jù)DRAMexchange，上周（1216-1220）DRAM 18個品類現(xiàn)貨價格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為2.45%至3.12%，平均漲跌幅為-0.10%。上周7個料號呈上漲趨勢，10個料號呈下降趨勢，1個料號價格持平。根據(jù)CFM閃存市場報道，鎧俠宣布已開發(fā)出OCTRAM技術(shù)，這是一種新型4F2 DRAM，由兼具高導(dǎo)通電流和超低漏電流的氧化物半導(dǎo)體晶體管組成。該技術(shù)采用InGaZnO（銦鎵鋅氧化物）晶體管，可將漏電率降低到極低水平，從而降低DRAM功耗。該技術(shù)有望降低各種應(yīng)用的功耗，例如人工智能、后5G通信系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。同時也適用于內(nèi)存級存儲（SCM）技術(shù)，以及適配高密度和高性能的新型3DNANDFLASH。
HBM：Marvell推出定制HBM計(jì)算架構(gòu)，提高XPU性能、效率和總擁有成本。根據(jù)CFM閃存市場報道，Marvell宣布推出一種新的定制HBM計(jì)算架構(gòu)，使XPU能夠?qū)崿F(xiàn)更高的計(jì)算和內(nèi)存密度，提高其定制XPU的性能、效率和TCO。Marvell正與云客戶和領(lǐng)先的HBM制造商美光、三星電子和SK海力士合作，為下一代XPU定義和開發(fā)定制HBM解決方案。
市場端：行業(yè)市場整體表現(xiàn)平穩(wěn)。根據(jù)CFM閃存市場，渠道市場部分低價資源缺貨不斷發(fā)酵下，帶動部分囤貨需求逐漸釋放，短期出現(xiàn)小部分試漲行情；嵌入式產(chǎn)品也受原廠部分低容量舊制程N(yùn)AND資源停產(chǎn)影響導(dǎo)致貨源供應(yīng)緊張，本周低容量eMMC產(chǎn)品價格繼續(xù)小幅上揚(yáng)；而行業(yè)市場在PC大客戶訂單相對穩(wěn)定下整體表現(xiàn)平穩(wěn)。
投資建議
我們持續(xù)看好受益先進(jìn)算力芯片快速發(fā)展的HBM產(chǎn)業(yè)鏈、以存儲為代表的半導(dǎo)體周期復(fù)蘇主線。
HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來加速成長，建議關(guān)注賽騰股份、壹石通、聯(lián)瑞新材、華海誠科等；
存儲芯片：受益于供應(yīng)端推動漲價、庫存逐漸回歸正常、AI帶動HBM、SRAM、DDR5需求上升，產(chǎn)業(yè)鏈有望探底回升。推薦東芯股份，建議關(guān)注兆易創(chuàng)新、恒爍股份、佰維存儲、江波龍、德明利等。
風(fēng)險提示
中美貿(mào)易摩擦加劇、下游終端需求不及預(yù)期、國產(chǎn)替代不及預(yù)期等。
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