>> 國元證券-功率半導(dǎo)體行業(yè)報告：IGBT供需結(jié)構(gòu)改善，碳化硅加速上車-250401
| 上傳日期： |
2025/4/2 |
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| 1685KB |
| 格式： |
pdf 共19頁 |
來源： |
國元證券 |
| 評級： |
推薦 |
作者： |
彭琦 |
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1）IGBT供需改善，或?qū)⑦M入回暖階段。IGBT出貨量變價改善，24Q2回歸正向增長，行業(yè)性衰退進入尾聲，IGBT價格自24Q1同比下滑幅度接近30%，當(dāng)前處于較為穩(wěn)定狀態(tài)，供需結(jié)構(gòu)趨于平衡，IGBT價格已經(jīng)進入相對底部，供需結(jié)構(gòu)的改善或有可能帶動IGBT價格進入回暖階段及出貨量的持續(xù)提升。
2）中國IGBT自給率提升，碳化硅產(chǎn)能加速帶動價格下滑。中國IGBT廠商產(chǎn)能持續(xù)提升，但自給率水平相對較低，隨著中國廠商擴產(chǎn)和技術(shù)突破，憑借不弱的性能表現(xiàn)和較高的性價比優(yōu)勢，自給率將逐步提高。2024年碳化硅行業(yè)或?qū)⑦M入供過于求階段，產(chǎn)能增速較需求增速更快。海外大廠產(chǎn)能方面，2025年預(yù)計將成為8英寸襯底產(chǎn)能釋放的重要節(jié)點，Wolfspeed、Rohm、Onsemi均計劃在2025年前后實現(xiàn)8英寸SiC襯底的量產(chǎn)。中國產(chǎn)能方面，2024H1產(chǎn)能較2022年提升3倍，雖目前主要產(chǎn)能仍以6英寸為主，但士蘭微、三安光電等頭部企業(yè)已開始進軍8英寸。在產(chǎn)能集中釋放、工藝持續(xù)優(yōu)化及8英寸產(chǎn)線升級等因素下，市場由結(jié)構(gòu)性緊缺轉(zhuǎn)向供給過剩，推動碳化硅價格將持續(xù)下滑，中國產(chǎn)能釋放快于全球水平，預(yù)計2028年將較全球均價形成900-1000元的顯著價差。
3）中低端車型提振IGBT需求，800V平臺滲透提升帶動SiC加速上車。2025年新能源汽車銷量和滲透率持續(xù)攀高，中低端車型受競爭激烈?guī)觾r格下沉，及智能駕駛下沉中低端車型市場，將有望帶動IGBT在汽車上的出貨需求。隨著30萬以上純電動車型比重提升、400V向800V升級，疊加碳化硅整體成本持續(xù)下降，將推動碳化硅模組在中高端車型上的滲透率持續(xù)提升。未來隨著碳化硅襯底產(chǎn)能和良率的提升，疊加8英寸襯底量產(chǎn)，成本持續(xù)下降，預(yù)計2026年碳化硅模組與IGBT模組的價差從2-3倍收窄至1.5倍以下，屆時將有望打開規(guī)?；瘧?yīng)用空間。
建議關(guān)注
斯達半導(dǎo)、時代電氣、士蘭微、華潤微、三安光電、捷捷微電、揚杰科技、新潔能、東微半導(dǎo)
風(fēng)險提示
上行風(fēng)險：下游景氣度加速提升；IGBT價格加速回暖；各廠商產(chǎn)能釋放加速。
下行風(fēng)險：產(chǎn)品價格持續(xù)下滑；各廠商產(chǎn)能釋放不及預(yù)期；其他系統(tǒng)性風(fēng)險
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