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硅光模塊是基于硅光子技術(shù)的新一代光通信模塊，低成本、低功耗、高集成度是其優(yōu)勢(shì)。（1）硅光模塊以硅光技術(shù)為核心，將激光器、調(diào)制器、探測(cè)器、耦合器、光波導(dǎo)、復(fù)用/解復(fù)用器件等光子芯片都集成在硅光芯片上，再與DSP/TIA/DRIVER等電芯片一起封裝，組成硅光模塊。硅基材料的高集成度及兼容CMOS工藝賦予了硅光模塊更低成本、更高集成度、更低功耗的特性。（2）硅光模塊應(yīng)用場(chǎng)景主要包括數(shù)據(jù)中心通信和電信網(wǎng)絡(luò)通信，與傳統(tǒng)光模塊場(chǎng)景相似。近兩年AIGC變革驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)中心互聯(lián)對(duì)光通信提出更高性價(jià)比方案，硅光模塊受益發(fā)展。未來硅光技術(shù)在數(shù)通領(lǐng)域?qū)⒅鸩窖葸M(jìn)向光電共封裝（CPO/OIO）、光交換（OCS）等領(lǐng)域發(fā)展。根據(jù)Yole預(yù)測(cè)，硅光模塊2029年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到103億美元，過去5年CAGR達(dá)45%；對(duì)應(yīng)硅光模塊銷量近1800萬只。
　　硅是理想的光電子集成平臺(tái)，硅基材料與化合物材料結(jié)合(如Photonics-SOI絕緣體上硅材料平臺(tái))有望充分發(fā)揮產(chǎn)品性能與平衡成本。（1）Ⅲ-Ⅴ族材料如磷化銦InP是高性能激光器的核心材料，因?yàn)檫@類材料是直接帶隙材料，具備高發(fā)光效率。（2）鍺Ge是光電探測(cè)器的首選材料，具備優(yōu)異的光吸收特性，同時(shí)在硅基底上外延生長(zhǎng)技術(shù)成熟。(3)鈮酸鋰調(diào)制器電光效應(yīng)強(qiáng)(3dB帶寬達(dá)108GHz)，優(yōu)于傳統(tǒng)的基于InP/GeSi的電吸收調(diào)制；薄膜鈮酸鋰體積更小，結(jié)合MRM微環(huán)調(diào)制更小的結(jié)構(gòu)，適合集成在硅光平臺(tái)SOI上，有望應(yīng)用在3.2T速率時(shí)代。（4）氮化硅SiN適用于光波導(dǎo)、耦合器、分光器、復(fù)用/解復(fù)用器等，材料主要優(yōu)勢(shì)是超低的波導(dǎo)損耗和高功率耐受性。（5）未來硅光芯片異質(zhì)集成可充分發(fā)揮硅基材料成熟的工藝及化合物材料優(yōu)異的光學(xué)特性，遠(yuǎn)期硅光芯片PIC和電芯片EIC有望封裝在一起。（6）硅光模塊在性價(jià)比優(yōu)勢(shì)下滲透率有望提升，相關(guān)CW光源、薄膜鈮酸鋰調(diào)制器、硅光模塊廠商有望受益行業(yè)發(fā)展。硅光模塊使用CW光源替代傳統(tǒng)光模塊的EML等激光器、節(jié)省了溫控器件TEC、優(yōu)化了光模塊結(jié)構(gòu)件/PCB用料等，成本節(jié)省約20%，功耗優(yōu)化近40%。
　　硅光模塊上游產(chǎn)業(yè)鏈包括芯片設(shè)計(jì)與代工、器件供應(yīng)、模塊制造等。硅光芯片方面Intel、Acacia、Luxtera、Coherent、Lumentum等是行業(yè)領(lǐng)軍者，代工主要由Global Foundries、Tower Semiconductor等完成。我國(guó)也在硅光模塊全產(chǎn)業(yè)鏈布局，芯片方面國(guó)產(chǎn)替代空間大。
　　投資建議：近兩年AIGC變革驅(qū)動(dòng)AI基礎(chǔ)設(shè)施景氣度提升，同時(shí)對(duì)數(shù)據(jù)中心內(nèi)外互聯(lián)提出更高性價(jià)比要求，硅光模塊在短期可以解決傳統(tǒng)光模塊缺芯問題；長(zhǎng)期看來，其低成本、低功耗、高集成度優(yōu)勢(shì)有望顯現(xiàn)，規(guī)?；?yīng)凸顯，滲透率逐步提升。推薦關(guān)注硅光模塊產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)，模塊【中際旭創(chuàng)】、【新易盛】、【光迅科技】、【華工科技】、【德科立】等，光器件/光芯片【天孚通信】、【源杰科技】、【仕佳光子】、【長(zhǎng)光華芯】、【光庫(kù)科技】等。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：AI發(fā)展及投資不及預(yù)期，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇，全球地緣政治風(fēng)險(xiǎn)，新技術(shù)發(fā)展引起產(chǎn)業(yè)鏈變遷。