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核心觀點(diǎn):價(jià)格周期+AI產(chǎn)業(yè)趨勢+關(guān)稅多重共振，存儲芯片價(jià)格有望持續(xù)上漲
　　據(jù)DRAMeXchange1數(shù)據(jù)，5/6月份DRAM和NAND價(jià)格維持漲勢。供給端看，2025年以來各大存儲廠商均發(fā)布減產(chǎn)計(jì)劃，需求端看，海外云廠商資本開支維持較高水平，國內(nèi)云廠商資本開支持續(xù)加碼，持續(xù)飽滿的算力需求將拉動存儲市場持續(xù)擴(kuò)容。此外，關(guān)稅等外部環(huán)境亦對存儲芯片價(jià)格產(chǎn)生了一定影響，綜上我們認(rèn)為在存儲步入價(jià)格上行周期+AI產(chǎn)業(yè)趨勢持續(xù)深化+關(guān)稅的多重影響下，存儲芯片價(jià)格有望持續(xù)上漲。
　　原廠減產(chǎn)疊加關(guān)稅推動存儲芯片價(jià)格持續(xù)上漲
　　DRAM和NAND閃存芯片的平均市場價(jià)格均呈現(xiàn)上漲趨勢。DRAM方面，5月8GBDDR4內(nèi)存顆粒的價(jià)格現(xiàn)已升至2.10美元，相比4月份的1.65美元上漲約27%，6月份DDR4維持漲勢，據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫公眾號數(shù)據(jù)，美光6月DDR4報(bào)價(jià)大幅跳漲50%，三星8GBDDR4的現(xiàn)貨價(jià)格已達(dá)到4.8美元，明顯高于3.3美元左右的平均現(xiàn)貨價(jià)格，從現(xiàn)貨市場看，近期DDR416Gb已漲價(jià)至6美元，超過DDR5同規(guī)格的5.8美元市場行情。同時(shí)韓國內(nèi)存公司三星和SK海力士已明確通知客戶停止DDR4的生產(chǎn)，據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，受DRAM主要供應(yīng)商將逐漸收斂server和PCDDR4產(chǎn)出，加上美國關(guān)稅導(dǎo)致買方提前備貨等因素，第二季server與PCDDR4價(jià)格上漲，預(yù)期漲幅將分別季增18%～23%和13%～18%。NAND方面，5月用于記憶卡和USB的128GBNAND平均價(jià)格達(dá)2.92美元，較4月上漲4.84%。我們認(rèn)為原廠減產(chǎn)疊加關(guān)稅將推動存儲價(jià)格持續(xù)上漲。
　　存力在AI產(chǎn)業(yè)鏈中至關(guān)重要，AI產(chǎn)業(yè)浪潮推動
　　存儲芯片需求提升存儲模組方面，存儲模組是數(shù)據(jù)中心及服務(wù)器的關(guān)鍵組成部分，全球視角上看，海外云廠商資本開支維持較高水平，飽滿的服務(wù)器需求有望推動存儲模組市場持續(xù)擴(kuò)容，從中國市場看來，國內(nèi)云廠商資本開支持續(xù)加碼，國內(nèi)算力芯片出貨量持續(xù)提升，國產(chǎn)存儲模組有望迎來市場規(guī)模提升及國產(chǎn)化率提升的雙擊；GDDR方面，HBM采用TSV技術(shù)堆疊DRAM die以大幅提升I/O數(shù)，再配合2.5D先進(jìn)封裝制程，在維持較低內(nèi)存頻率的同時(shí)達(dá)到更顯著的總通道寬度提升，目前已廣泛應(yīng)用于各類算力芯片中；利基存儲方面，隨邊緣端算力發(fā)展，NPU+3DRAM或成為產(chǎn)業(yè)趨勢，此外AI端側(cè)亦將拉動Nor Flash等利基存儲需求。
　　受益標(biāo)的
　?。?）存儲模組廠商：德明利、江波龍、佰維存儲、香農(nóng)芯創(chuàng)；（2）先進(jìn)存儲廠商：兆易創(chuàng)新、恒爍股份等；（3）邊緣側(cè)Nand/Nor flash廠商：兆易創(chuàng)新、北京君正、普冉股份、東芯股份、恒爍股份、聚辰股份等。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：AI行業(yè)發(fā)展不及預(yù)期、下游需求不及預(yù)期。