>> 東方證券-電子行業(yè)深度報告：部分存儲漲價，AI和國產(chǎn)化驅(qū)動行業(yè)增長-250621
| 上傳日期： |
2025/6/21 |
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| 1250KB |
| 格式： |
pdf 共21頁 |
來源： |
東方證券 |
| 評級： |
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作者： |
蒯劍,韓瀟銳,薛宏偉 |
| 行業(yè)名稱： |
電子 |
| 下載權(quán)限： |
此報告為加密報告 |
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核心觀點
AI浪潮驅(qū)動行業(yè)上行，存儲國產(chǎn)化前景廣闊。存儲需求回暖，5月份存儲器半導體DRAM和NAND閃存的月平均價格連續(xù)兩個月上漲，價格上漲趨勢有望持續(xù)到第三季度：NANDFlash方面，二季度價格上漲受國際形勢變化影響，三季度企業(yè)級SSD需求增長成主要價格支撐；DRAM方面，受原廠停產(chǎn)計劃影響補貨需求，DDR4系列有望大幅上漲。AI已成為存儲需求增長的關(guān)鍵動力，據(jù)PrecedenceResearch研究報告，全球AI驅(qū)動存儲市場預計將從2024年的287億美元，激增至2034年的2552億美元，年復合增長率達24.4%。中國存儲產(chǎn)業(yè)鏈有望受益于AI自主可控政策雙重驅(qū)動，國內(nèi)存儲IC公司在利基DRAM、NAND和NORFlash領(lǐng)域持續(xù)開拓，國產(chǎn)化前景廣闊。
DRAM：利基市場格局重塑中，3DDRAM走向產(chǎn)業(yè)。利基DRAM領(lǐng)域，原廠產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5和HBM帶來供應收縮，而消費電子市場和行業(yè)市場對DDR4仍保持可觀需求，供需不平衡下利基DRAM價格持續(xù)高企，Tier2廠商有望快速提升市場份額和盈利能力。另一方面，為滿足高速高帶寬存儲需要，堆疊DRAM成為新趨勢，在各大原廠持續(xù)迭代的HBM（高帶寬存儲）技術(shù)外，依托混合鍵合等先進封裝技術(shù)，3DDRAM產(chǎn)業(yè)化進程加速。定制化存儲在提升存儲性能同時，可實現(xiàn)更低功耗、更高集成度和更強散熱能力，為端側(cè)AI提供具有適配性更強的存儲方案，市場規(guī)模有望隨端側(cè)AI滲透率提升快速成長。
Flash：AI驅(qū)動容量和總需求上升，企業(yè)級市場增長迅速。AI技術(shù)發(fā)展促使Flash市場容量和總需求顯著上升，企業(yè)級市場尤為突出。在NANDFlash領(lǐng)域，數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器對存儲性能和容量的需求激增，驅(qū)動企業(yè)級SSD市場快速增長，國內(nèi)存儲模組廠市場份額有望提升。受益于物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、5G等新興領(lǐng)域的發(fā)展和端側(cè)AI的拉動，NORFlash市場有望保持增長。國內(nèi)企業(yè)通過提供高性價比產(chǎn)品并抓住市場機遇進入市場，不斷升級產(chǎn)品容量和工藝制程，逐漸形成各自的競爭優(yōu)勢。
投資建議與投資標
存儲需求回暖，AI服務(wù)器和AI終端有望持續(xù)帶動存儲需求增長，同時疊加國產(chǎn)替代機遇，建議關(guān)注存儲產(chǎn)業(yè)鏈：
存儲IC設(shè)計：兆易創(chuàng)新、北京君正、東芯股份、復旦微電、紫光國微、普冉股份、聚辰股份、恒爍股份等；
存儲互聯(lián)、控制等芯片：瀾起科技、聯(lián)蕓科技；
存儲模組：德明利、佰維存儲、朗科科技、江波龍、萬潤科技；
封測：深科技；
系統(tǒng)級解決方案：同有科技等。
風險提示
國際形勢變化影響存儲行情；下游需求增長不及預期；AI產(chǎn)業(yè)發(fā)展不及預期。
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