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核心觀點(diǎn)
　　事件：根據(jù)行家說三代半公眾號(hào)信息，英偉達(dá)計(jì)劃在新一代GPU芯片的先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)中采用碳化硅襯底，作為中介層材料。根據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體公眾號(hào)信息，臺(tái)積電正計(jì)劃將12英寸單晶碳化硅應(yīng)用于散熱載板，取代傳統(tǒng)的氧化鋁、藍(lán)寶石基板或陶瓷基板。
　　我們的觀點(diǎn)：碳化硅材料在先進(jìn)封裝中具備較高應(yīng)用潛力，有望打開產(chǎn)業(yè)成長空間。部分投資者認(rèn)為，由于碳化硅車型在新能源車領(lǐng)域的滲透率逐步邁向較高水平等原因，碳化硅材料未來發(fā)展空間可能受限。但我們認(rèn)為，碳化硅材料在高端算力芯片中的應(yīng)用潛力尚未完全挖掘。未來，碳化硅材料有望應(yīng)用于算力芯片的先進(jìn)封裝等環(huán)節(jié)，打開產(chǎn)業(yè)成長空間。
　　AIGPU功率持續(xù)提升，芯片封裝散熱要求提高。AI服務(wù)器的GPU的性能持續(xù)提升，其芯片功率也不斷提高。根據(jù)行家說三代半公眾號(hào)數(shù)據(jù)，英偉達(dá)GPU芯片功率持續(xù)提升，從H200的700W提高到了B300的1400W。GPU的封裝目前主要依賴于CoWoS封裝技術(shù)，其通過將多個(gè)芯片高密度地堆疊集成在一個(gè)封裝內(nèi)，顯著縮小了封裝面積。隨著GPU功率持續(xù)提升，芯片封裝散熱要求提高，可透過優(yōu)化材料提升散熱能力。根據(jù)行家說三代半公眾號(hào)，臺(tái)積電認(rèn)為目前業(yè)界仍然依賴于傳統(tǒng)的熱界面材料和熱堆疊結(jié)構(gòu)來解決CoWoS封裝散熱問題，存在優(yōu)化的空間。臺(tái)積電提到的優(yōu)化方式包括優(yōu)化熱沉片和熱界面的材料等。
　　碳化硅材料導(dǎo)熱性能優(yōu)異，有望應(yīng)用于芯片封裝。碳化硅晶體具有很高的導(dǎo)熱性能，熱導(dǎo)率可達(dá)500W/mK，相比之下，硅的熱導(dǎo)率僅為約150 W/mK。基于碳化硅晶體優(yōu)異的導(dǎo)熱性能，其在散熱要求更高的環(huán)境中具有一定應(yīng)用潛力。首先，中介層散熱性能要求提高，碳化硅具備較大的應(yīng)用潛力。中介層是CoWoS封裝平臺(tái)的核心部件之一，目前主要由硅材料制作。隨著英偉達(dá)GPU芯片的功率越來越大，將眾多芯片集成到硅中介層將導(dǎo)致更高的散熱性能要求，而如果采用導(dǎo)熱率更好的SiC中介層，其散熱片尺寸有望大幅縮小，優(yōu)化整體封裝尺寸。基于此，部分頭部公司已經(jīng)注意到碳化硅在中介層中的應(yīng)用潛力。此外，碳化硅也有望在散熱載板中得到應(yīng)用。目前主要的陶瓷材料熱導(dǎo)率均低于單晶碳化硅，若采用碳化硅作為散熱載板，有望進(jìn)一步提高散熱效率。
　　投資建議與投資標(biāo)的
　　碳化硅導(dǎo)熱性能優(yōu)異，有望在中介層、散熱基板等環(huán)節(jié)應(yīng)用，相關(guān)廠商有望受益。相關(guān)標(biāo)的：碳化硅襯底行業(yè)領(lǐng)軍者天岳先進(jìn)；布局碳化硅襯底業(yè)務(wù)的頭部功率器件廠商三安光電。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示
　　汽車需求不及預(yù)期，AI落地不及預(yù)期，競爭格局變化，碳化硅襯底降本情況不及預(yù)期，碳化硅襯底制造工藝進(jìn)步不及預(yù)期。