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在摩爾定律放緩和我國(guó)先進(jìn)制程技術(shù)受限的現(xiàn)狀下，先進(jìn)封裝成為國(guó)產(chǎn)算力芯片突破性能瓶頸的重要方向。華為、寒武紀(jì)、海光信息等公司的算力芯片正加速迭代，國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈積極配套以實(shí)現(xiàn)算力芯片自主可控。2025世界人工智能大會(huì)上沐曦重磅發(fā)布基于國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈的旗艦GPU曦云C600，摩爾線程則表示正聯(lián)合國(guó)內(nèi)封裝測(cè)試廠商，完成Chiplet與2.5D封裝（國(guó)產(chǎn)硅中介層）量產(chǎn)和測(cè)試。先進(jìn)封裝產(chǎn)能擴(kuò)張需求愈發(fā)迫切，先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)鏈上下游迎來(lái)重大發(fā)展機(jī)遇。
　　華為公布了昇騰芯片未來(lái)三年的迭代路線：從即將于26Q1推出的Ascend950系列，到2027年的Ascend 960，再到2028年的Ascend 970，幾乎以“一年一代算力翻倍”的速度推進(jìn)。自昇騰950PR開(kāi)始，昇騰AI芯片將采用華為自研HBM，其中昇騰950搭載HBMHiBL 1.0，昇騰950DT升級(jí)至HBMHiZQ 2.0。根據(jù)央視新聞，平頭哥PPU和壁仞104P搭載的均為HBM2e，華為昇騰910B搭載的是HBM2，而英偉達(dá)A800和H20分別搭載HBM2e和HBM3。根據(jù)Financial News，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)計(jì)劃在2025年底前交付HBM3樣品，預(yù)計(jì)2026年開(kāi)始全面量產(chǎn)。
　　臺(tái)積電正推動(dòng)CoWoS從CoWoS-S/R向CoWoS-L技術(shù)升級(jí)。CoWoS-L局部區(qū)域使用硅中介層進(jìn)行高速互連，其他區(qū)域使用RDL重布線層，平衡性能和成本的同時(shí)提供了更高的HBM堆疊容量和尺寸靈活性。英偉達(dá)Blackwell主要采用CoWoS-L封裝。AMD表示MI300已逼近12寸晶圓的尺寸極限，板級(jí)封裝是行業(yè)結(jié)構(gòu)性變革方向。板級(jí)封裝在能夠保證封裝精度情況下?lián)碛懈叩漠a(chǎn)出效率、更少的物料損耗和更大的有效曝光面積等優(yōu)勢(shì)，同時(shí)減少了涂料的浪費(fèi)，相較晶圓級(jí)封裝擁有更低的成本。芯片越大，其浪費(fèi)的邊緣區(qū)域越大，板級(jí)封裝相較于晶圓級(jí)封裝的優(yōu)勢(shì)也越明顯，因此算力芯片等大芯片對(duì)板級(jí)封裝的需求更為迫切。臺(tái)積電目標(biāo)于2028年底至2029年實(shí)現(xiàn)CoPoS技術(shù)量產(chǎn)。
　　建議關(guān)注：
　　1、OSAT：甬矽電子、通富微電、長(zhǎng)電科技、盛合晶微等；
　　2、設(shè)備：北方華創(chuàng)、中微公司、華海清科、拓荊科技、芯源微、盛美上海等；
　　3、材料：華海誠(chéng)科、艾森股份、安集科技、江豐電子、天承科技等。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：行業(yè)與市場(chǎng)波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)，新技術(shù)、新工藝、新產(chǎn)品無(wú)法如期產(chǎn)業(yè)化風(fēng)險(xiǎn)，產(chǎn)能擴(kuò)張進(jìn)度不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇風(fēng)險(xiǎn)