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國(guó)盛證券-基礎(chǔ)化工行業(yè)周報(bào):CPO重塑光網(wǎng)絡(luò)格局,材料從Ⅲ-Ⅴ族向硅基平臺(tái)過(guò)渡楊義韜-251222
上傳日期:
2025/12/23
大?。?/td>
384KB
格式:
pdf 共2頁(yè)
來(lái)源:
國(guó)盛證券
評(píng)級(jí):
增持
作者:
楊義韜
行業(yè)名稱(chēng):
化工
下載權(quán)限:
無(wú)限制-登錄即可下載
CPO商業(yè)化提速,英偉達(dá)、博通等巨頭產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用在即。2025年GTC大會(huì)上英偉達(dá)發(fā)布Spectrum-X與Quantum-X,預(yù)計(jì)于2026年H2及2025年H2上市,是基于硅光CPO的網(wǎng)絡(luò)交換平臺(tái),能效提升3.5倍、信號(hào)完整性提升63倍;2025年6月,博通宣布其以太網(wǎng)交換芯片——Tomahawk6系列已開(kāi)始出貨,支持CPO選項(xiàng),提供更高的靈活性和更低的延遲,與傳統(tǒng)可插拔光纖相比,光纖互連功耗降低約70%;臺(tái)積電也推出基于COUPE工藝的CPO封裝技術(shù),助力CPO產(chǎn)業(yè)化。
相較于傳統(tǒng)光模塊,CPO有效降低功耗,突破限制速率提升的瓶頸。隨著算力需求的激增,GPU、ASIC芯片算力不斷迭代,對(duì)數(shù)據(jù)傳輸帶寬也提出更高的要求,PCIe接口與SerDes接口的傳輸速率基本相匹配。然而功耗和散熱壓力制約光模塊傳輸速率的提升,傳統(tǒng)光模塊交換芯片ASIC到光引擎之間要走很長(zhǎng)的高速銅線(xiàn)/背板,SerDes為克服通道損耗,需要很強(qiáng)的SerDes均衡等,導(dǎo)致單bit功耗急劇上升。CPO通過(guò)把光引擎搬到交換ASIC旁邊或同封裝里,距離控制在3-5cm,將信號(hào)損耗降到1dB以下,為更高信號(hào)傳輸速率提供保障。此外,硅光CPO更有利于在系統(tǒng)層面做更細(xì)粒度的功耗管理、冷卻設(shè)計(jì)以及光源集中化,具有高速率、低功耗、小尺寸的優(yōu)勢(shì)。
基于硅光技術(shù)的CPO帶來(lái)光網(wǎng)絡(luò)格局重塑,光模塊價(jià)值向硅光芯片、硅光引擎轉(zhuǎn)移。硅光CPO光引擎主要包括PIC和EIC,將激光器、調(diào)制器、探測(cè)器等光/電芯片都集成在硅光芯片上,傳統(tǒng)器件中的透鏡和大型組件都被取代,陶瓷、銅等材料用量大幅降低,晶圓、硅光芯片等電子材料占比上升。硅光方案中有源器件變化較大的是激光器和探測(cè)器,激光器通常采用CW外置光源+硅光調(diào)制器的方式;探測(cè)器芯片從傳統(tǒng)的III-V族PIN、APD光電二極管變成硅鍺探測(cè)器;無(wú)源器件主要變化是光波導(dǎo)、耦合器、波分復(fù)用器等,直接集成到硅基上。
硅光CPO基材從傳統(tǒng)光模塊的III-V族材料向硅基材料過(guò)渡。硅是一種間接帶隙半導(dǎo)體,發(fā)光效率低,所以傳統(tǒng)光芯片主要以III-V族材料磷化銦InP、砷化鎵GaAs等作為基材,如激光器芯片、探測(cè)器芯片等。硅光基于硅和硅基襯底材料,通過(guò)CMOS工藝進(jìn)行光器件開(kāi)發(fā)和集成,因此硅光CPO對(duì)先進(jìn)封裝提出更高的要求,如倒裝( Flip Chip)、異質(zhì)集成、硅穿孔(TSV)、凸點(diǎn)Bumping)和重布線(xiàn)RDL)等先進(jìn)封裝技術(shù)。
風(fēng)險(xiǎn)提示:技術(shù)路線(xiàn)迭代、商業(yè)化進(jìn)展不及預(yù)期、競(jìng)爭(zhēng)格局惡化。
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