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>> 華興證券-兆易創(chuàng)新(603986)回調(diào)即創(chuàng)造買入機(jī)會(huì)-260311
上傳日期:   2026/3/11 大?。?/td>   1241KB
格式:   pdf  共6頁(yè) 來(lái)源:   華興證券
評(píng)級(jí):   買入 作者:   王國(guó)晗
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與部分投資觀點(diǎn)不同,我們?nèi)匀豢春?6年DRAM上漲之趨勢(shì)。
  我們預(yù)計(jì)公司DRAM相關(guān)業(yè)務(wù)收入在26年有望達(dá)到50億元。
  重申“買入”評(píng)級(jí),及目標(biāo)價(jià)人民幣336.00元。
  根據(jù)FactSet,兆易創(chuàng)新股價(jià)在過(guò)去三周回調(diào)15%,主要反應(yīng)市場(chǎng)對(duì)于DRAM價(jià)格持續(xù)性擔(dān)心。但是我們認(rèn)為DRAM價(jià)格上漲趨勢(shì)在2Q26-2H26仍然持續(xù)。根據(jù)兆易和長(zhǎng)鑫關(guān)聯(lián)交易公告,我們預(yù)計(jì)公司2026年DRAM相關(guān)收入有望達(dá)50億元,超市場(chǎng)預(yù)期。
  DRAM價(jià)格上漲仍有望持續(xù)。根據(jù)Trendforce,在經(jīng)過(guò)26年1-2月份價(jià)格集中上漲后,三星電子1Q26服務(wù)器DDR5合約價(jià)已環(huán)比上漲72%,并在2Q26有望繼續(xù)上漲30%。一些投資人擔(dān)心傳統(tǒng)DRAM需求過(guò)好后,三星電子和SK海力士或?qū)⒉糠諬BM產(chǎn)能轉(zhuǎn)向傳統(tǒng)DRAM從而導(dǎo)致價(jià)格上漲提前結(jié)束。但是,由于三星電子希望在2026年提高VeraRubin中HBM市占率因素以及英偉達(dá)和SK海力士之訂單,我們認(rèn)為三星電子和SK海力士短期內(nèi)或不會(huì)轉(zhuǎn)移HBM產(chǎn)能。
  我們預(yù)計(jì)公司2026年DRAM相關(guān)業(yè)務(wù)收入有望達(dá)50億元。根據(jù)兆易創(chuàng)新在2026年1月23日發(fā)布的關(guān)于2026年上半年度日常關(guān)聯(lián)交易預(yù)計(jì)額度的公告,兆易創(chuàng)新預(yù)計(jì)從長(zhǎng)鑫集團(tuán)2026年上半年采購(gòu)的DRAM產(chǎn)品代工交易額度是15.5億元。若線性外推,則兆易創(chuàng)新2026年來(lái)自長(zhǎng)鑫集團(tuán)的DRAM產(chǎn)品代工金額或達(dá)31億元。根據(jù)公司2025年半年報(bào),公司DRAM業(yè)務(wù)在1H25毛利率已達(dá)35%,并有望伴隨DRAM漲價(jià)持續(xù)提升。假設(shè)26年毛利率達(dá)到40%,按照2026年線性外推得到的31億關(guān)聯(lián)收入,則我們預(yù)計(jì)公司26年DRAM收入或達(dá)50億。公司定制存儲(chǔ)業(yè)務(wù)有望持續(xù)發(fā)力。公司在25年3季度業(yè)績(jī)會(huì)上提到在定制化存儲(chǔ)業(yè)務(wù)進(jìn)展順利,2026年有望在汽車座艙、AIPC、機(jī)器人等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)芯片量產(chǎn)。我們預(yù)計(jì)2026年定制化存儲(chǔ)業(yè)務(wù)收入有望到5億元。我們下調(diào)26年每股盈利預(yù)測(cè)4%,但是上調(diào)公司27年每股盈利預(yù)測(cè)8%以反映DRAM和定制存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的收入和利潤(rùn)預(yù)測(cè)。
  重申“買入”評(píng)級(jí),上調(diào)目標(biāo)價(jià)到人民幣336.00元。我們目標(biāo)價(jià)基于50倍2027年P(guān)/E,高于兆易創(chuàng)新過(guò)去五年的24個(gè)月動(dòng)態(tài)P/E估值中值(42倍)??紤]到兆易創(chuàng)新2025-27財(cái)年凈利CAGR是60%,高于行業(yè)平均水平(33%),這是我們給予50.0倍2027年P(guān)/E估值的基礎(chǔ)。風(fēng)險(xiǎn)提示:DDR4停產(chǎn)對(duì)于DDR4價(jià)格和兆易創(chuàng)新收入拉動(dòng)不及預(yù)期;存算一體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)進(jìn)度慢于預(yù)期;NORFlash和SLCNAND行業(yè)增速慢于預(yù)期;美國(guó)新一輪制裁或影響兆易新產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)。
  風(fēng)險(xiǎn)提示
  DDR4停產(chǎn)對(duì)DDR4價(jià)格和兆易創(chuàng)新收入拉動(dòng)不及預(yù)期:我們認(rèn)為DDR4退出市場(chǎng)供應(yīng)或是主要存儲(chǔ)制造商DDR4漲價(jià)的重要積極催化劑。但是若DDR4停產(chǎn)進(jìn)度慢于預(yù)期,則DDR4價(jià)格提升對(duì)兆易創(chuàng)新的收入拉動(dòng)或不及預(yù)期。
  PIM存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)進(jìn)展慢于預(yù)期:目前國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)聚焦于邊緣計(jì)算場(chǎng)景的PIM,比如可穿戴設(shè)備、智能家居領(lǐng)域。如果PIM產(chǎn)業(yè)化節(jié)奏慢于預(yù)期,PIM產(chǎn)品的商業(yè)化對(duì)于兆易創(chuàng)新收入增長(zhǎng)貢獻(xiàn)可能低于預(yù)期。
  NORFlash和SLCNAND行業(yè)增速慢于預(yù)期:根據(jù)Frost& Sullivan,全球NORFlash市場(chǎng)規(guī)模2024年達(dá)到28億美元,并預(yù)計(jì)2025-2029年CAGR達(dá)到7.6%。全球SLCNAND市場(chǎng)規(guī)模在2024年達(dá)到23億美元,并預(yù)計(jì)2025-2029年CAGR達(dá)到5.8%。若由于全球宏觀經(jīng)濟(jì)疲弱導(dǎo)致NORFlash和SLCNAND行業(yè)需求變緩,則NORFlash和SLCNAND行業(yè)增速慢于預(yù)期。
  美國(guó)新一輪制裁或影響兆易新產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn):根據(jù)兆易創(chuàng)新2025年半年報(bào),兆易創(chuàng)新從關(guān)聯(lián)公司合肥長(zhǎng)鑫科技采買的原材料是4.33億元,兆易創(chuàng)新依托長(zhǎng)鑫科技產(chǎn)能生產(chǎn)DDR3和DDR4等產(chǎn)品。若美國(guó)對(duì)大陸半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的制裁持續(xù)加碼,不排除長(zhǎng)鑫科技獲取不到最新的產(chǎn)線設(shè)備,相應(yīng)影響兆易創(chuàng)新新產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)。
  
兆易創(chuàng)新股票研究報(bào)告
 
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