>> 廣發(fā)證券-電子行業(yè)AI的Memory時刻9:GTC存儲原廠集中展示新品,存儲景氣預期再升溫-260319
| 上傳日期: |
2026/3/19 |
大?。?/td>
| 971KB |
| 格式: |
pdf 共9頁 |
來源: |
廣發(fā)證券 |
| 評級: |
-- |
作者: |
王亮,耿正,焦鼎 |
| 行業(yè)名稱: |
電子 |
| 下載權(quán)限: |
此報告為加密報告,僅限高級會員查看 |
|
|
核心觀點: 存儲原廠在GTC集中展示面向Rubin時代的新品組合。(1)美光:根據(jù)美光官網(wǎng),美光于2026Q1開始批量出貨用于Vera Rubin的36GB 12Hi HBM4,支持11Gb/s的引腳速度,超2.8TB/s帶寬,同時公司已向客戶送樣48GB 16Hi HBM4樣品,并實現(xiàn)192GBSOCAMM2、PCIe Gen6 SSD的批量量產(chǎn),其中PCIe Gen6 SSD9650針對NVIDIABlueField-4 STX架構(gòu)上的代理AI工作負載進行優(yōu)化,支持最高28 GB/s的順序讀取吞吐量和550萬隨機讀取IOPS,本次GTC上美光集中展示了其面向下一代AI平臺的HBM4、SOCAMM2與Gen6SSD產(chǎn)品組合。(2)海力士:根據(jù)海力士官網(wǎng),海力士在GTC上展示HBM4、HBM3E、SOCAMM2等AI內(nèi)存方案,此外,公司亦展示與英偉達合作開發(fā)的液冷eSSD,以及搭載SK海力士LPDDR5X的NVIDIADGXSpark桌面AI超級計算機。(3)三星電子:根據(jù)三星電子官網(wǎng),三星電子在GTC上展示HBM4、下一代HBM4E、SOCAMM2、PCIe 6.0 SSD以及支持16層以上堆疊的混合銅鍵合(HCB)技術(shù)等完整AI存儲解決方案。其中面向NVIDIAVera Rubin的HBM4已進入量產(chǎn)階段,采用最先進的第六代10納米(nm)級DRAM工藝(1c),支持11.7Gb/s的引腳速度,并可提升至13Gb/s;首次亮相的HBM4E支持16 Gb/s的引腳速度和帶寬4.0 TB/s;同時在BlueField-4 STX參考架構(gòu)中展示PM1753 SSD對推理負載下能效與系統(tǒng)性能的支撐;(4)鎧俠:根據(jù)鎧俠官網(wǎng),公司在GTC上展示面向NVIDIAStorage-Next架構(gòu)的GPSeries Super High IOPSSSD,預計將于2026年末送樣;此外針對英偉達上下文內(nèi)存存儲(CMX)等長上下文/大容量推理場景,鎧俠亦展示CM9系列PCIe 5.0 E3.SSSD,樣品預計于2026 Q3開始發(fā)貨。 行業(yè)周期展望更趨積極。根據(jù)GTC期間Reuters對SK集團董事長崔泰源的采訪,崔泰源表示,受AI需求持續(xù)拉動,預計存儲短缺將持續(xù)到2030年,缺口可能超過20%,強化對存儲供給持續(xù)緊平衡的判斷。 投資建議。AI的Memory時刻,AI記憶持續(xù)擴展模型能力邊界,AIAgent等應用加速落地。AI記憶相關(guān)上游基礎設施價值量、重要性將不斷提升。建議關(guān)注產(chǎn)業(yè)鏈核心受益標的。 風險提示。AI產(chǎn)業(yè)發(fā)展以及需求不及預期;AI服務器出貨量不及預期,國產(chǎn)廠商技術(shù)和產(chǎn)品進展不及預期。
|
|