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臺(tái)積電導(dǎo)入SiC中介層，先進(jìn)封裝散熱升級(jí)打開增量空間
　　臺(tái)積電已啟動(dòng)12英寸SiC襯底交付，明年需求預(yù)期翻倍。隨著英偉達(dá)GPU功率從H100的700W躍升至Feynman架構(gòu)的4400W，傳統(tǒng)硅中介層散熱瓶頸凸顯，SiC憑借3倍于硅的熱導(dǎo)率（~490 W/m·K）成為關(guān)鍵升級(jí)方向。SiC中介層在CoWoS-S/L中的滲透，將為襯底廠商打開先進(jìn)封裝第二增長(zhǎng)曲線，建議關(guān)注技術(shù)領(lǐng)先的SiC襯底企業(yè)。
　　存儲(chǔ)大廠加速產(chǎn)能轉(zhuǎn)移，利基型DRAM迎結(jié)構(gòu)性機(jī)會(huì)
　　三星電子已正式停止接收LPDDR4/LPDDR4X新增訂單，預(yù)計(jì)2026年底徹底停產(chǎn)，產(chǎn)線將于2027年Q1全部轉(zhuǎn)向LPDDR5/LPDDR5X及HBM。三星此次計(jì)劃停產(chǎn)LPDDR4系列，最核心的原因在于HBM和先進(jìn)DDR5產(chǎn)品的利潤(rùn)率更高。疊加AI浪潮下先進(jìn)內(nèi)存供不應(yīng)求，三星希望將有限晶圓、產(chǎn)能資源全部?jī)A斜到利潤(rùn)率更高的產(chǎn)品線上，不再維持低利潤(rùn)舊代產(chǎn)品產(chǎn)能。三星停產(chǎn)LPDDR4/4X后，原有需求必須尋找替代來(lái)源。利基型DRAM市場(chǎng)有望出現(xiàn)市場(chǎng)空隙，中國(guó)大陸利基型存儲(chǔ)廠有切入機(jī)會(huì)。
　　建議關(guān)注：天岳先進(jìn)、兆易創(chuàng)新、北京君正
　　風(fēng)險(xiǎn)提示
　　中美“關(guān)稅戰(zhàn)”加劇風(fēng)險(xiǎn)
　　中美科技競(jìng)爭(zhēng)加劇風(fēng)險(xiǎn)
　　產(chǎn)先進(jìn)制程進(jìn)度不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)
　　AI模型大廠資本開支不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)