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投資要點(diǎn)：
　　公告：2026Q1營(yíng)收4.79億元，同比+236.95%，歸母凈利潤(rùn)1.38億元，同比+333.42%。季度毛利率53%，歸母凈利率達(dá)29%。業(yè)績(jī)大超預(yù)期。
　　2026年初以來(lái)利基存儲(chǔ)價(jià)格全線上漲。2026年以來(lái)，存儲(chǔ)產(chǎn)品整體處于上漲通道，受大容量產(chǎn)品結(jié)構(gòu)性供需失衡影響，中小容量SLCNAND、DRAM價(jià)格穩(wěn)步上升。分產(chǎn)品：SLCNAND方面，因美光、三星、海力士等海外大廠陸續(xù)退出消費(fèi)類市場(chǎng)，鎧俠發(fā)布特定封裝及成熟制程產(chǎn)品停產(chǎn)通知，進(jìn)一步加劇了市場(chǎng)對(duì)中小容量NAND供給偏緊的預(yù)期。NOR方面，受下游容量迭代需求增長(zhǎng)及上游晶圓代工成本上升的雙重帶動(dòng)，產(chǎn)品價(jià)格仍保持上漲趨勢(shì)。DRAM方面，DDR4因國(guó)際大廠策略調(diào)整導(dǎo)致供給收縮、價(jià)格上漲；DDR3及LPDDR3因部分客戶從DDR4向DDR3切回的需求增量，價(jià)格同步上漲。
　　東芯股份是國(guó)內(nèi)少數(shù)同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM存儲(chǔ)芯片公司，工信部“專精特新小巨人企業(yè)”。東芯股份采用1xnm NANDFlash、48nm NORFlash領(lǐng)先閃存制程。2026年正有序加大主要產(chǎn)品線的晶圓投片量，以匹配客戶訂單增長(zhǎng)，對(duì)下半年的產(chǎn)能保障抱有積極預(yù)期，具體規(guī)模將視下游實(shí)際需求動(dòng)態(tài)調(diào)整。
　　以存儲(chǔ)為核心，2024年起東芯股份向“存、算、聯(lián)”一體化領(lǐng)域布局。WiFi 7加速研發(fā)，參股子公司發(fā)布首款渲染GPU。2024年2月設(shè)立子公司億芯通感從事Wi-Fi 7芯片研發(fā)，精準(zhǔn)切入技術(shù)壁壘較高的路由、高端黑電透?jìng)骷败囕d類Wi-Fi等細(xì)分賽道，2025年Wi-Fi 7芯片已完成樣片測(cè)試。2024年8月，東芯以自有資金2億元投資上海礪算科技持有37.88%股權(quán)，并于2025年追加投資約2.11億元；2025年7月上海礪算發(fā)布首款自研6nm GPU“7G100”及首款顯卡產(chǎn)品Lisuan eXtreme。
　　上調(diào)盈利預(yù)測(cè)，維持中性評(píng)級(jí)。由于25Q3-26Q1 NAND/DRAM存儲(chǔ)價(jià)格大幅上漲，AI存儲(chǔ)行情的持續(xù)時(shí)間及幅度均超市場(chǎng)預(yù)期，2026年以來(lái)半導(dǎo)體存儲(chǔ)延續(xù)供不應(yīng)求趨勢(shì)，將2026-27年?duì)I收預(yù)測(cè)從11/14億元上調(diào)至20/23億元，價(jià)格上漲導(dǎo)致毛利率及凈利率均創(chuàng)新高，將歸母凈利潤(rùn)預(yù)測(cè)從0.05/1.8億元上調(diào)至5.5/5.0億元，新增2028年?duì)I收及歸母凈利潤(rùn)預(yù)測(cè)26.5/5.4億元。當(dāng)前東芯股份市值中包含GPU國(guó)產(chǎn)化資產(chǎn)礪算科技的重估預(yù)期，但該標(biāo)的無(wú)報(bào)表披露、無(wú)法用權(quán)益法核算，因此采用PS估值法，參考可比公司（普冉股份、寒武紀(jì)）2026 PS均值34X，較東芯股份2026年P(guān)S 35X低3%，維持“中性”評(píng)級(jí)。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：1）GPU產(chǎn)品市場(chǎng)拓展2）技術(shù)升級(jí)導(dǎo)致產(chǎn)品迭代風(fēng)險(xiǎn)3）東芯股份7-8月次公告股票嚴(yán)重異常波動(dòng)公告，請(qǐng)投資者關(guān)注股價(jià)波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)。