>> 東北證券-電子行業(yè)-摩爾盡，散熱興：三星HBM發(fā)布全新HPB封裝方案，存儲芯片端熱管理將迎爆發(fā)式增長-260603
| 上傳日期： |
2026/6/3 |
大?。?/td>
| 618KB |
| 格式： |
pdf 共7頁 |
來源： |
東北證券 |
| 評級： |
優(yōu)于大勢 |
作者： |
李玖 |
| 行業(yè)名稱： |
電子 |
| 下載權(quán)限： |
此報告為加密報告，僅限高級會員查看 |
|
|
事件：2026年6月2日，在舉行的Computex 2026電腦展上，三星電子首次展示了第八代高帶寬存儲芯片HBM5，并首次公開推出了HPB（HeatPass Block，導熱塊）散熱方案。
三星發(fā)布HBM5與HPB，內(nèi)嵌散熱成HBM行業(yè)方向。三星推出自研HPB（導熱塊）封裝內(nèi)置散熱方案。HPB已在HBM4E、三星旗艦處理器完成實測驗證，后續(xù)將配套HBM5量產(chǎn)，商業(yè)化條件成熟。行業(yè)層面，HBM走向12層堆疊帶來功耗增長，移動端2nm+端側(cè)AI芯片功耗攀升，VC、石墨等機身被動散熱觸及性能天花板。疊加三星擬對蘋果、高通開放HPB專利，內(nèi)嵌封裝散熱從三星自用走向全行業(yè)普及，驅(qū)動上游散熱零部件、配套材料產(chǎn)業(yè)鏈全面升級。
存儲芯片同步迭代，內(nèi)嵌金屬散熱片快速滲透。HPB依托銅材優(yōu)異導熱性能在芯片內(nèi)部建立高效導熱通路，推動內(nèi)嵌散熱片應用。手機端此前僅依靠機身VC、石墨外置散熱，HPB通過優(yōu)化芯片元器件排布，在裸晶上方加裝導熱塊，令Exynos2600散熱性能提升30%。隨著旗艦手機SoC逐步導入內(nèi)嵌散熱，手機封裝散熱片從零開啟滲透率提升，消費電子結(jié)構(gòu)件迎來新增量。
HPB配套催生3DTIM需求，國產(chǎn)熱界面材料迎來進口替代。HPB架構(gòu)搭配定制化3DTIM協(xié)同散熱，三星S26已經(jīng)擴大使用PCM與SEBS的復合3DTIM，相較傳統(tǒng)2D導熱材料散熱接觸面積提升118%。此前芯片級TIM市場長期由海外廠商壟斷，受益HPB在存儲、手機的規(guī)?；涞?，國內(nèi)廠商TIM產(chǎn)品陸續(xù)通過客戶可靠性驗證，逐步進入批量供貨階段，國產(chǎn)替代空間加速兌現(xiàn)。
相關(guān)公司：鴻日達、德邦科技。
1）鴻日達，持續(xù)聚焦于半導體封裝級金屬散熱片業(yè)務的研發(fā)、客戶驗證導入和量產(chǎn)工作，全力打造新增長曲線。
2）德邦科技，全面布局各規(guī)格TIM、DAF膠等配套材料，產(chǎn)品切入長鑫、長江存儲供應鏈，核心TIM1通過頭部封測認證，伴隨HPB在存儲、手機端滲透，公司導熱材料加速國產(chǎn)替代，業(yè)績有望釋放。
風險提示：技術(shù)發(fā)展不及預期、行業(yè)競爭加劇
|
|
