>> 中郵證券-立昂微(605358)AI拉動重?fù)叫枨?,射頻及光電強勁增長-260626
| 上傳日期: |
2026/6/26 |
大小: |
885KB |
| 格式: |
pdf 共5頁 |
來源: |
中郵證券 |
| 評級: |
買入 |
作者: |
吳文吉,翟一夢 |
| 下載權(quán)限: |
無限制-登錄即可下載 |
|
|
投資要點 AI拉動重?fù)叫枨?,加快重?fù)搅?、重?fù)缴槌妥璁a(chǎn)品迭代開發(fā)。AI需求拉動公司重?fù)疆a(chǎn)品增長,公司8寸、12寸重?fù)降妥韫杵?,主要配套AI服務(wù)器的功率器件與PMIC電源芯片。重?fù)降妥杌哪軌蛴行Ы档托酒瑢?dǎo)通電阻、減少功耗發(fā)熱;相較普通服務(wù)器,AI設(shè)備供電密度、瞬時工作電流大幅提升,只有重?fù)降妥璺桨覆拍芸刂茖?dǎo)通損耗、改善散熱,因此下游訂單持續(xù)向好。在重?fù)焦杵I(lǐng)域,公司持續(xù)鞏固領(lǐng)先地位,同步加快重?fù)搅?、重?fù)缴槌妥璁a(chǎn)品的迭代開發(fā)。其中12寸重?fù)缴椤?2寸重?fù)搅滓r底外延片等多款產(chǎn)品采用了全球領(lǐng)先的超重?fù)诫s單晶生長技術(shù),實現(xiàn)了極高濃度及高均勻性摻雜,襯底電阻率可低至0.001Ω·cm量級,可顯著降低功率器件的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗,滿足AI服務(wù)器電源對高效率、高功率密度的苛刻工況要求。具有獨創(chuàng)性的特色砷烷外延產(chǎn)品獲得客戶全方位認(rèn)可,出貨量及市場占有率強勢攀升;12寸MCZ超低氧拋光片精準(zhǔn)切入國內(nèi)外高壓IGBT市場并成功上量,廣泛應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域;全尺寸系列高質(zhì)量埋層外延產(chǎn)品在客戶端驗證通過,應(yīng)用于高頻濾波器的超高阻拋光片持續(xù)增量。 輕摻堅持高端差異化,CIS器件應(yīng)用領(lǐng)域28nm制程標(biāo)志性突破。公司以重?fù)骄w生長配套外延沉積技術(shù)為核心根基,全速推進12寸輕摻硅片的快速上量和新客戶拓展。公司12寸輕摻硅片產(chǎn)品線堅持高端化、差異化發(fā)展路線,充分發(fā)揮深厚的外延工藝技術(shù)積淀,著力構(gòu)建多元化的產(chǎn)品矩陣,區(qū)別于傳統(tǒng)輕摻硅片過度集中于特定應(yīng)用領(lǐng)域的市場格局,已在邏輯電路、BCD工藝、PMIC電源管理等非存儲類應(yīng)用領(lǐng)域形成全系列覆蓋。其中,邏輯電路用輕摻硼外延片,BCD工藝、PMIC電源用輕摻硼硅片等相較于常規(guī)輕摻硅片具有更高議價能力的核心產(chǎn)品已在客戶端快速上量;成功實現(xiàn)CIS器件應(yīng)用領(lǐng)域28nm制程標(biāo)志性突破,應(yīng)用于安防監(jiān)控、手機攝像及醫(yī)療檢測的CIS外延產(chǎn)品快速上量,特別是適配下一代更高像素CIS器件的漸變外延產(chǎn)品研發(fā)成功,國內(nèi)外頭部客戶積極驗證中。嘉興金瑞泓的產(chǎn)品定位于28nm先進制程用的12寸輕摻拋光片,產(chǎn)能規(guī)劃40萬片/月,目前月產(chǎn)能15萬片已經(jīng)投產(chǎn)。 功率器件芯片持續(xù)提升車規(guī)級比重,加速SGT、SJMOS、FRD等高端產(chǎn)品研發(fā)量產(chǎn)。公司全面啟動車規(guī)級產(chǎn)品對標(biāo)國際標(biāo)桿工程,建立動態(tài)技術(shù)對標(biāo)機制,集中突破FRD結(jié)構(gòu)優(yōu)化、SJMOS導(dǎo)通損耗、IGBT開關(guān)特性等關(guān)鍵技術(shù)瓶頸,新一代高頻低損耗、高可靠性FRD芯片在新能源汽車與工業(yè)控制領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國產(chǎn)替代。自主搭建的設(shè)計代工開發(fā)平臺獲得產(chǎn)業(yè)鏈主流廠商認(rèn)可,為工業(yè)通信、電源管理芯片自主可控提供重要支撐。2025全年完成225款新品開發(fā),其中FRD產(chǎn)品占比20%左右,某重點客戶應(yīng)用于大型風(fēng)光儲能1200V項目的產(chǎn)品順利實現(xiàn)量產(chǎn);SBD、TVS、MOS各品類新品完成梯度開發(fā)與客戶驗證,其中新能源控制芯片迭代款實現(xiàn)VR提升10%、VF下降2mV的性能優(yōu)化,產(chǎn)品競爭力顯著提升。 加快射頻和光電芯片產(chǎn)能釋放,全力拓展高速VCSEL、GaN-onSiC等高端產(chǎn)品。作為國內(nèi)較早建成6寸砷化鎵射頻芯片商業(yè)化產(chǎn)線的企業(yè),公司長期專注于HBT、pHEMT、BiHEMT、VCSEL及GaN-on-SiC等先進工藝的研發(fā)與量產(chǎn)。公司是國內(nèi)少數(shù)具備大規(guī)模量產(chǎn)能力的化合物半導(dǎo)體射頻及光電芯片制造平臺,技術(shù)與產(chǎn)能均處于全球前列,尤其在VCSEL與GaN-on-SiC工藝上實現(xiàn)了引領(lǐng)性突破:公司目前是中國大陸?yīng)毤摇⑷蛭ǘ軌蚍€(wěn)定量產(chǎn)二維可尋址VCSEL芯片的廠商,該技術(shù)已成功應(yīng)用于高端激光雷達領(lǐng)域;公司是國內(nèi)唯一穩(wěn)定供應(yīng)星載0.15μmE/D-pHEMT雙工藝射頻芯片的廠商,有效打破了國外壟斷。此外,公司開發(fā)的6寸GaN-on-SiC晶圓性能已達到國際先進水平,全方位鞏固了公司在該領(lǐng)域的核心競爭地位。產(chǎn)能方面,海寧基地一期年產(chǎn)6萬片產(chǎn)線進入產(chǎn)量爬坡階段,已通過多家核心客戶審核;2026年將逐步釋放新增產(chǎn)能,實現(xiàn)HBT、2DVCSEL、6寸GaN-onSiC等高端產(chǎn)品規(guī)?;慨a(chǎn)。杭州基地產(chǎn)線效能大幅提升,晶圓入庫量及出貨量創(chuàng)歷史新高。目前兩大基地合計年產(chǎn)能15萬片,通過協(xié)同制造保障客戶多樣化訂單需求,增強抗周期能力與綜合盈利能力。 投資建議 我們預(yù)計公司2026/2027/2028年分別實現(xiàn)收入50/70/85億元,歸母凈利潤分別為2.9/7.1/10.6億元,維持“買入”評級。 風(fēng)險提示 行業(yè)周期波動風(fēng)險,技術(shù)迭代風(fēng)險,市場競爭風(fēng)險,人才短缺風(fēng)險,原材料價格波動風(fēng)險,存貨減值的風(fēng)險,商譽減值風(fēng)險。
|
|