>> 國泰君安-中微公司(688012)三季報點評：新簽訂單超預(yù)期，先進工藝能力領(lǐng)銜自主可控-221108
| 上傳日期： |
2022/11/8 |
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| 378KB |
| 格式： |
pdf 共3頁 |
來源： |
國泰君安 |
| 評級： |
增持 |
作者： |
王聰,舒迪 |
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本報告導讀：
公司刻蝕設(shè)備優(yōu)勢明顯，同時積極推進MOCVD設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備，訂單高速增長，業(yè)績有望持續(xù)高增。
投資要點：
維持“增持”評級，維持目標價164元。公司刻蝕設(shè)備加速增長，薄膜沉積設(shè)備穩(wěn)步推進，業(yè)績進入增長快車道，維持其2022-2024年EPS為1.78/2.34/2.97元。考慮ICP雙機臺優(yōu)勢明顯，國內(nèi)產(chǎn)線滲透加速推進，給予其2023年70倍PE，維持目標價164元。
前三季度新簽訂單超預(yù)期達56.4億元，ICP加速上量。公司公布3Q22財報，單季度實現(xiàn)營收10.71億元，同比增長45.9%；扣非后歸母凈利潤2.03億元，同比增長96.7%。期末存貨32.4億元，合同負債19.7億元，均創(chuàng)歷史新高。前三季度新簽訂單56.4億元，同比增長60.24%；第三季度新簽訂單25.8億元。
CCP新型號持續(xù)開發(fā)，ICP雙臺優(yōu)勢顯著，公司刻蝕設(shè)備業(yè)績高速增長。開發(fā)新型CCP，涵蓋5nm以下邏輯芯片和200層以上3DNAND存儲芯片。開發(fā)新型ICP，涵蓋7nm及以下的邏輯、17nm及以下的DRAM和3DNAND存儲，優(yōu)化開發(fā)雙臺ICP刻蝕設(shè)備。
公司為國內(nèi)稀缺的具備5nm先進制程能力與經(jīng)驗的廠商，領(lǐng)銜半導體自主可控將是眾望所歸。公司鎢薄膜沉積設(shè)備目前已通過關(guān)鍵客戶的工藝驗證，并積極推進設(shè)備在客戶產(chǎn)線進行量產(chǎn)驗證。在薄膜、刻蝕、量測這三類美系設(shè)備極強環(huán)節(jié)，公司在刻蝕領(lǐng)域產(chǎn)品覆蓋面全，并陸續(xù)開發(fā)鎢CVD薄膜設(shè)備，在整線國產(chǎn)化進程中，具有領(lǐng)銜示范作用。
風險提示：下游晶圓產(chǎn)能擴充不及預(yù)期；新品研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化不及預(yù)期。
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