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襯底環(huán)節(jié)目前新技術的核心均在于提高產能。在襯底制備環(huán)節(jié)，由于新興技術液相法制備的襯底具備缺陷少、品質高等優(yōu)勢，多家國內外廠商均在進行液相路徑制備技術的研發(fā)。在襯底加工環(huán)節(jié)，冷切割技術可以有效降低材料損耗，同一晶體可切出的晶圓數量增加了50%以上。襯底擴徑方面，Wolfspeed位于紐約州的Mohawk Valley工廠將用于制造8寸碳化硅產品，若將尺寸由6英寸提高至8英寸，SiC的單片面積將增大77.8%，可利用面積大大提高。
　　器件環(huán)節(jié)新設計未來有望提升效率與性能。溝槽式設計相比平面式設計，在尺寸、損耗等方面均更具優(yōu)勢。據羅姆2020年對其第4代SiCMOSFET的聲明，公司將導通損耗降低了40%，從而實現了等效的40%的芯片尺寸縮減；并通過大幅降低柵漏電容（Cgd），成功地使開關損耗比以往產品降低約50%。同時，雖然SiCIGBT目前并未得到廣泛應用，但未來在PET等中高壓電子電力領域，SiCIGBT也有望開啟產業(yè)化進程。
　　我們認為，碳化硅行業(yè)正處于高速發(fā)展中，未來潛在的新技術突破有望成為行業(yè)格局變化、供需節(jié)奏轉變的關鍵節(jié)點。
　　投資建議：關注中瓷電子等。
　　風險提示：產能擴張不及預期，行業(yè)景氣度不及預期風險；技術研發(fā)風險。