久久一日本道色综合久久_国产最爽的av片在线观看_精品成人Av一区二区三区_94久久国产乱子伦精品免费_国产三级网站在线观看_和女邻居做爰在线观看_wymfw最新免费_国产强奷在线免费阅读_95在线观看视频

特斯拉將在下一代動(dòng)力平臺(tái)削減75%碳化硅，關(guān)注三大潛在方案的影響
　　3月2日，特斯拉在投資者日上宣布在下一代動(dòng)力平臺(tái)中削減75%碳化硅，引發(fā)全球半導(dǎo)體投資人對(duì)碳化硅市場(chǎng)前景的擔(dān)憂(yōu)，Wolfspeed（-6.8%）、天岳先進(jìn)（-10.1%）等國(guó)內(nèi)外主要公司當(dāng)日股價(jià)出現(xiàn)明顯回調(diào)。經(jīng)過(guò)分析，我們認(rèn)為以下三種方案之一或組合，可能降低采用碳化硅的電驅(qū)系統(tǒng)成本：1）現(xiàn)有平面MOSFET的微小化；2）溝槽MOSFET；3）碳化硅MOSFET+硅基IGBT混合方案。此外，也需要關(guān)注目前主要用于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品的GaN是否能夠在部分場(chǎng)景實(shí)現(xiàn)替代SiC，我們看到Navitas等在積極布局。我們認(rèn)為該事件可能利好具備較強(qiáng)設(shè)計(jì)能力、模塊封裝能力的碳化硅器件公司。
　　方案一：平面碳化硅MOSFET技術(shù)迭代，新代際產(chǎn)品成本降低
　　該方案即在原有的平面型SiCMOS技術(shù)路徑上進(jìn)行代際升級(jí)。以特斯拉目前的核心供應(yīng)商意法半導(dǎo)體為例，其推出的第三代平面SiCMOSFETRDS(on)芯片面積指標(biāo)與RDS(on) Qg相對(duì)于第二代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)20-25%的改良，實(shí)現(xiàn)在給定導(dǎo)通電阻條件下，芯片面積更小、功率密度更高、導(dǎo)通損耗更低、無(wú)緣器件數(shù)量更少，具有更高的性能和更低的成本。意法半導(dǎo)體第四代SiCMOSFET產(chǎn)品已通過(guò)認(rèn)證測(cè)試，公司預(yù)計(jì)2023年逐步推向市場(chǎng)。我們認(rèn)為若特斯拉在新平臺(tái)采用新代際的碳化硅平面MOSFET產(chǎn)品，可以實(shí)現(xiàn)成本節(jié)約。我們看到斯達(dá)、時(shí)代電氣、士蘭微等在平面型領(lǐng)域積極布局。
　　方案二：溝槽型替換平面型，具備強(qiáng)設(shè)計(jì)能力/模塊封裝能力公司有望受益
　　以羅姆第三代溝槽型產(chǎn)品為例，其可較第二代平面型產(chǎn)品降低50%的導(dǎo)通電阻和35%的輸入電容，占用晶圓面積更小。因此，溝槽型產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)單片晶圓上的芯片數(shù)量明顯提升。若車(chē)企采用該方案進(jìn)行替代可實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)所用芯片總數(shù)減少及成本降低。但技術(shù)的難點(diǎn)在于：1）溝槽工藝下拐角磨蝕形成的物理?yè)p傷和化學(xué)殘留會(huì)影響后續(xù)使用可靠性2）單顆芯片承受高倍的電流需要更強(qiáng)的散熱能力，對(duì)整車(chē)廠及其供應(yīng)商的設(shè)計(jì)、封裝等能力提出更高要求。因此，我們認(rèn)為擁有較強(qiáng)碳化硅芯片設(shè)計(jì)能力的公司，以及模塊封裝能力的公司有望受益此趨勢(shì)。
　　方案三：碳化硅+IGBT混合模塊方案，利好模塊封裝能力強(qiáng)的企業(yè)
　　該方案將原有的TPAK封裝中部分碳化硅器件替換為IGBT，封裝成混合模塊，再將若干個(gè)混合模塊并聯(lián)。我們看到目前海外實(shí)驗(yàn)室已成功研發(fā)出FREEDM-PAIR混合模塊，并證實(shí)該方案的可行性。車(chē)企若采用SiCMOSFET和IGBT的混合模塊方案可以明顯降低成本。但該技術(shù)的難點(diǎn)在于碳化硅MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電壓和工作頻率不同，合封的兼容難度較大。目前羅姆推出的第四代溝槽型碳化硅MOSFET已實(shí)現(xiàn)與IGBT共用柵極驅(qū)動(dòng)電路，但尚未量產(chǎn)。我們認(rèn)為碳化硅與IGBT的合封模塊方案技術(shù)難度較高，在模塊封裝領(lǐng)域有深厚積累的公司有望受益。
　　建議關(guān)注氮化鎵功率器件替換碳化硅或作為降本路徑
　　GaN元件具備耐高溫、高頻、高效率等優(yōu)勢(shì)，常用于高功率應(yīng)用場(chǎng)景，GaN取代SiC或成為一種降本路徑，目前布局GaN的公司包括Navitas、PI和英諾賽科、臺(tái)積電、世界先進(jìn)、聯(lián)電。其中臺(tái)積電作為全球?yàn)閿?shù)不多GaN代工工廠，第二代650V/100VE-HEMT性能較一代提升50%，進(jìn)入全產(chǎn)能量產(chǎn)階段，目前正在開(kāi)發(fā)第三代產(chǎn)品，臺(tái)積電預(yù)計(jì)在2025年推出。GaN目前主要應(yīng)用于消費(fèi)電子領(lǐng)域，在電動(dòng)車(chē)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中尚無(wú)大規(guī)模商用案例，建議關(guān)注后續(xù)進(jìn)展。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：下游新能源汽車(chē)、光伏等需求不及預(yù)期，溝槽型SiCMOSFET技術(shù)進(jìn)展不及預(yù)期，碳化硅滲透率不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)。