◆事件: 特斯拉投資者說明會(huì)在3月1日舉行，會(huì)上表示，為了實(shí)現(xiàn)更具規(guī)?；男履茉雌嚿a(chǎn)，特斯拉的下一代驅(qū)動(dòng)單元將減少75%的碳化硅(75%reduction in silicon carbide)，作為合計(jì)降低1000美金成本的手段之一。 ◆碳化硅芯片面積減少是技術(shù)發(fā)展的結(jié)果，利于降低成本 碳化硅器件制造成本中，約47%為襯底材料，從馬斯克“第一性原理”出發(fā)，減少碳化硅用量最根本的方法為減少碳化硅芯片面積。 基于工藝的進(jìn)步和設(shè)計(jì)的優(yōu)化，SiCMOSFET性能逐代提升，單位導(dǎo)通電阻值需要的芯片面積將越來越小。比導(dǎo)通電阻值(Ron,sp)是評(píng)價(jià)單極型功率器件性能的重要指標(biāo)，其物理意義為器件導(dǎo)通電阻乘以芯片有源區(qū)(有效導(dǎo)通區(qū)域)面積，數(shù)值越小表示技術(shù)水平越高，即相同導(dǎo)通電阻值產(chǎn)品所需的芯片面積越小。 據(jù)特斯拉碳化硅器件供應(yīng)商意法半導(dǎo)體，2014至2022年，意法的SiCMOSFET已迭代至第四代，較第一代產(chǎn)品的面積減少約80%，并且，意法正在設(shè)計(jì)溝槽柵SiCMOSFET，溝槽柵設(shè)計(jì)能夠進(jìn)一步降低碳化硅芯片導(dǎo)通電阻，從而能以更小尺寸的芯片達(dá)到相同的使用能效。 特斯拉的動(dòng)力工程副總Colin Campbell在投資者會(huì)議也表示，碳化硅晶圓尺寸能變得更小，從而降低更多成本。(“The silicon carbide waferthat’s inside those packages can be much smaller. And siliconcarbide is an amazing semiconductor, but it's also expensive andit’ s really hard to scale. So using less of it is a big win for us”)。該說法也指向碳化硅芯片面積的減少。 ◆降本將促進(jìn)行業(yè)總量增長(zhǎng)，碳化硅仍是大勢(shì)所趨 從碳化硅芯片端分析，特斯拉所述的“75%碳化硅用量減少”能夠通過使用更小的芯片實(shí)現(xiàn),并且芯片面積減少是碳化硅芯片的行業(yè)發(fā)展規(guī)律。我們認(rèn)為，特斯拉的表述偏中性,即陳述碳化硅成本高，需要通過減少碳化硅用量實(shí)現(xiàn)降本的事實(shí)。目前碳化硅在新能源的應(yīng)用尚未普及，主要原因?yàn)槌杀具^高。碳化硅芯片面積的減少能夠降低成本，帶動(dòng)碳化硅的規(guī)模化應(yīng)用，對(duì)行業(yè)的長(zhǎng)期發(fā)展起到促進(jìn)作用。行業(yè)頭部公司的近期也表達(dá)出樂觀的遠(yuǎn)期規(guī)劃，安森美有望在2023年交付10億美元,而公司現(xiàn)在在2023年至2025年期間獲得承諾的碳化硅收入超過45億美元;英飛凌表示，到2027年，英飛凌的SiC制造能力將比2022年增長(zhǎng)十倍;相干公司表示，公司繼續(xù)擴(kuò)充碳化硅襯底和外延產(chǎn)能，公司35%-50%的資本開支將用于碳化硅。 ◆風(fēng)險(xiǎn)提示:新能源車銷量不及預(yù)期、國(guó)內(nèi)芯片設(shè)計(jì)、制造端遭遇技術(shù)瓶頸、產(chǎn)能建設(shè)不及預(yù)期、競(jìng)爭(zhēng)加劇的風(fēng)險(xiǎn)
