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事件：3月8日，荷蘭政府表示計(jì)劃對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)出口實(shí)施新的限制。
　　中國(guó)10nm及更成熟制程光刻機(jī)的進(jìn)口并不受本次限制影響。ASML在3月8日的最新聲明中指出，最新出口限制局限于7nm及以下制程，側(cè)重于先進(jìn)的芯片制造技術(shù)，包括最先進(jìn)的沉積設(shè)備和浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)，主要為DUV光刻機(jī)TWINSCANNXT：2000i和TWINSCANNXT：2050i兩款產(chǎn)品，而未被禁運(yùn)的NXT 1980i等設(shè)備仍可支持最低至10nm的芯片生產(chǎn)。也就是說(shuō)，荷蘭實(shí)際實(shí)施的禁運(yùn)措施比美國(guó)去年10月的芯片管制新規(guī)更加寬松（管制新規(guī)禁運(yùn)美國(guó)14nm及以下設(shè)備）。
　　光刻機(jī)技術(shù)難度極高，ASML在光刻機(jī)領(lǐng)域一家獨(dú)大。作為集成電路的核心設(shè)備之一，光刻機(jī)決定了集成電路的集成度，技術(shù)難度極高。精細(xì)至納米級(jí)別的復(fù)雜系統(tǒng)與操作、超高良率和長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行的要求共同構(gòu)成了光刻機(jī)的技術(shù)壁壘。經(jīng)歷五代產(chǎn)品更迭，光刻機(jī)從最初的g-line發(fā)展到EUV光刻。ASML作為全球光刻機(jī)市場(chǎng)的龍頭，其光刻技術(shù)擁有絕對(duì)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，在EUV、ArFi和ArF領(lǐng)域市占率分別高達(dá)100%、96%和88%。目前，我國(guó)的光刻機(jī)仍處于產(chǎn)業(yè)化的起步階段。
　　市場(chǎng)悲觀預(yù)期筑底，國(guó)內(nèi)資本開(kāi)支及設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率有超預(yù)期機(jī)會(huì)。下游晶圓廠資本開(kāi)支方面，我們認(rèn)為供應(yīng)鏈安全為當(dāng)前國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)核心矛盾，國(guó)內(nèi)成熟制程晶圓產(chǎn)能尚不足實(shí)現(xiàn)完全自給，即使在半導(dǎo)體行業(yè)景氣度下行背景下，行業(yè)龍頭中芯國(guó)際預(yù)計(jì)2023年資本開(kāi)支與上一年基本持平，維持在60億美元以上。同時(shí)，部分存儲(chǔ)產(chǎn)線受益管制的邊際放松和產(chǎn)品規(guī)劃的調(diào)整資本開(kāi)支有超市場(chǎng)預(yù)期機(jī)會(huì)，部分特殊產(chǎn)線亦有望快速推進(jìn)。國(guó)產(chǎn)化率角度看，目前半導(dǎo)體設(shè)備整體國(guó)產(chǎn)化率整體僅15%左右，我們認(rèn)為在新型舉國(guó)體制背景下，下游晶圓廠有望加速導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)設(shè)備，有以成本和良率換國(guó)產(chǎn)化率的可能，因此國(guó)產(chǎn)化率存在潛在超預(yù)期機(jī)會(huì)。整體來(lái)看，我們認(rèn)為即使今年國(guó)內(nèi)資本開(kāi)支受到外部設(shè)備管制的負(fù)面影響，但國(guó)產(chǎn)化率的加速提升有望對(duì)沖掉資本開(kāi)支下行的負(fù)面影響，半導(dǎo)體設(shè)備廠商依然有望在今年迎來(lái)加速式成長(zhǎng)。
　　投資建議與投資標(biāo)的
　　荷蘭政府最新限制局限于7nm及以下制程，中國(guó)10nm及更成熟制程光刻機(jī)的進(jìn)口不受本次限制影響。目前半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)空間廣闊，我們看好國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速推進(jìn)。建議關(guān)注國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)先企業(yè)中微公司(688012，買入)、精測(cè)電子(300567，買入)、芯源微(688037，買入)、拓荊科技-U(688072，買入)、北方華創(chuàng)(002371，未評(píng)級(jí))等。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示
　　中美貿(mào)易摩擦升級(jí)風(fēng)險(xiǎn)；美荷進(jìn)一步限制光刻機(jī)出口風(fēng)險(xiǎn)；國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商發(fā)展不及預(yù)期。