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中國(guó)將對(duì)美光進(jìn)行安全審查，彰顯自主可控決心。3月31日，根據(jù)網(wǎng)信辦官網(wǎng)披露，網(wǎng)信辦為保障關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈安全，對(duì)美光公司（Micron）在華銷售的產(chǎn)品實(shí)施網(wǎng)絡(luò)安全審查。我們認(rèn)為，實(shí)施審查一方面利好國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)企業(yè)的發(fā)展；另一方面，此舉也彰顯了我國(guó)在存儲(chǔ)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)自主可控的信心，利好國(guó)內(nèi)研發(fā)進(jìn)展較快的設(shè)備和零部件公司。
　　日本跟進(jìn)美國(guó)限制半導(dǎo)體設(shè)備的出口，國(guó)內(nèi)零部件等領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)替代有望加速。3月31日，根據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞網(wǎng)，日本政府將限制半導(dǎo)體制造設(shè)備等23種品類的出口，是繼荷蘭之后，即將履行與美國(guó)達(dá)成的限制中國(guó)進(jìn)口用于生產(chǎn)尖端半導(dǎo)體的設(shè)備的三方協(xié)議。在美國(guó)制裁中國(guó)設(shè)備采購(gòu)之后，國(guó)內(nèi)眾多制造企業(yè)增加了對(duì)于日韓零部件和設(shè)備的采購(gòu)，此次日本的出口限制增加了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的不穩(wěn)定性，同時(shí)也將敦促國(guó)內(nèi)的FAB廠和設(shè)備公司加強(qiáng)對(duì)于國(guó)產(chǎn)零部件和設(shè)備的驗(yàn)證，國(guó)產(chǎn)替代有望加速。
　　半導(dǎo)體設(shè)備方面，推薦引領(lǐng)存儲(chǔ)領(lǐng)域制程進(jìn)步的設(shè)備公司。目前128層3DNAND閃存已進(jìn)入大生產(chǎn)，其制造工藝中，刻蝕要在氧化硅和氮化硅的疊層結(jié)構(gòu)上，加工40：1到60：1甚至更高的極深孔或極深的溝槽。根據(jù)中微公司的年報(bào)，公司的等離子體刻蝕設(shè)備可應(yīng)用于64層和128層的量產(chǎn)，同時(shí)公司根據(jù)存儲(chǔ)器件客戶的需求正在開(kāi)發(fā)極高深寬比的刻蝕設(shè)備和工藝，開(kāi)發(fā)的三代CCP高能等離子體刻蝕機(jī)已實(shí)現(xiàn)刻蝕60:1極高深寬比。因此，我們推薦在極高深寬比方面獲得突破的中微公司（和廣發(fā)電子組聯(lián)合覆蓋）。
　　設(shè)備零部件方面，推薦在特氣輸送領(lǐng)域形成競(jìng)爭(zhēng)力的零部件公司。3DNAND層數(shù)的增加，要求刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高的深寬比，同時(shí)增加了刻蝕次數(shù)，對(duì)刻蝕設(shè)備的需求比例進(jìn)一步加大。且干法刻蝕需要用到大量的特氣，其中的特氣閥門要求很高的表面潔凈度、且需要定期更換，需求量可觀，同時(shí)特氣需要用gas box進(jìn)行調(diào)配。這些零部件均為國(guó)產(chǎn)替代持續(xù)進(jìn)行的關(guān)鍵領(lǐng)域。我們推薦Gas box訂單放量的正帆科技和在特氣閥門形成競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的新萊應(yīng)材，建議關(guān)注同樣布局Gas box的富創(chuàng)精密。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示。國(guó)外關(guān)鍵設(shè)備制裁加劇風(fēng)險(xiǎn)；國(guó)內(nèi)設(shè)備驗(yàn)證不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)；國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體景氣度較弱影響資本開(kāi)支的風(fēng)險(xiǎn)。