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事件
　　近日，連城數(shù)控、晶盛機(jī)電等領(lǐng)先拉晶設(shè)備企業(yè)先后發(fā)布新品。連城數(shù)控發(fā)布KX420PV單晶爐，晶盛機(jī)電發(fā)布第五代單晶爐，共同特點(diǎn)是引入了磁場(chǎng)模塊，可有效降低硅片氧含量、提升硅片品質(zhì)。
　　主要觀點(diǎn)
　　N型技術(shù)對(duì)于硅片質(zhì)量要求更高
　　核心要求在于碳氧含量更低、少子壽命更高。目前N型電池?cái)U(kuò)產(chǎn)的主流技術(shù)路線是TOPCon。TOPCon為高溫工藝，會(huì)激發(fā)氧原子，硅片中的氧沉淀形成氧環(huán)、缺陷放大，產(chǎn)生同心圓、暗片等問(wèn)題，對(duì)電池效率產(chǎn)生較大影響。因此，隨著N型滲透率的提升，硅片質(zhì)量及生產(chǎn)技術(shù)需要新的升級(jí)。
　　現(xiàn)有技術(shù)臻于成熟，引入磁場(chǎng)是可行方向
　　硅片中氧和雜質(zhì)的來(lái)源包括硅熔體與坩堝反應(yīng)、硅料中自帶氧和雜質(zhì)等。因此拉晶過(guò)程中對(duì)于硅熔體對(duì)流的控制較為重要。目前主流RCZ技術(shù)在熱場(chǎng)、加熱器、爐體設(shè)計(jì)及拉晶工藝等方面已臻于成熟。新技術(shù)方面，目前較為可行的方向是在拉晶爐中加入磁場(chǎng)模塊（MCZ技術(shù)），通過(guò)引入磁場(chǎng)，可有效抑制硅熔體熱對(duì)流，降低氧的形成和傳輸，從而降低晶體中氧含量。另外，磁場(chǎng)在抑制單晶中生長(zhǎng)條紋、提高雜質(zhì)徑向分布均勻性等方面也十分有效，可以全面提升硅片品質(zhì)。MCZ技術(shù)在半導(dǎo)體中應(yīng)用較為普遍，根據(jù)新思界，目前全球范圍內(nèi)MCZ是生產(chǎn)300mm及以上尺寸半導(dǎo)體級(jí)單晶硅的主要方法。
　　MCZ技術(shù)成本更高，未來(lái)有下降空間
　　磁場(chǎng)包括永磁場(chǎng)、勾型磁場(chǎng)、水平磁場(chǎng)、超導(dǎo)磁場(chǎng)等。從半導(dǎo)體發(fā)展路徑看，超導(dǎo)磁場(chǎng)相對(duì)較為主流。采用超導(dǎo)磁體提供5000Gs穩(wěn)定磁場(chǎng)的MCZ技術(shù)是目前國(guó)際上生產(chǎn)300mm以上大尺寸半導(dǎo)體級(jí)單晶硅的最主要方法。從成本看，MCZ需要單晶爐增加磁場(chǎng)模塊，并在生產(chǎn)過(guò)程中帶來(lái)額外磁場(chǎng)電力消耗，因此整體生產(chǎn)成本高于RCZ。隨著技術(shù)進(jìn)步及產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)，我們認(rèn)為MCZ單晶爐成本及電力消耗存在較大下降空間，從而實(shí)現(xiàn)成本上的追趕。
　　投資建議
　　我們認(rèn)為MCZ技術(shù)可以有效提升硅片品質(zhì)，有望逐步推廣應(yīng)用，帶來(lái)拉晶設(shè)備和相應(yīng)零部件新的投資機(jī)會(huì)，同時(shí)領(lǐng)先硅片企業(yè)有望在技術(shù)進(jìn)步中獲得更大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，享受技術(shù)紅利。
　　硅片：推薦高測(cè)股份、雙良節(jié)能，建議關(guān)注TCL中環(huán)、隆基綠能。
　　設(shè)備：建議關(guān)注晶盛機(jī)電、連城數(shù)控、奧特維。
　　零部件：建議關(guān)注西部超導(dǎo)、辰光醫(yī)療。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示
　　技術(shù)進(jìn)展不計(jì)預(yù)期，成本下降不及預(yù)期。