>> 華泰證券-科技行業(yè)專題研究：供需錯配推動半導(dǎo)體制造國產(chǎn)化加速-230607
| 上傳日期： |
2023/6/7 |
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pdf 共33頁 |
來源： |
華泰證券 |
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增持 |
作者： |
黃樂平,丁寧 |
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中國半導(dǎo)體供需錯配，設(shè)備材料國產(chǎn)化成為關(guān)鍵一環(huán)
我們認(rèn)為半導(dǎo)體設(shè)備和材料是中國半導(dǎo)體行業(yè)國產(chǎn)化的關(guān)鍵一環(huán)，美國、日本進(jìn)一步收緊出口限制，中國半導(dǎo)體當(dāng)前面臨國內(nèi)需求遠(yuǎn)大于國內(nèi)供應(yīng)鏈產(chǎn)能的供需錯配現(xiàn)象。2022年中國計算、手機、汽車、通信等系統(tǒng)廠商半導(dǎo)體消費額超過1068億美元，約占全球半導(dǎo)體消費額的25%，而中國代工收入僅為全球10%。在半導(dǎo)體設(shè)備（全球市占率5%）、材料（全球市占率9%）、零部件（全球市占率5%）等環(huán)節(jié)存在嚴(yán)重“卡脖子”問題。在國產(chǎn)化推動下，我們看好：（1）設(shè)備：刻蝕、薄膜沉積、量檢測等；（2）零部件：射頻電源、光學(xué)鏡頭、金屬結(jié)構(gòu)件等，（3）材料：光刻膠、拋光液/墊等投資機會。
去年10/07美國進(jìn)一步收緊限制，中國半導(dǎo)體行業(yè)外部環(huán)境進(jìn)一步惡化
中國半導(dǎo)體行業(yè)外部環(huán)境持續(xù)惡化，2022年10月7日美國商務(wù)部宣布修訂《出口管理條例》，限制中國進(jìn)口可用于加工14/16nm及以下邏輯芯片、可用于加工18nm及以下的DRAM芯片和128層及以上的NAND芯片的設(shè)備，長江存儲、合肥萬億芯、寒武紀(jì)、深圳鵬芯微、上海微電子等被列入實體清單。日本于5月23日月底落實《外匯及外國貿(mào)易法》，限制出口包括尖端極紫外線（EUV）光刻機在內(nèi)的23種芯片制造設(shè)備。中國目前面臨，（1）先進(jìn)工藝產(chǎn)線缺乏整套設(shè)備進(jìn)行擴產(chǎn)（2）已經(jīng)建成的先進(jìn)工藝邏輯、存儲產(chǎn)線，后續(xù)無法獲得部分關(guān)鍵零部件、軟件服務(wù)等問題。
設(shè)備：關(guān)注先進(jìn)制程突破以及量測、涂膠顯影等環(huán)節(jié)國產(chǎn)化率提升
我們估計2022年國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場國產(chǎn)化率約17.3%（收入口徑）。中國企業(yè)在干法刻蝕（中微、北方華創(chuàng)）、清洗（盛美、至純）、去膠設(shè)備（屹唐）等均已實現(xiàn)較高國產(chǎn)化率，CMP、薄膜沉積、量測等設(shè)備成熟制程均有產(chǎn)品推出。國內(nèi)尚未獲得突破的設(shè)備主要為光刻設(shè)備，28nm及以下薄膜沉積、刻蝕、量測檢測、離子注入和涂膠顯影等環(huán)節(jié)僅覆蓋部分步驟。14nm及以下設(shè)備僅刻蝕、清洗、氧化發(fā)展較快，先進(jìn)制程為設(shè)備國產(chǎn)化的下一個角力點。
設(shè)備零部件：作為發(fā)展的基石，國產(chǎn)化地位開始受到重視
2022年全球半導(dǎo)體設(shè)備廠商所需零部件的市場規(guī)模約517億美元，同比增長5.9%。目前我國半導(dǎo)體零部件產(chǎn)業(yè)尚處于起步期，核心零部件仍然依賴進(jìn)口。根據(jù)芯謀研究，目前石英、噴淋頭、邊緣環(huán)等零部件國產(chǎn)化率達(dá)到10%以上，射頻發(fā)生器、MFC、機械臂等零部件的國產(chǎn)化率在1%-5%，而閥門、靜電吸盤、測量儀表等零部件的國產(chǎn)化率不足1%。此前國產(chǎn)設(shè)備廠商為了保障自身設(shè)備穩(wěn)定性，較少嘗試國產(chǎn)零部件，新冠疫情造成部分零部件產(chǎn)能緊張，國外廠商零部件交期延遲，為國產(chǎn)替代帶來契機，同時美國出口管制加劇化，半導(dǎo)體設(shè)備零部件國產(chǎn)化重要性凸顯。
材料：掩模版、光刻膠、大硅片國產(chǎn)化率較低
2022年全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模達(dá)到698億美元，中國大陸地區(qū)半導(dǎo)體材料規(guī)模132億美元，占全球總規(guī)模的18.9%。半導(dǎo)體材料種類繁多，競爭格局分散，目前整體國產(chǎn)化率為20%左右。具體品類來看，其中電子特氣、濕化學(xué)品的壁壘主要在于精度/純度，國產(chǎn)公司已經(jīng)能在部分產(chǎn)品做到國際標(biāo)準(zhǔn)水平，國產(chǎn)化率約30%以上；硅片、靶材、CMP耗材對加工的工藝要求比較高，國產(chǎn)化率約在20-30%。替換成本較高，涉及前后道工序的光掩模版、光刻膠國產(chǎn)化率在10%以下，尤其ArF光刻膠目前仍未實現(xiàn)國產(chǎn)量產(chǎn)突破。
風(fēng)險提示：中美貿(mào)易摩擦升級，半導(dǎo)體周期下行。
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