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本期投資提示：
　　碳化硅具有耐高溫、高壓等優(yōu)勢(shì)，滲透率提升空間大。隨著應(yīng)用場(chǎng)景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展迅速。與第一代半導(dǎo)體材料硅相比，碳化硅具備更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、飽和電子漂移速率、熱導(dǎo)性和熱穩(wěn)定性，更適合在高壓、高頻、高功率等領(lǐng)域中應(yīng)用，并且能實(shí)現(xiàn)器件小型化、輕量化。根據(jù)羅姆官網(wǎng)數(shù)據(jù)，相同規(guī)格下SiC器件體積約為硅基器件的1/10。
　　縱觀產(chǎn)業(yè)鏈，襯底占碳化硅器件制造成本47%（中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)）。碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈依次分為：襯底、外延、器件和終端應(yīng)用。1）在制造襯底的多個(gè)工序中晶體生長(zhǎng)是核心難點(diǎn)，國(guó)內(nèi)襯底良率偏低。由于SiC晶棒生長(zhǎng)速度慢，晶體生長(zhǎng)對(duì)各種參數(shù)要求高、工藝復(fù)雜，同時(shí)采用主流PVT法導(dǎo)致生長(zhǎng)過程不可見，國(guó)內(nèi)襯底良率偏低。2）我們判斷長(zhǎng)晶難點(diǎn)在于工藝而非設(shè)備本身。天科合達(dá)、同光爍科等自研長(zhǎng)晶設(shè)備，天岳先進(jìn)雖外購(gòu)但熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、控制軟件以及組裝調(diào)試工作均自行完成并擁有碳化硅單晶制備技術(shù)專利。根據(jù)晶升股份招股說明書，預(yù)計(jì)北方華創(chuàng)占國(guó)內(nèi)碳化硅廠商采購(gòu)份額50%以上，晶升股份市占率約為27.47%-29.01%，二者占國(guó)內(nèi)長(zhǎng)晶爐超77%。3）外延處產(chǎn)業(yè)鏈中間環(huán)節(jié)，設(shè)備交付周期長(zhǎng)。外延設(shè)備被行業(yè)四大龍頭壟斷，主流SiC高溫外延設(shè)備交付周期拉長(zhǎng)。
　　襯底市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局集中，國(guó)產(chǎn)襯底廠商進(jìn)展超預(yù)期。1）2020年全球?qū)щ娦吞蓟枰r底市場(chǎng)中CR3約89%，競(jìng)爭(zhēng)格局集中。國(guó)外企業(yè)多以IDM模式布局全產(chǎn)業(yè)鏈，而國(guó)內(nèi)企業(yè)傾向?qū)Ｗ蝹€(gè)環(huán)節(jié)制造。2）國(guó)產(chǎn)襯底進(jìn)展超預(yù)期。2023年4月，天岳先進(jìn)在2022年年報(bào)披露與博世集團(tuán)簽署長(zhǎng)期協(xié)議；5月，英飛凌宣布與天科合達(dá)和天岳先進(jìn)2家SiC襯底廠商簽訂長(zhǎng)期協(xié)議，并預(yù)計(jì)2家供應(yīng)量均將占到英飛凌長(zhǎng)期需求量的兩位數(shù)份額。國(guó)產(chǎn)SiC襯底龍頭獲國(guó)際器件大廠認(rèn)可，我們判斷國(guó)內(nèi)襯底良率和性能提升超預(yù)期。
　　投資分析意見：建議關(guān)注國(guó)產(chǎn)襯底廠商布局進(jìn)展，關(guān)注襯底高壁壘環(huán)節(jié)的天岳先進(jìn)、天科合達(dá)（未上市）、東尼電子等，以及國(guó)內(nèi)最早具備SiC全產(chǎn)業(yè)鏈一體化布局的三安光電。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：碳化硅滲透率提升不及預(yù)期；國(guó)產(chǎn)廠商產(chǎn)能及良率提升不及預(yù)期