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核心觀點(diǎn)
　　HBM是當(dāng)前GPU存儲(chǔ)單元理想解決方案，AI發(fā)展驅(qū)動(dòng)HBM放量。HBM（高帶寬存儲(chǔ)器，High Bandwidth Memory）是由AMD和SKHynix發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲(chǔ)器帶寬需求的應(yīng)用場(chǎng)合。AI大模型的數(shù)據(jù)計(jì)算量激增，需要應(yīng)用并行處理數(shù)據(jù)的GPU作為核心處理器，而“內(nèi)存墻”的存在限制了GPU數(shù)據(jù)處理能力，HBM突破了內(nèi)存容量與帶寬瓶頸，可以為GPU提供更快的并行數(shù)據(jù)處理速度，打破“內(nèi)存墻”對(duì)算力提升的桎梏，被視為GPU存儲(chǔ)單元理想解決方案，將在AI發(fā)展中持續(xù)收益。
　　TSV技術(shù)是HBM的核心技術(shù)之一，中微公司是TSV設(shè)備主要供應(yīng)商。硅通孔技術(shù)（TSV）為連接硅晶圓兩面并與硅襯底和其他通孔絕緣的電互連結(jié)構(gòu)，可以穿過硅基板實(shí)現(xiàn)硅片內(nèi)部垂直電互聯(lián)，是實(shí)現(xiàn)2.5D、3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一，主要用于硅轉(zhuǎn)接板、芯片三維堆疊等方面。中微公司在2010年就推出了首臺(tái)TSV深孔硅刻蝕設(shè)備Primo TSV，提供的8英寸和12英寸硅通孔刻蝕設(shè)備，均可刻蝕孔徑從低至1微米以下到幾百微米的孔洞，并具有工藝協(xié)調(diào)性。
　　ALD沉積在HBM工藝中不可或缺，雅克科技是ALD前驅(qū)體核心供應(yīng)商，拓荊科技是ALD設(shè)備核心供應(yīng)商。由于ALD設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)高深寬比、極窄溝槽開口的優(yōu)異臺(tái)階覆蓋率及精確薄膜厚度控制，在HBM中先進(jìn)DRAM加工工藝和TSV加工工藝中是必不可少的工藝環(huán)節(jié)。雅克科技是國(guó)內(nèi)ALD沉積主要材料前驅(qū)體供應(yīng)商，公司前驅(qū)體產(chǎn)品供應(yīng)HBM核心廠商SK海力士，High-K、硅金屬前驅(qū)體產(chǎn)品覆蓋先進(jìn)1bDRAM、200層以上3DNAND以及3nm先進(jìn)邏輯電路等。拓荊科技是國(guó)內(nèi)ALD設(shè)備的主要供應(yīng)商之一，公司PEALD產(chǎn)品用于沉積SiO2、SiN等介質(zhì)薄膜，在客戶端驗(yàn)證順利；Thermal-ALD產(chǎn)品已完成研發(fā)，主要用于沉積Al2O3等金屬化合物薄膜。
　　HBM主要應(yīng)用2.5D+3D先進(jìn)集成，IC載板是轉(zhuǎn)接板核心材料。HBM借助TSV技術(shù)實(shí)現(xiàn)2.5D+3D先進(jìn)集成,而IC載板是集成電路先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)的關(guān)鍵載體，建立IC芯片與PCB板之間的訊號(hào)連接。在目前應(yīng)用較廣的2.5D+3D的先進(jìn)封裝集成電路中，都采用IC載板作為承載芯片的轉(zhuǎn)接板，如AMD2015年推出的Radeon R9 Fury XGPU中使用了64nm的TSVIC載板作為轉(zhuǎn)接板，NVIDIA的Pascal 100 GPU基于臺(tái)積電16nm工藝技術(shù)，連接在臺(tái)積電64nm CoWoS-2轉(zhuǎn)接板上，然后封裝在PCB板上完成搭建。
　　相關(guān)公司：中微公司、雅克科技、拓荊科技、兆易創(chuàng)新、北京君正。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：HBM下游需求不及預(yù)期，產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)發(fā)展進(jìn)度不及預(yù)期。