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行業(yè)事件：
　　當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月30日，荷蘭政府發(fā)布了關(guān)于先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的出口管制新條例，針對條例中列明的相關(guān)先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備，出口商需要申請?jiān)S可證，并獲得許可后才能出口。該法規(guī)將于2023年9月1日生效。
　　投資要點(diǎn)：
　　光刻、沉積等工藝環(huán)節(jié)的部分設(shè)備、軟件及材料被納入管制范圍：根據(jù)荷蘭政府發(fā)布的管制條例細(xì)則，管制主要針對先進(jìn)制程領(lǐng)域的光刻、沉積等工藝環(huán)節(jié)的相關(guān)設(shè)備、軟件及材料。具體包括：1）EUV光罩保護(hù)膜；2）EUV光罩保護(hù)膜的生產(chǎn)設(shè)備；3）光刻設(shè)備；4）用于金屬剝離的原子層沉積（ALD）設(shè)備；5）設(shè)計(jì)用于硅（Si）、碳摻雜硅、硅鍺（SiGe）或碳摻雜SiGe外延生長的設(shè)備；6）設(shè)計(jì)用于在介電常數(shù)低于3.3的金屬線之間的深度與高度之比（AR）等于或大于1:1的小于25nm寬的空間中沉積由無空穴等離子體增強(qiáng)的Low K電介質(zhì)的設(shè)備；7）專為開發(fā)、生產(chǎn)或使用以上設(shè)備所需的軟件；8）專為開發(fā)、生產(chǎn)或使用以上設(shè)備所需的技術(shù)。
　　光刻機(jī)管制范圍符合市場預(yù)期，ASML和ASM廠商受主要影響：此次管制條例影響的公司主要為荷蘭的光刻機(jī)龍頭ASML（阿斯麥）和核心產(chǎn)品包括原子層沉積（ALD）設(shè)備和外延生長設(shè)備的龍頭廠商ASM（先晶半導(dǎo)體）。根據(jù)條例細(xì)則和ASML官網(wǎng)的聲明，光刻機(jī)涉及的范圍主要包括括1）光源波長短于193nm的光刻機(jī)，即EUV光刻機(jī)；2）光源波長等于或大于193nm且同時(shí)滿足以下條件的光刻機(jī)：①能夠產(chǎn)生具有45nm或更小的最小可分辨特征尺寸（MRF）的圖案；②小于或等于1.50nm的最大專用卡盤覆蓋（DCO）值，對應(yīng)ASML的產(chǎn)品即為TWINSCANNXT：2000i及后續(xù)推出的最先進(jìn)的DUV光刻機(jī)。根據(jù)ASML官網(wǎng)數(shù)據(jù)，NXT：1980Di光刻機(jī)的DCO值小于等于1.6nm，此次暫未受到出口管制。ALD及外延設(shè)備的管制為此次條例新增范圍，主要針對先進(jìn)制程領(lǐng)域，荷蘭的先晶半導(dǎo)體(ASM)為ALD及外延設(shè)備的龍頭廠商，此次同ASML是受管制條例影響較大的兩家企業(yè)。
　　投資建議：此次荷蘭正式公布的出口管制條例雖然主要針對先進(jìn)制程，對我國成熟制程的擴(kuò)產(chǎn)短期暫無影響，但未受影響的光刻機(jī)等設(shè)備較受到管制的光刻機(jī)設(shè)備在良率等性能上有所落后，長期看仍然會影響我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，我國半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控進(jìn)程仍需加速。此外，出口管制新條例在光刻機(jī)外還新增了沉積、外延設(shè)備及相關(guān)軟件、材料，體現(xiàn)出海外對我國半導(dǎo)體設(shè)備出口政策趨嚴(yán)態(tài)勢不改，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的供應(yīng)鏈穩(wěn)定性及安全性仍然存在隱患。建議關(guān)注我國光刻、沉積、外延設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商，以及產(chǎn)業(yè)鏈上游的軟件、材料供應(yīng)商。
　　風(fēng)險(xiǎn)因素：技術(shù)突破不及預(yù)期，海外管制政策進(jìn)一步趨嚴(yán)，我國晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)擴(kuò)建不及預(yù)期