>> 光大證券-微導納米(688147)投資價值分析報告：ALD技術(shù)平臺型企業(yè)，半導體CVD加持強化成長性-230707
| 上傳日期： |
2023/7/7 |
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| 5882KB |
| 格式： |
pdf 共65頁 |
來源： |
光大證券 |
| 評級： |
增持（首次） |
作者： |
楊紹輝 |
| 下載權(quán)限： |
此報告為加密報告 |
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公司是ALD薄膜沉積領(lǐng)先設(shè)備廠商。依托ALD技術(shù)核心團隊，專注先進微納米薄膜沉積設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，構(gòu)建以ALD技術(shù)為核心，外拓CVD等多種鍍膜設(shè)備的產(chǎn)品體系，廣泛應(yīng)用于邏輯、存儲、高效光伏電池、新型顯示等領(lǐng)域，在半導體邏輯芯片、存儲芯片的HKMG工藝、光伏正面氧化鋁鈍化層上具備較強的領(lǐng)先優(yōu)勢。
國產(chǎn)Thermal ALD設(shè)備佼佼者，差異化競爭策略減少直接競爭對手。公司是國內(nèi)首家成功將量產(chǎn)型TALD設(shè)備應(yīng)用于28nm邏輯芯片high-k柵介質(zhì)層的設(shè)備廠，同時加快其他工藝段TALD與PEALD設(shè)備的研發(fā)驗證，持續(xù)鞏固競爭優(yōu)勢。公司已有多臺ALD設(shè)備在不同工藝段驗證，后續(xù)批量重復訂單可期。CVD系列設(shè)備以硬掩模工藝為切入點，部分產(chǎn)品目前處于客戶試樣驗證階段。截至2023年4月25日，公司今年新簽半導體設(shè)備訂單2.42億元，與2022年全年相當。
ALD為先進制程關(guān)鍵設(shè)備，未來幾年復合增速超其他類型薄膜設(shè)備。ALD技術(shù)因獨特的自限性反應(yīng)而具有超薄均勻鍍膜、臺階覆蓋率高、保形性優(yōu)異的獨特優(yōu)勢，在28nm以下邏輯芯片三維鍍膜、高深寬比存儲芯片薄膜沉積中具有無可比擬地位。美國對華出口管制升溫，聯(lián)合日荷對華封鎖半導體先進制程設(shè)備，釜底抽薪倒逼我國重視供應(yīng)鏈安全，下游晶圓廠國產(chǎn)設(shè)備驗證意愿增強，打開驗證窗口，推動半導體設(shè)備國產(chǎn)化水平提高，芯片微縮化發(fā)展中ALD設(shè)備是先進制程核心設(shè)備，利好在關(guān)鍵工藝領(lǐng)先的微導納米。據(jù)SEMI 2021年報告，CVD、PVD、ALD2020-2025年市場規(guī)模年均復合增長率分別為8.5%、8.9%和26.3%。
TOPCon擴產(chǎn)元年，公司訂單大放量，儲備新電池設(shè)備技術(shù)以享受產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展紅利。公司ALD設(shè)備為正面Al2O3鈍化層主流制備技術(shù)，打破PECVD壟斷,在同類型產(chǎn)品中市占率全球第一，用于隧穿層與摻雜多晶硅層的PEALD二合一設(shè)備，SiNx層的PECVD設(shè)備市場不斷打開，與先導智能協(xié)同為客戶供應(yīng)整線。23年以來TOPCon擴產(chǎn)加速，截至4月25日公司今年新簽光伏訂單20億元，超22年末在手訂單。xBC正面Al2O3層實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，HJT透明導電層處于開發(fā)階段，鈣鈦礦封裝層已處于驗證階段，有望在下一代光伏電池新技術(shù)量產(chǎn)前夕打入供應(yīng)鏈。
盈利預(yù)測、估值與評級：半導體ALD設(shè)備壁壘高，差異化布局CVD設(shè)備拓寬成長空間，國產(chǎn)化背景下加速驗證，未來訂單放量可期；光伏新技術(shù)迭代加速，訂單獲取能力強，基本盤穩(wěn)固，可賦能半導體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。我們預(yù)計公司23-25E的歸母凈利潤為1.24/2.63/4.23億元，對應(yīng)EPS為0.27/0.58/0.93元，當前股價對應(yīng)PE為196/92/57x。公司半導體ALD、CVD處于加速驗證與量產(chǎn)導入階段，可享受一定的估值溢價，首次覆蓋，給予“增持”評級。
風險提示：新產(chǎn)品驗證進度不及預(yù)期，行業(yè)周期持續(xù)下行，國際貿(mào)易摩擦加劇。
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