>> 中信建投-微導(dǎo)納米(688147)光伏與半導(dǎo)體設(shè)備系列報告：先進(jìn)薄膜設(shè)備供應(yīng)商，光伏半導(dǎo)體齊開花-230613
| 上傳日期： |
2023/6/13 |
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| 5704KB |
| 格式： |
pdf 共50頁 |
來源： |
中信建投 |
| 評級： |
增持（首次） |
作者： |
呂娟 |
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核心觀點(diǎn)
公司形成了以原子層沉積（ALD）技術(shù)為核心，CVD等多種真空薄膜技術(shù)梯次發(fā)展的產(chǎn)品體系，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體、光伏、新型顯示等多個領(lǐng)域。①光伏領(lǐng)域：公司是光伏ALD設(shè)備龍頭，并全力推進(jìn)工藝整線策略提升產(chǎn)品覆蓋價值量，有望充分受益于TOPCon電池大擴(kuò)產(chǎn)實現(xiàn)訂單的快速增長。②半導(dǎo)體領(lǐng)域：公司實現(xiàn)了國產(chǎn)ALD設(shè)備在28nm集成電路制造關(guān)鍵工藝（高介電常數(shù)柵氧層材料沉積環(huán)節(jié)）中的突破，并基于客戶關(guān)鍵工藝開發(fā)的戰(zhàn)略需求拓展CVD設(shè)備打開市場空間，彰顯了公司在半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域平臺化拓展的能力。在國產(chǎn)化進(jìn)程加速以及先進(jìn)制程發(fā)展的趨勢下，薄膜沉積設(shè)備重要性將持續(xù)提升，公司憑借技術(shù)和工藝積累，有望實現(xiàn)訂單和業(yè)績的快速增長。
摘要
先進(jìn)薄膜沉積設(shè)備供應(yīng)商，研發(fā)驅(qū)動產(chǎn)品多元布局
微導(dǎo)納米是一家面向全球的半導(dǎo)體、泛半導(dǎo)體高端微納裝備制造商，形成了以原子層沉積（ALD）技術(shù)為核心，CVD等多種真空薄膜技術(shù)梯次發(fā)展的產(chǎn)品體系。目前已開發(fā)出多款薄膜沉積設(shè)備，涵蓋ALD、PEALD二合一、PECVD等系列產(chǎn)品，下游應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體、光伏、新型顯示、微機(jī)電等領(lǐng)域。
公司高度重視研發(fā)，研發(fā)支出從2018年的0.35億元大幅提升至2022年的1.38億元，年復(fù)合增速達(dá)到41.34%。核心技術(shù)人員具有堅實的研發(fā)背景和多年技術(shù)研發(fā)經(jīng)驗，帶領(lǐng)公司不斷打破技術(shù)壁壘、實現(xiàn)突破，并積極推動成果在光伏、半導(dǎo)體等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。首席技術(shù)官LIWEIMIN博士擁有25年以上原子層沉積技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗，是最早開始研究ALD技術(shù)的華人之一，指導(dǎo)實現(xiàn)了公司ALD技術(shù)在光伏領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化，并推廣至半導(dǎo)體等其他領(lǐng)域。
薄膜沉積技術(shù)應(yīng)用廣泛，ALD工藝鍍膜效果優(yōu)異
薄膜沉積設(shè)備按照工藝原理不同可分為物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）三種工藝，滿足不同材料的鍍膜要求?；贏LD技術(shù)表面反應(yīng)具有自限性的特點(diǎn)，其擁有多項獨(dú)特的薄膜沉積特性：①三維共形性，廣泛適用于不同形狀的基底；②大面積成膜的均勻性，且致密、無針孔；③可實現(xiàn)亞納米級的薄膜厚度控制，因此ALD技術(shù)在諸多高精尖領(lǐng)域均擁有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。
光伏設(shè)備：ALD設(shè)備龍頭充分受益于TOPCon擴(kuò)產(chǎn)，豐富產(chǎn)品矩陣打開成長空間
目前光伏行業(yè)正處于N型電池逐步替代P型電池的技術(shù)變革期，以TOPCon為主的新型高效電池需求將持續(xù)推動光伏薄膜沉積設(shè)備市場空間提升。公司作為ALD設(shè)備龍頭，在氧化鋁鍍膜環(huán)節(jié)保持較高市占率，并積極推進(jìn)工藝整線策略，原子層沉積技術(shù)GW級TOPCon整線項目已通過客戶驗收。我們預(yù)計2023年TOPCon擴(kuò)產(chǎn)超過300GW，目前單GW設(shè)備價值量約1.6億元，公司產(chǎn)品（ALD設(shè)備、PECVD設(shè)備、PEALD二合一平臺、擴(kuò)散爐、退火爐等）可覆蓋近50%價值量，推算市場空間達(dá)到240億元，公司有望充分享受下游擴(kuò)產(chǎn)紅利實現(xiàn)訂單的快速增長。
半導(dǎo)體設(shè)備：先進(jìn)制程趨勢下薄膜沉積設(shè)備大有可為，公司有望受益國產(chǎn)替代浪潮實現(xiàn)快速突破
半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備國產(chǎn)化率低，美日荷等外部制裁升級有望助推半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程加速。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，薄膜沉積設(shè)備作為半導(dǎo)體前道核心工藝設(shè)備之一，在晶圓制造設(shè)備中價值量占比約為22%（2022年），我們估算2022年中國大陸薄膜沉積設(shè)備市場空間約53.5億美元。在先進(jìn)制程和工藝進(jìn)步的大趨勢下，薄膜要求提高衍生更高性能沉積設(shè)備需求，ALD設(shè)備占比有望提升，CVD設(shè)備占比仍將保持較高水平。目前公司已實現(xiàn)了國產(chǎn)ALD設(shè)備在28nm集成電路制造關(guān)鍵工藝（高介電常數(shù)柵氧層材料沉積環(huán)節(jié)）中的突破，已與多家國內(nèi)主流半導(dǎo)體廠商及驗證平臺簽署了保密協(xié)議并開展產(chǎn)品技術(shù)驗證等工作，并基于客戶關(guān)鍵工藝開發(fā)的戰(zhàn)略需求拓展CVD設(shè)備，打開了長期市場空間，也進(jìn)一步彰顯了公司在半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域平臺化拓展的能力。
投資建議：我們預(yù)計2023-2025年公司實現(xiàn)營收15.04、35.61、45.14億元，同比分別增長119.73%、136.73%、26.77%；歸母凈利潤分別為1.20、3.57、5.37億元，同比分別增長121.66%、197.45%、50.51%，當(dāng)前市值對應(yīng)PE分別為188.02、63.21、42.00倍，首次覆蓋給予“增持”評級。
風(fēng)險提示：技術(shù)迭代及新產(chǎn)品開發(fā)風(fēng)險，新產(chǎn)品驗證進(jìn)度及市場發(fā)展不及預(yù)期的風(fēng)險，盈利預(yù)測假設(shè)不成立風(fēng)險。
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