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存儲技術(shù)發(fā)展面臨兩大瓶頸：1）“存儲墻”問題日益嚴(yán)重。馮諾依曼架構(gòu)下計(jì)算與存儲分離導(dǎo)致存儲器的發(fā)展遠(yuǎn)落后處理器，AI時(shí)代數(shù)據(jù)處理量激增使得“存儲墻”帶來的速度與功耗問題愈發(fā)嚴(yán)重，存儲提速迫在眉睫；2）傳統(tǒng)存儲技術(shù)升級放緩。DRAM：隨著頭部廠商邁入10nm以下節(jié)點(diǎn)的比拼，存儲單元進(jìn)一步縮放的難度也在不斷提升；SRAM：臺積電表示SRAM的微縮已經(jīng)進(jìn)入極限；NAND：堆疊層數(shù)的提升也在放緩。新型存儲技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。
　　HBM：算力帶動(dòng)需求井噴。與DDR對比，HBM基于TSV工藝與處理器封裝于同一中介層，在帶寬、面積、功耗等多方面更具優(yōu)勢，緩解了數(shù)據(jù)中心能耗壓力及帶寬瓶頸。我們看到來自訓(xùn)練、推理環(huán)節(jié)的存力需求持續(xù)增長將帶動(dòng)HBM市場擴(kuò)容，同時(shí)消費(fèi)端及邊緣側(cè)算力需求趨勢也將打開HBM中長期維度市場空間，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈也將在材料、設(shè)備及產(chǎn)品等各個(gè)環(huán)節(jié)受益。
　　相變存儲器PCM：有望突破存儲工藝物理極限，新存科技3DPCM產(chǎn)業(yè)化在即。PCM利用相變材料可逆轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)信息存儲，研究表明相變材料在2nm厚度仍可發(fā)生相變，有望突破存儲工藝的物理極限；3DPCM有望在數(shù)據(jù)中心服務(wù)器領(lǐng)域大規(guī)模應(yīng)用。產(chǎn)業(yè)化方面，英特爾與美光合作生產(chǎn)的3DXpoint產(chǎn)品業(yè)務(wù)高開低走已停止，國內(nèi)新存科技依托創(chuàng)新中心核心技術(shù)及人員，正在大力推進(jìn)3DPCM國產(chǎn)化，預(yù)計(jì)至2024年底開始實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。
　　存算一體：國內(nèi)外布局路徑差異化，產(chǎn)業(yè)臨近大規(guī)模量產(chǎn)前夕。存算一體與馮氏架構(gòu)最大的不同在于其將算術(shù)邏輯單元和存儲器集成在一起，加快執(zhí)行速度并減少數(shù)據(jù)在內(nèi)存和處理器之間連續(xù)傳輸所消耗的能量。量子位智庫預(yù)計(jì)存算一體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將在2025年達(dá)到125億元，并在2030年達(dá)到1136億元。產(chǎn)業(yè)方面，國際大廠布局先進(jìn)制程的近存計(jì)算，存內(nèi)處理為下一階段重點(diǎn)，國內(nèi)廠商布局多為基于新型存儲的存內(nèi)計(jì)算，當(dāng)前商用已有落地。
　　磁性存儲器MRAM：取代SRAM緩存未來可期。MRAM利用磁隧道結(jié)MTJ的磁化特性來存儲數(shù)據(jù)，其優(yōu)勢在于低時(shí)延與低功耗，劣勢在于其較大的存儲單元尺寸和不支持堆疊的特性，使得容量提升和良率爬坡面臨阻礙。產(chǎn)業(yè)化方面，美國Everspin作為獨(dú)立式MRAM龍頭，其產(chǎn)品已進(jìn)入軍事、航空等領(lǐng)域，但嵌入式MRAM更具發(fā)展前景，其對NOR eFlash和SRAM高級緩存（L3/L4）乃至低級緩存（L1/L2）的逐步替代值得期待。
　　阻變存儲器RRAM：eFlash替代正當(dāng)時(shí)。RRAM是以非導(dǎo)性材料電阻的可逆轉(zhuǎn)換為基礎(chǔ)的非易失性存儲器，作為結(jié)構(gòu)最簡單的存儲技術(shù)，其優(yōu)勢在于性能容量和成本良率之間較為均衡的表現(xiàn)，而劣勢在于芯片的可靠性問題。產(chǎn)業(yè)化方面，國外的松下、英飛凌和國內(nèi)的兆易、昕原為主要參與者，其中獨(dú)立式RRAM在工業(yè)級小容量存儲市場有所應(yīng)用，嵌入式RRAM已逐步實(shí)現(xiàn)對模擬芯片、MCU、SoC中eFlash的替代，未來有望成為CPU的最后一級緩存。
　　鐵電存儲器FRAM：有望替代EEPROM。FRAM是利用鐵電效應(yīng)即鐵電薄膜的自發(fā)性極化形式進(jìn)行儲存的非易失性存儲器，其優(yōu)勢在于讀寫速度和功耗，但劣勢在于存儲密度低、容量有限、制造成本較高。產(chǎn)業(yè)化方面，英飛凌旗下的Ramtron公司和富士通具備豐富的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，而國內(nèi)的拍字節(jié)（Petabyte）已率先打破國外壟斷，新品研發(fā)和量產(chǎn)正在逐步推進(jìn)。客觀審視以上技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程，雖然工藝不成熟帶來的良率成本等問題依然存在，我們看好在下游需求的刺激下，產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同攻克技術(shù)難點(diǎn)帶來更優(yōu)性價(jià)比的產(chǎn)品落地，市場空間有望持續(xù)突破。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：下游需求持續(xù)疲弱；產(chǎn)業(yè)進(jìn)度不及預(yù)期；市場競爭加劇。