>> 華泰證券-今日早參-231026
| 上傳日期： |
2023/10/26 |
大小： |
803KB |
| 格式： |
pdf 共32頁 |
來源： |
華泰證券 |
| 評級： |
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作者： |
方晏荷,易峘,何翩翩 |
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電子：第三代半導(dǎo)體專家十問十答：SiC& GaN路在何方？
SiC和GaN作為新型功率半導(dǎo)體材料，已進入快速發(fā)展階段。2018年特斯拉的功率器件應(yīng)用加速了SiC應(yīng)用于新能源車的進程。SiC相較GaN有三年的商業(yè)化領(lǐng)先，全球市場由Wolfspeed、Coherent、安森美等公司壟斷。在小米推出手機快充后，GaN產(chǎn)業(yè)規(guī)模迅速擴大，產(chǎn)業(yè)龍頭有住友化學(xué)、英飛凌、三安光電等。GaN相較SiC長晶速度快、成本更低，GaN可以利用現(xiàn)有的硅（Si）工藝和設(shè)備，在普通的硅襯底上生長。而SiC則需要采用高純度的SiC襯底，大幅提高了材料成本。GaN未來的增長動能取決于能否在工業(yè)、汽車領(lǐng)域應(yīng)用，但GaN上車仍處于送樣測試階段，車規(guī)級器件放量預(yù)計會在2028年左右。展望未來，SiC和GaN或?qū)⑿纬筛髯缘氖袌龈窬郑A(yù)計2026年隨著SiC產(chǎn)能飽和，大型公司可能將目光轉(zhuǎn)向GaN領(lǐng)域投資擴產(chǎn)。
風(fēng)險提示：SiC長晶技術(shù)研發(fā)不達預(yù)期、SiC器件降本不達預(yù)期、價格競爭愈演愈烈等。
研報發(fā)布日期：2023-10-25
研究員
何翩翩SAC:S0570523020002 SFC:ASI353
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