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行業(yè)核心觀點(diǎn)：
　　上周滬深300指數(shù)上漲1.48%，申萬電子指數(shù)上漲2.11%，在31個(gè)申萬一級行業(yè)中排15，跑贏滬深300指數(shù)0.64個(gè)百分點(diǎn)。把握半導(dǎo)體設(shè)備、先進(jìn)封裝、存儲、消費(fèi)電子、面板和PCB領(lǐng)域呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)化投資機(jī)會，具體建議關(guān)注華為消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)鏈、存儲產(chǎn)業(yè)鏈，把握算力芯片國產(chǎn)替代中的投資機(jī)遇。
　　投資要點(diǎn)：
　　產(chǎn)業(yè)動態(tài)：（1）半導(dǎo)體：美國AI芯片最新管制提前生效，英偉達(dá)10月24日發(fā)布的8-K公告中指出，原定于11月16日生效的美國新一輪出口管制新規(guī)，將提前于周一生效，美國政府要求英偉達(dá)立即停止向中國大陸出口其高端AI芯片。（2）存儲：據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價(jià)季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13-18%。NANDFlash方面，eMMC、UFS第四季合約價(jià)漲幅約10-15%；由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項(xiàng)目。（3）半導(dǎo)體：華為近日公開一項(xiàng)半導(dǎo)體芯片專利（申請公布號：CN116940110A)，可提高三維存儲器的存儲密度。本申請?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法、三維存儲器、電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域，旨在如何提高三維存儲器的存儲密度。（4）芯片：近日中科院微電子研究所先導(dǎo)中心研究員殷華湘團(tuán)隊(duì)，在GAA晶體管制造工藝上取得突破。隨著傳統(tǒng)鰭形晶體管FinFET技術(shù)遇到瓶頸，3nm以下節(jié)點(diǎn)采用GAA結(jié)構(gòu)是未來的發(fā)展方向。中科院這項(xiàng)成果，改善了GAA晶體管的關(guān)鍵性能，解決了N型與P型器件的電學(xué)性能失配問題，有利于我國在3nm以下半導(dǎo)體制成技術(shù)方面進(jìn)一步攻關(guān)。（5）消費(fèi)電子：三季度中國智國際數(shù)據(jù)公司（IDC）手機(jī)季度跟蹤報(bào)告顯示，2023年第三季度，中國智能手機(jī)市場出貨量約6,705萬臺，同比下降6.3%。但I(xiàn)DC中國手機(jī)月度sale out零售數(shù)據(jù)顯示，今年第三季度中國智能手機(jī)實(shí)際零售量已實(shí)現(xiàn)同比增長0.4%，10月上半月依然延續(xù)同比增長趨勢。隨著新一輪換機(jī)周期逐漸開始，各品牌大量競爭力十足的新產(chǎn)品集中上市以及年終電商平臺的促銷推動，中國智能手機(jī)市場出貨量有望在2023年第四季度迎來拐點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)近10個(gè)季度的首次反彈。（來源：IDC）
　　行業(yè)估值高于歷史中樞：從估值情況來看，目前SW電子板塊PE(TTM)為65.98倍，2018年至今SW電子板塊PE(TTM)均值為45.11倍，行業(yè)估值高于2018年至今歷史中樞水平。上周，日均交易額1136.83億元，較之前一個(gè)交易周上漲2.66%。
　　上周電子板塊大部分個(gè)股上漲：上周申萬電子行業(yè)469只個(gè)股中，上漲343只，下跌125只，上漲比例為73.13%。
　　風(fēng)險(xiǎn)因素：中美科技摩擦加劇；AI技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)；終端需求不及預(yù)期；行業(yè)去庫存進(jìn)度低于預(yù)期；行業(yè)競爭加?。粐a(chǎn)產(chǎn)品性能不及預(yù)期。