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核心觀點(diǎn)
　　公司3Q23歸母凈利潤(rùn)環(huán)比增長(zhǎng)8.62%，毛利率筑底。1-3Q23公司營(yíng)收7.7億元(YoY-2.55%)，歸母凈利潤(rùn)1.32億元(YoY-34.2%)，扣非歸母凈利潤(rùn)1.18億元(YoY-37.81%)，毛利率24.69%(YoY-9.03pct)。3Q23單季度營(yíng)收2.37億元(YoY-26.84%，QoQ+2.59%)，歸母凈利潤(rùn)0.32億元(YoY-62.15%，QoQ+8.62%)，扣非歸母凈利潤(rùn)0.26億(YoY-67.41%，QoQ+3.51%)，毛利率18.07% (YoY-16.01pct，QoQ-2.51pct)，受海外龍頭競(jìng)爭(zhēng)、周期下行等因素影響，毛利率回落，預(yù)計(jì)隨代工成本優(yōu)化，公司毛利率有望企穩(wěn)后改善。
　　超結(jié)MOS基本盤穩(wěn)健，TGBT模塊產(chǎn)品快速推進(jìn)。此前1H23公司高壓超級(jí)結(jié)MOSFET營(yíng)收占比為82.7%，中低壓屏蔽柵MOSFET占13.2%，TGBT占2.6%；3Q23超結(jié)MOS比例有所增加，中低壓MOS占比略有下降。超結(jié)MOS作為公司基本盤，性能與規(guī)格豐富度行業(yè)領(lǐng)先，目前已完成8英寸轉(zhuǎn)12英寸制造平臺(tái)拓展，成本與性能持續(xù)優(yōu)化；中低壓MOS聚焦極限規(guī)格進(jìn)行開發(fā)；TGBT產(chǎn)品目前以單管為主，300KW以上的大功率儲(chǔ)能IGBT模塊進(jìn)入認(rèn)證階段，明年隨儲(chǔ)能加速滲透有望取得突破性進(jìn)展。
　　汽車與工業(yè)產(chǎn)品保持增長(zhǎng)，戶儲(chǔ)微逆處去庫(kù)存階段靜待需求回暖。此前1H23公司光伏領(lǐng)域收入占19%，車載充電機(jī)占約23%，直流充電樁占17%，工業(yè)及通信占15%，消費(fèi)、同步整流等其余領(lǐng)域占比為26%；在此基礎(chǔ)上3Q23消費(fèi)電子需求回暖；直流充電樁出貨量持續(xù)增長(zhǎng)，終端客戶增速維持在20%-30%左右；車載電子終端客戶比亞迪、聯(lián)合電子、麥格米特等需求穩(wěn)定，預(yù)計(jì)未來(lái)將隨頭部客戶銷量同步提升；此外，9月逆變器出口量環(huán)比降幅收窄，歐洲出口量增長(zhǎng)，預(yù)期明年隨庫(kù)存去化，終端對(duì)功率產(chǎn)品需求有望逐步恢復(fù)。
　　1-3Q23研發(fā)投入同比增長(zhǎng)65.7%，極限規(guī)格與新結(jié)構(gòu)產(chǎn)品性能持續(xù)優(yōu)化。基于第四、第五代高壓超級(jí)結(jié)技術(shù)，晶圓產(chǎn)出芯片顆數(shù)進(jìn)一步提高，超結(jié)MOS性能大幅提升；12英寸TGBT研發(fā)及擴(kuò)產(chǎn)順利進(jìn)行，核心規(guī)格料號(hào)具備量產(chǎn)能力；Si2CMOSFET進(jìn)入小批量供貨階段；第一代SiCMOSFET研發(fā)穩(wěn)步推進(jìn)中且自主開發(fā)的SiCJBS/MPS產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)小批量量產(chǎn)。當(dāng)前行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇，公司高性能產(chǎn)品通過(guò)積累有望在長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)中逐步脫穎而出。
　　投資建議：我們看好器件設(shè)計(jì)與工藝實(shí)現(xiàn)的技術(shù)能力、高性能產(chǎn)品的多維成長(zhǎng)，預(yù)計(jì)23-25年公司有望實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)1.64/2.42/3.08億元(YoY-42.3%/47.6%/27.4%)，對(duì)應(yīng)23-25年P(guān)E分別為52/35/28倍，維持“買入”評(píng)級(jí)。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：下游需求不及預(yù)期，新產(chǎn)品推進(jìn)不及預(yù)期等。