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本報(bào)告導(dǎo)讀：
　　公司業(yè)績承壓，公司下游領(lǐng)域以工業(yè)和汽車為主，未來結(jié)構(gòu)將持續(xù)優(yōu)化。同時(shí)其不斷投入發(fā)展新產(chǎn)品IGBT，產(chǎn)品持續(xù)通過驗(yàn)證，未來持續(xù)增長可期。
　　投資要點(diǎn)：
　　維持增持評(píng)級(jí)，下調(diào)目標(biāo)價(jià)至148.05元。結(jié)合中報(bào)并考慮行業(yè)競爭加劇，下調(diào)其2023-2024年EPS為2.48、3.29元（前值為3.99、5.35元），預(yù)計(jì)2025年EPS為4.15元。參考行業(yè)估值水平并考慮其龍頭地位，給予其24年P(guān)E45X下調(diào)目標(biāo)價(jià)至148.05元，維持增持評(píng)級(jí)。
　　公司23H1盈利低于預(yù)期。公司23H1營收5.33億元同比上升14.33%，歸母凈利潤達(dá)1.00億元同比下滑14.25%。公司利潤承壓主要因?yàn)镼2受國內(nèi)同行業(yè)公司產(chǎn)能過剩的影響，海外龍頭廠商在國內(nèi)市場競爭加劇，中低端功率器件競爭激烈，公司部分產(chǎn)品價(jià)格有所調(diào)整，導(dǎo)致23H1公司綜合毛利率同比下滑5.83pct至27.63%。
　　MOSFET、TGBT、SiC器件批量出貨，有望推動(dòng)公司持續(xù)成長。公司第三代高壓超級(jí)結(jié)MOSFET實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模出貨；第四代高壓超級(jí)結(jié)MOSFET實(shí)現(xiàn)批量出貨；第五代超級(jí)結(jié)MOSFET試產(chǎn)成功，客戶試用結(jié)果良好，處于小批量交付階段。TGBT在多個(gè)重點(diǎn)客戶實(shí)現(xiàn)批量供貨，更大功率的車用主驅(qū)及大功率光伏芯片產(chǎn)品開發(fā)成功、客戶驗(yàn)證通過。Si2CMOS穩(wěn)定出貨，第一代SiCMOS研發(fā)快速推進(jìn)。
　　工藝持續(xù)迭代，產(chǎn)品價(jià)值量進(jìn)一步提升。公司主營產(chǎn)品從8英寸轉(zhuǎn)12英寸工藝平臺(tái)的拓展工作已基本完成，同時(shí)，公司新一代超級(jí)結(jié)MOS產(chǎn)品芯片面積減小、性價(jià)比提升，有望修復(fù)盈利能力。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示。中美貿(mào)易摩擦的不確定性；新品驗(yàn)證進(jìn)度不及預(yù)期