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>> 東吳證券-東微半導(dǎo)(688261)高性能功率器件技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)者,新品放量打開(kāi)成長(zhǎng)天花板-230629
上傳日期:   2023/6/30 大?。?/td>   2423KB
格式:   pdf  共27頁(yè) 來(lái)源:   東吳證券
評(píng)級(jí):   買(mǎi)入(首次) 作者:   馬天翼,鮑嫻穎
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投資要點(diǎn)
  高性能功率器件技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)者,新品放量打開(kāi)成長(zhǎng)天花板。公司重視底層器件結(jié)構(gòu)創(chuàng)新,持續(xù)豐富產(chǎn)品矩陣,目前已覆蓋高壓超級(jí)結(jié)MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET、超級(jí)硅MOSFET、TGBT、SiC器件等產(chǎn)品。下游應(yīng)用領(lǐng)域包括以車(chē)載、直流充電樁、光伏逆變器、工業(yè)及通信電源為代表的工業(yè)級(jí)應(yīng)用領(lǐng)域,以及以手機(jī)快速充電器、電源為代表的消費(fèi)電子應(yīng)用領(lǐng)域。受益新能源市場(chǎng)需求高增,公司營(yíng)收持續(xù)快速增長(zhǎng),22全年、23Q1營(yíng)收分別為11.2億元、3.0億元,同增43%、47%。盈利能力方面,受持續(xù)進(jìn)行技術(shù)迭代、產(chǎn)品組合結(jié)構(gòu)調(diào)整及漲價(jià)等綜合因素影響,同時(shí)通過(guò)數(shù)字化手段不斷提升運(yùn)營(yíng)效率,公司毛利率、凈利率持續(xù)提升。
  MOSFET:高壓MOSFET市場(chǎng)快速增長(zhǎng),公司產(chǎn)品性能比肩國(guó)際龍頭。伴隨車(chē)載OBC、充電樁等下游高壓領(lǐng)域需求增長(zhǎng),高壓MOSFET將迎快速增長(zhǎng),根據(jù)電子發(fā)燒友,2021年全球中低壓(<400V)和高壓MOSFET(>400V)市場(chǎng)規(guī)模分別約71億美元、42億美元,21-26年全球中低壓、高壓MOSFET市場(chǎng)規(guī)模CAGR分別約4%、12%。公司超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品性能?chē)?guó)內(nèi)領(lǐng)先、超級(jí)硅MOSFET產(chǎn)品性能?chē)?guó)際先進(jìn),并持續(xù)擴(kuò)大高壓超級(jí)結(jié)MOSFET在光伏逆變、儲(chǔ)能應(yīng)用、UPS領(lǐng)域的業(yè)務(wù),成功替換IGBT并且明顯提升系統(tǒng)效率,出貨呈現(xiàn)迅速增加態(tài)勢(shì),未來(lái)有望深度受益下游大客戶(hù)需求高增長(zhǎng)。
  IGBT&SiC:新能源市場(chǎng)拉動(dòng)需求增長(zhǎng),公司積極布局。公司獨(dú)創(chuàng)Trigate結(jié)構(gòu)IGBT器件,性能?chē)?guó)際領(lǐng)先,批量進(jìn)入光伏逆變及儲(chǔ)能、車(chē)載充電機(jī)、直流充電樁等領(lǐng)域頭部客戶(hù)供應(yīng)鏈,并在新能源汽車(chē)主驅(qū)應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)入認(rèn)證階段。22年在SiC二極管、SiCMOSFET及Si2CMOSFET器件上取得較大研發(fā)進(jìn)展,其中Si2CMOSFET進(jìn)入批量生產(chǎn)階段、首次實(shí)現(xiàn)營(yíng)收,實(shí)現(xiàn)對(duì)采用傳統(tǒng)技術(shù)路線(xiàn)的SiCMOSFET的替代。
  盈利預(yù)測(cè)與投資評(píng)級(jí):公司是高性能功率器件技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)者,新品放量打開(kāi)成長(zhǎng)天花板?;诖耍覀冾A(yù)計(jì)公司23-25年歸母凈利潤(rùn)為3.9/5.2/6.7億元,當(dāng)前市值對(duì)應(yīng)PE分別為32.8/24.6/19.0倍,首次覆蓋給予“買(mǎi)入”評(píng)級(jí)。
  風(fēng)險(xiǎn)提示:代工產(chǎn)能增長(zhǎng)不及預(yù)期;功率半導(dǎo)體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇的風(fēng)險(xiǎn);下游需求不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)。
  
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