>> 方正證券-電子行業(yè)專題報告-先進封裝專題三：代工、IDM廠商先進封裝布局各顯神通-231117
| 上傳日期： |
2023/11/18 |
大?。?/td>
| 3755KB |
| 格式： |
pdf 共23頁 |
來源： |
方正證券 |
| 評級： |
推薦 |
作者： |
佘凌星,劉嘉元,鄭震湘 |
| 行業(yè)名稱： |
電子 |
| 下載權(quán)限： |
此報告為加密報告 |
|
|
先進封裝技術(shù)趨勢在于提高I/O數(shù)量及傳輸速率，以實現(xiàn)芯片間的高速互聯(lián)，市場格局呈現(xiàn)出明顯的馬太效應(yīng)，F(xiàn)ab/IDM廠和OSAT錯位競爭。2016年先進封裝市場CR5占比48%，2021年提升至76%，強者恒強。Fab/IDM廠和OSAT廠各自發(fā)揮自身優(yōu)勢，F(xiàn)ab/IDM廠憑借前道制造優(yōu)勢和硅加工經(jīng)驗，主攻2.5D或3D封裝技術(shù)，而OSAT廠商則聚焦于后道技術(shù)，倒裝封裝仍是其主要產(chǎn)品。封測技術(shù)主要指標(biāo)為凸點間距（Bump Pitch），凸點間距越小，封裝集成度越高，難度越大，臺積電3DFabric技術(shù)平臺下的3DSoIC、InFO、CoWoS均居于前列，其中3DSoIC的凸點間距最小可達(dá)6um，居于所有封裝技術(shù)首位。
臺積電：整合構(gòu)建3DFabric平臺，先進制程持續(xù)演進。布局SoIC、CoWoS、InFO技術(shù)，搭建3DFabric技術(shù)平臺，提供從前端到后端完全集成的同構(gòu)和異構(gòu)集成。SOIC為垂直芯片堆疊3D拓?fù)浞庋b，可與CoWoS、InFO共用，AMD是首發(fā)客戶，最新的MI300即以SoIC搭配CoWoS。蘋果考慮后續(xù)在Macbook中使用SOIC搭配InFO技術(shù)，目前正處小批量試產(chǎn)中。CoWoS主要針對需要整合先進邏輯和高帶寬存儲器的HPC應(yīng)用，目前已支持超過25個客戶的140多種CoWoS產(chǎn)品，當(dāng)前主要提供三種不同的轉(zhuǎn)接板技術(shù)：CoWoS-S、CoWoSR、CoWoS-L。InFO是創(chuàng)新的晶圓級系統(tǒng)集成技術(shù)平臺，具有高密度RDL和TIV，用于各種應(yīng)用的高密度互連和性能，主要有InFO_PoP、InFO_oS兩種產(chǎn)品。相對來說，CoWoS的性能更好，但成本較高；InFO則采用RDL代替硅中介層，無須TSV，性價比更高。
三星：I-Cube和X-Cube提供2.5D&3D解決方案。三星提供了2.5D和3D在內(nèi)的豐富的先進封裝交鑰匙解決方案。包括I-CubeS、I-CubeE、X-Cube (TCB)和X-Cube (HCB)四個不同的封裝類型：1）I-CubeS和I-CubeE都是2.5D封裝技術(shù)的代表：它們的技術(shù)特點是，在一個85x85mm2的封裝中，可以同時放置多個HBM（目前是8個），并且互連層的面積是一個標(biāo)準(zhǔn)光罩的三倍，即3x reticle；2）3D封裝技術(shù)X-Cube (TCB)和X-Cube (HCB)：區(qū)別在于是否使用凸塊連接技術(shù)，X-Cube (HCB)微凸塊間距和硅片厚度僅為4μm和10μm，精度提升。
英特爾：EMIB和3DFoveros持續(xù)演進。當(dāng)前2.5D封裝的主流方案包括：以臺積電的CoWos-S為代表的sillicon interposer（硅中介層）連接方案，以及英特爾的以EMIB為代表的“sillicon bridge”（硅橋接）連接方案。其中EMIB封裝不同之處在于其硅橋內(nèi)嵌于基板之內(nèi)，而cowos-s的硅中介層則是在基板之上。對比來看，EMIB方案優(yōu)勢在于不受掩模版尺寸限制，可以顯著減小生產(chǎn)成本且使用靈活。而Foveros 3D封裝取消了基板的連接環(huán)節(jié)，通過Die與Die之間的疊加和高密度連接，實現(xiàn)更小的功率損失，以及更好的連接性。第一代Foveros凸點間距為50微米，而第二代Foveros升級至36微米，連接密度增加一倍。
風(fēng)險提示：復(fù)蘇節(jié)奏不及預(yù)期、中美貿(mào)易摩擦加劇、行業(yè)競爭加劇、測算誤差風(fēng)險。
|
|
